● La roadmap di Intel per l'innovazione nelle tecnologie di processo e di packaging infonderà nuova linfa vitale alla prossima generazione di prodotti, da qui al 2025 e oltre.

● Due tecnologie di processo rivoluzionarie: RibbonFET, la prima nuova architettura di transistor di Intel, lanciata in oltre un decennio, e PowerVia, la prima rete di trasmissione di potenza sul lato posteriore del settore.

● Con l'ingresso di Intel nell'era degli angstrom dei semiconduttori, il sistema di denominazione dei nodi aggiornato creerà un quadro coerente per aiutare i clienti e il settore a comprendere in modo più accurato l'evoluzione dei nodi di processo.

● Intel Foundry Services (IFS) gode di un forte slancio e ha annunciato per la prima volta l'elenco dei clienti con cui collabora.

Il 27 luglio 2021, Pat Gelsinger, CEO di Intel, ha tenuto un discorso alla conferenza online "Intel Accelerating Innovation: Process Technology and Packaging Technology". In questa conferenza online, Intel ha proposto una roadmap per le future tecnologie di processo e di packaging. (Fonte immagine: Intel)

Oggi Intel Corporation ha annunciato la roadmap tecnologica più dettagliata di sempre per i processi e il packaging, illustrando una serie di innovazioni tecnologiche fondamentali che continueranno a guidare lo sviluppo di nuovi prodotti da qui al 2025 e oltre. Oltre a presentare la sua prima nuova architettura di transistor in oltre un decennio, RibbonFET, e la prima nuova rete di alimentazione posteriore del settore, PowerVia, Intel ha anche evidenziato i piani per adottare rapidamente la prossima generazione di tecnologia di litografia a ultravioletti estremi (EUV), ovvero l'EUV ad alta apertura numerica (High-NA). Si prevede che Intel sarà la prima ad acquisire la prima macchina per litografia EUV High-NA del settore.

Forte della leadership indiscussa di Intel nel packaging avanzato, stiamo accelerando la nostra roadmap per l'innovazione di processo al fine di garantire che le prestazioni di processo tornino a essere all'avanguardia del settore entro il 2025. Intel sta sfruttando la sua impareggiabile spinta all'innovazione continua per offrire progressi tecnologici, dal transistor al livello di sistema. Finché la tavola periodica sarà esaurita, continueremo a perseguire la Legge di Moore e a sfruttare la straordinaria potenza del silicio per promuovere l'innovazione.

—Pat Kissinger

CEO di Intel Corporation

L'industria ha da tempo compreso che, a partire dal 1997, il tradizionale metodo di denominazione dei nodi di processo basato sui nanometri non corrisponde più all'effettiva lunghezza del gate del transistor. Oggi, Intel ha introdotto un nuovo sistema di denominazione per i suoi nodi di processo, creando un quadro chiaro e coerente per aiutare i clienti a comprendere con maggiore precisione l'evoluzione dei nodi di processo nell'intero settore. Con il lancio di Intel Foundry Services (IFS), fornire chiarezza ai clienti è più importante che mai. Gelsinger ha dichiarato: "Le tecnologie innovative annunciate oggi non solo aiutano Intel a pianificare la roadmap dei suoi prodotti, ma sono anche fondamentali per i nostri clienti di servizi di fonderia. C'è un forte interesse per Intel Foundry Services (IFS) da parte dell'industria e sono lieto di annunciare oggi due importanti clienti per la nostra prima collaborazione. Intel Foundry Services è salpata!"

Gli esperti tecnici di Intel hanno illustrato la seguente roadmap, che include una nuova nomenclatura dei nodi e tecnologie innovative che abilitano ciascun nodo di processo:

● Grazie all'ottimizzazione dei transistor FinFET, Intel 7 aumenterà le prestazioni per watt di circa il 10%-15% rispetto a Intel 10nm SuperFin.I prodotti client Alder Lake che saranno lanciati nel 2021 utilizzeranno il processo Intel 7, seguito da Sapphire Rapids per i data center, la cui messa in produzione è prevista per il primo trimestre del 2022.

● Intel 4 adotta completamente la tecnologia di litografia EUV, che utilizza luce a lunghezza d'onda ultracorta per incidere motivi estremamente piccoli.Grazie a un incremento di circa il 20% delle prestazioni per watt e a miglioramenti nell'area del chip, Intel 4 entrerà in produzione nella seconda metà del 2022 e sarà disponibile a partire dal 2023. Questi prodotti includono Meteor Lake per i client e Granite Rapids per i data center.

● Grazie all'ulteriore ottimizzazione della tecnologia FinFET e al maggiore utilizzo della litografia EUV in un numero crescente di processi, Intel 3 raggiungerà un miglioramento di circa il 18% nelle prestazioni per watt rispetto a Intel 4, con ulteriori riduzioni anche nell'area del chip.A partire dalla seconda metà del 2023, Intel 3 verrà utilizzato nella produzione di prodotti correlati.

● Intel 20A inaugurerà l'era Amy con le sue due tecnologie rivoluzionarie, RibbonFET e PowerVia.RibbonFET è l'implementazione Intel del transistor Gate All Around e sarà la prima nuova architettura di transistor dell'azienda da quando ha introdotto FinFET nel 2011. Questa tecnologia velocizza la commutazione dei transistor, raggiungendo la stessa corrente di pilotaggio delle strutture multi-fin, ma occupando meno spazio. PowerVia è l'esclusiva rete di trasmissione di potenza sul lato posteriore, la prima del settore, sviluppata da Intel, che ottimizza la trasmissione del segnale eliminando la necessità di cablaggi di alimentazione sul lato anteriore del wafer. Il lancio di Intel 20A è previsto per il 2024.Intel è inoltre lieta di collaborare con Qualcomm sulla tecnologia di processo Intel 20A.

● 2025 e oltre: Il nodo Intel 18A, un passo avanti rispetto all'Intel 20A, è anch'esso in fase di sviluppo e verrà lanciato all'inizio del 2025. Migliorerà la tecnologia RibbonFET e consentirà di ottenere un ulteriore importante miglioramento nelle prestazioni dei transistor.Intel si impegna inoltre a definire, costruire e implementare la prossima generazione di EUV ad alta apertura numerica (High-NA) e si prevede che sarà la prima ad acquisire la prima macchina per litografia EUV ad alta apertura numerica del settore. Intel sta collaborando a stretto contatto con ASML per garantire il successo di questa tecnologia rivoluzionaria anche oltre l'attuale generazione di EUV.

La dottoressa Ann Kelleher, vicepresidente senior e direttrice generale dello sviluppo tecnologico di Intel, ha dichiarato: "Intel vanta una lunga storia di innovazioni fondamentali nella tecnologia di processo che hanno guidato progressi epocali nel settore. Abbiamo guidato la transizione dal silicio sottoposto a sollecitazioni meccaniche a 90 nm ai gate metallici ad alta costante dielettrica a 45 nm e siamo stati i primi a introdurre il FinFET a 22 nm. Con due tecnologie rivoluzionarie, RibbonFET e PowerVia, Intel 20A rappresenterà un'ulteriore pietra miliare nella tecnologia di processo."

La dottoressa Ann Kelleher, vicepresidente senior e direttrice generale dello sviluppo tecnologico presso Intel.

Con l'implementazione della nuova strategia IDM 2.0 di Intel, il packaging diventa ancora più importante per sfruttare appieno i vantaggi della Legge di Moore.Intel ha annunciato che AWS sarà il primo cliente a utilizzare le soluzioni di packaging di Intel Foundry Services (IFS).La roadmap di Intel per il packaging avanzato, leader del settore, propone:

● EMIB continuerà a essere leader del settore in quanto prima soluzione bridge embedded 2.5D, e Intel commercializza prodotti EMIB dal 2017.Sapphire Rapids sarà la prima Intel ad adottare EMIB (Embedded Multi-die Interconnect Bridge) per le spedizioni di massa.^®Xeon^®Prodotti per data center. Sarà inoltre il primo del settore a offrire prestazioni quasi identiche a quelle di un design monolitico, ma integrando due dimensioni di maschera. Dopo Sapphire Rapids, il passo dei bump della prossima generazione di EMIB sarà ridotto da 55 micron a 45 micron.

● Foveros sfrutta le capacità di confezionamento a livello di wafer per fornire la prima soluzione di impilamento 3D in assoluto.Meteor Lake rappresenta la seconda generazione della tecnologia Foveros implementata nei prodotti dei clienti. Questo prodotto presenta un passo dei bump di 36 micron, i diversi chip possono essere basati su più nodi di processo e l'intervallo di potenza di progettazione termica (TDP) è compreso tra 5 e 125 W.

● Foveros Omni è all'avanguardia della nuova generazione di tecnologia Foveros, offrendo flessibilità illimitata per l'interconnessione die-to-die e la progettazione modulare grazie alla tecnologia di impilamento 3D ad alte prestazioni.Foveros Omni consente lo smontaggio dei chip per combinare più wafer superiori con diversi substrati, in base a differenti nodi di processo di fabbricazione dei wafer. Si prevede che verrà utilizzato nei prodotti di massa a partire dal 2023.

● Foveros Direct consente il passaggio al collegamento diretto rame-rame, che permette di realizzare interconnessioni a bassa resistenza e rende meno netta la linea di demarcazione tra la fabbricazione del wafer e il confezionamento.Foveros Direct raggiunge passi di bump inferiori a 10 micron, aumentando la densità di interconnessione degli stack 3D di un ordine di grandezza e proponendo nuovi concetti per la partizione funzionale dei chip, prima irraggiungibili. Foveros Direct è complementare a Foveros Omni e si prevede che verrà utilizzato nei prodotti di massa nel 2023.

Le tecnologie innovative di cui si parla oggi vengono sviluppate principalmente negli stabilimenti Intel in Oregon e Arizona, consolidando la posizione di Intel come unico leader statunitense con capacità sia di ricerca e sviluppo che di produzione di chip. Inoltre, queste innovazioni beneficiano di una stretta collaborazione con un ecosistema di partner statunitensi ed europei. Le solide partnership sono fondamentali per trasferire le innovazioni di base dalla ricerca di laboratorio alla produzione di massa, e Intel si impegna a collaborare con i governi di tutto il mondo per rafforzare le catene di approvvigionamento e promuovere la sicurezza economica e nazionale.

Al termine della conferenza online, Intel ha annunciato che terrà un summit sull'innovazione denominato "Intel Innovation" e ha fornito ulteriori dettagli. Il summit si svolgerà sia in presenza che online a San Francisco dal 27 al 28 ottobre 2021.

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