● Plan innowacji w zakresie technologii procesowej i technologii pakowania firmy Intel zapewnia moc kolejnej fali produktów od teraz do roku 2025 i dalej.

● Dwie przełomowe technologie procesowe: pierwsza nowa architektura tranzystorów firmy Intel, RibbonFET, wprowadzona na rynek po ponad dekadzie, oraz pierwsza w branży sieć przesyłu mocy od tyłu, PowerVia.

● Wraz z wkraczaniem firmy Intel w erę angstrema w dziedzinie półprzewodników, zaktualizowany system nazewnictwa węzłów stworzy spójną strukturę, która pomoże klientom i branży w dokładniejszym zrozumieniu ewolucji węzłów procesowych.

● Firma Intel Foundry Services (IFS) cieszy się dużą popularnością i po raz pierwszy ogłosiła listę współpracujących klientów.

27 lipca 2021 roku prezes firmy Intel, Pat Gelsinger, wygłosił przemówienie na konferencji online „Intel Accelerating Innovation: Process Technology and Packaging Technology”. Podczas tej konferencji online firma Intel zaproponowała plan rozwoju przyszłych technologii procesowych i technologii pakowania. (Źródło zdjęcia: Intel)

Firma Intel Corporation ogłosiła dziś najbardziej szczegółowy w historii plan rozwoju technologii procesów i pakowania, prezentujący szereg fundamentalnych innowacji technologicznych, które będą napędzać rozwój nowych produktów do 2025 roku i w kolejnych latach. Oprócz zaprezentowania swojej pierwszej od ponad dekady nowej architektury tranzystorowej RibbonFET oraz pierwszej w branży sieci zasilania od tyłu (backside power supply network), PowerVia, Intel podkreślił również plany szybkiego wdrożenia nowej generacji technologii litografii w ekstremalnym ultrafiolecie (EUV), a mianowicie technologii EUV o wysokiej aperturze numerycznej (High-NA). Oczekuje się, że Intel jako pierwszy w branży otrzyma pierwszą litografię EUV o wysokiej aperturze numerycznej.

Bazując na niekwestionowanym przywództwie firmy Intel w dziedzinie zaawansowanych układów scalonych, przyspieszamy rozwój naszej strategii innowacji procesowych, aby do 2025 roku jej wydajność ponownie zdominowała branżę. Intel wykorzystuje nasze niezrównane dążenie do ciągłej innowacji, aby dostarczać postęp technologiczny od poziomu tranzystorów po poziom systemowy. Dopóki układ okresowy pierwiastków nie zostanie wyczerpany, będziemy nadal podążać za prawem Moore'a i wykorzystywać magiczną moc krzemu do rozwoju innowacji.

——Pat Kissinger

Dyrektor generalny Intel Corporation

Branża od dawna zdała sobie sprawę, że od 1997 roku tradycyjna, oparta na nanometrach metoda nazewnictwa węzłów procesowych nie odpowiada już rzeczywistej długości bramki tranzystora. Dziś Intel wprowadził nowy system nazewnictwa dla swoich węzłów procesowych, tworząc jasne i spójne ramy, które pomogą klientom lepiej zrozumieć ewolucję węzłów procesowych w branży. Wraz z wprowadzeniem Intel Foundry Services (IFS), zapewnienie klientom przejrzystości jest ważniejsze niż kiedykolwiek. Gelsinger powiedział: „Innowacyjne technologie zaprezentowane dzisiaj nie tylko pomagają firmie Intel w planowaniu rozwoju produktów, ale mają również kluczowe znaczenie dla naszych klientów z branży usług odlewniczych. Branża cieszy się dużym zainteresowaniem Intel Foundry Services (IFS) i cieszę się, że dziś ogłosiliśmy pozyskanie dwóch ważnych klientów do naszej pierwszej współpracy. Intel Foundry Services wyruszył w rejs!”

Eksperci techniczni firmy Intel przedstawili następujący plan działania, który obejmuje nową nomenklaturę węzłów i innowacyjne technologie umożliwiające obsługę każdego węzła procesu:

● Bazując na optymalizacji tranzystorów FinFET, Intel 7 zwiększy wydajność na wat o około 10–15% w porównaniu z Intel 10 nm SuperFin.Produkty klienckie Alder Lake, które zostaną wprowadzone na rynek w 2021 r., będą wykorzystywać proces Intel 7, a następnie Sapphire Rapids dla centrów danych, którego produkcja ma rozpocząć się w pierwszym kwartale 2022 r.

● W procesorze Intel 4 zastosowano w całości technologię litografii EUV, która umożliwia grawerowanie niezwykle małych wzorów za pomocą światła o ultrakrótkiej długości fali.Dzięki 20-procentowemu wzrostowi wydajności na wat i udoskonaleniom powierzchni układu scalonego, produkcja procesora Intel 4 rozpocznie się w drugiej połowie 2022 r., a sprzedaż rozpocznie się w 2023 r. Wśród produktów znajdą się: Meteor Lake dla klientów i Granite Rapids dla centrów danych.

● Dzięki dalszej optymalizacji FinFET i zwiększonemu wykorzystaniu EUV w większej liczbie procesów, Intel 3 osiągnie poprawę wydajności na wat o około 18% w porównaniu do Intel 4, a ponadto nastąpią dodatkowe udoskonalenia w obszarze układu scalonego.Procesor Intel 3 będzie wykorzystywany w produkcji produktów powiązanych od drugiej połowy 2023 roku.

● Procesor Intel 20A zapoczątkuje erę Amy dzięki dwóm przełomowym technologiom: RibbonFET i PowerVia.RibbonFET to opracowana przez firmę Intel implementacja tranzystora Gate All Around i będzie to pierwsza nowa architektura tranzystorowa firmy od czasu, gdy w 2011 roku firma wprowadziła na rynek technologię FinFET. Technologia ta przyspiesza przełączanie tranzystorów, zapewniając jednocześnie taki sam prąd sterowania jak w strukturach wielopłetwowych, ale zajmując mniej miejsca. PowerVia to unikalna, pierwsza w branży sieć transmisji zasilania od tyłu, która optymalizuje transmisję sygnału, eliminując potrzebę stosowania okablowania zasilania od przodu płytki. Premiera Intel 20A planowana jest na 2024 rok.Firma Intel z przyjemnością nawiąże również współpracę z firmą Qualcomm w zakresie technologii procesowej Intel 20A.

● Rok 2025 i później: Węzeł Intel 18A, będący udoskonaloną wersją węzła Intel 20A, jest również w fazie rozwoju i zostanie wprowadzony na rynek na początku 2025 roku. Udoskonali on technologię RibbonFET i pozwoli osiągnąć kolejny znaczący skok w wydajności tranzystorów.Firma Intel jest również zaangażowana w definiowanie, budowę i wdrażanie kolejnej generacji technologii High-NA EUV i oczekuje się, że będzie pierwszą firmą, która otrzyma w branży pierwszą maszynę litograficzną High-NA EUV. Intel ściśle współpracuje z ASML, aby zapewnić sukces tej przełomowej technologii, wykraczający poza obecną generację technologii EUV.

Dr Ann Kelleher, starszy wiceprezes i dyrektor generalny ds. rozwoju technologii w firmie Intel, powiedziała: „Intel ma długą historię fundamentalnych innowacji w technologii procesowej, które napędzały rozwój branży. Byliśmy pionierami przejścia z tranzystorów krzemowych o naprężeniu 90 nm na bramki metalowe o wysokiej stałej dielektrycznej (high-k) o długości 45 nm i jako pierwsi wprowadziliśmy tranzystory FinFET o procesie technologicznym 22 nm. Dzięki dwóm przełomowym technologiom, RibbonFET i PowerVia, Intel 20A stanie się kolejnym przełomem w technologii procesowej”.

Dr Ann Kelleher, starszy wiceprezes i dyrektor generalny ds. rozwoju technologii w firmie Intel

Dzięki wdrożeniu nowej strategii IDM 2.0 firmy Intel pakowanie staje się jeszcze ważniejsze w kontekście realizacji korzyści płynących z prawa Moore'a.Firma Intel ogłosiła, że ​​AWS będzie pierwszym klientem, który skorzysta z rozwiązań do pakowania Intel Foundry Services (IFS).Wiodący w branży plan rozwoju zaawansowanych rozwiązań w zakresie pakowania firmy Intel zakłada:

● EMIB nadal będzie liderem branży jako pierwsze rozwiązanie mostkowe 2.5D, a firma Intel dostarcza produkty EMIB od 2017 roku.Sapphire Rapids będzie pierwszą firmą Intel, która wdroży technologię EMIB (Embedded Multi-die Interconnect Bridge) w przypadku dostaw masowych^®Xeon^®Produkty dla centrów danych. Będzie to również pierwszy w branży produkt oferujący niemal taką samą wydajność jak konstrukcja monolityczna, ale integrujący dwa rozmiary maski. W ślad za Sapphire Rapids, skok wypukłości nowej generacji EMIB zostanie skrócony z 55 mikronów do 45 mikronów.

● Foveros wykorzystuje możliwości pakowania na poziomie wafli krzemowych, aby dostarczyć pierwsze na świecie rozwiązanie do układania warstw 3D.Meteor Lake to druga generacja technologii Foveros wdrożona w produktach klienckich. Produkt ten charakteryzuje się skokiem wypukłości wynoszącym 36 mikronów, różne układy scalone mogą być oparte na wielu węzłach procesowych, a zakres projektowej mocy cieplnej wynosi 5–125 W.

● Foveros Omni to pionier nowej generacji technologii Foveros, zapewniający nieograniczoną elastyczność połączeń typu „drugi do drugiego” oraz modułową konstrukcję dzięki wysokowydajnej technologii układania w stosy 3D.Foveros Omni umożliwia demontaż matryc i łączenie wielu płytek wierzchnich z wieloma podłożami, w oparciu o różne węzły procesowe. Oczekuje się, że technologia ta znajdzie zastosowanie w produktach produkowanych masowo w 2023 roku.

● Technologia Foveros Direct umożliwia przejście na bezpośrednie łączenie miedzi z miedzią, co pozwala na wykonywanie połączeń o niskiej rezystancji i sprawia, że ​​granica między nimi staje się mniej wyraźna od produkcji płytek aż do ich pakowania.Foveros Direct osiąga skoki wypukłości poniżej 10 mikronów, zwiększając gęstość połączeń między stosami 3D o rząd wielkości i proponując nowe, nieosiągalne wcześniej koncepcje funkcjonalnego podziału matryc. Foveros Direct stanowi uzupełnienie Foveros Omni i ma trafić do masowej produkcji w 2023 roku.

Przełomowe technologie, o których dziś mówimy, są rozwijane głównie w zakładach Intela w Oregonie i Arizonie, co umacnia pozycję firmy jako jedynego amerykańskiego lidera dysponującego zarówno możliwościami badawczo-rozwojowymi, jak i produkcyjnymi w zakresie układów scalonych. Co więcej, innowacje te korzystają z bliskiej współpracy z ekosystemem partnerów z USA i Europy. Głębokie partnerstwa są kluczem do przeniesienia fundamentalnych innowacji z badań laboratoryjnych do masowej produkcji, a Intel jest zaangażowany we współpracę z rządami na całym świecie w celu wzmocnienia łańcuchów dostaw oraz zwiększenia bezpieczeństwa gospodarczego i narodowego.

Pod koniec konferencji online firma Intel ogłosiła, że ​​zorganizuje szczyt „Intel Innovation” i podała więcej szczegółów. Szczyt „Intel Innovation” odbędzie się w San Francisco, zarówno offline, jak i online, w dniach 27-28 października 2021 r.

Zastrzeżenie: Niniejszy artykuł został przedrukowany z „ZhiIN”. Artykuł ten przedstawia wyłącznie osobiste poglądy autora i nie reprezentuje poglądów Sacco Micro ani branży. Jest on przeznaczony wyłącznie do przedruku i udostępniania w celu ochrony praw własności intelektualnej. Prosimy o podanie oryginalnego źródła i autora przedruku. W przypadku naruszenia prosimy o kontakt w celu usunięcia.

Numer telefonu firmy: +86-0755-83044319
Faks/FAKS: +86-0755-83975897
E-mail: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 Menedżer Li

QQ: 332496225 Menedżer Qiu

Adres: Pokój 809, Budynek C, Budynek Technologii Zhantao, nr 1079 Minzhi Avenue, Nowa Dzielnica Longhua, Shenzhen