● Lộ trình đổi mới công nghệ xử lý và công nghệ đóng gói của Intel sẽ tạo sức mạnh cho thế hệ sản phẩm tiếp theo từ nay đến năm 2025 và xa hơn nữa.

● Hai công nghệ xử lý đột phá: kiến ​​trúc bóng bán dẫn mới đầu tiên của Intel, RibbonFET, được ra mắt sau hơn một thập kỷ, và mạng truyền tải điện năng phía sau đầu tiên trong ngành, PowerVia.

● Khi Intel bước vào kỷ nguyên bán dẫn angstrom, hệ thống đặt tên nút được cập nhật sẽ tạo ra một khuôn khổ nhất quán giúp khách hàng và ngành công nghiệp hiểu rõ hơn về sự phát triển của các nút công nghệ.

● Intel Foundry Services (IFS) đang có đà phát triển mạnh mẽ và lần đầu tiên công bố danh sách các khách hàng hợp tác.

On July 27, 2021, Intel CEO Pat Gelsinger delivered a speech at the "Intel Accelerating Innovation: Process Technology and Packaging Technology Online Conference". In this online conference, Intel proposed a roadmap for future process technology and packaging technology. (Image source: Intel)

Hôm nay, Tập đoàn Intel đã công bố lộ trình công nghệ xử lý và đóng gói chi tiết nhất từ ​​trước đến nay, thể hiện một loạt các cải tiến công nghệ nền tảng sẽ tiếp tục thúc đẩy phát triển sản phẩm mới từ nay đến năm 2025 và xa hơn nữa. Bên cạnh việc giới thiệu kiến ​​trúc bóng bán dẫn mới đầu tiên sau hơn một thập kỷ, RibbonFET, và mạng lưới phân phối điện mặt sau mới đầu tiên trong ngành, PowerVia, Intel cũng nhấn mạnh kế hoạch nhanh chóng áp dụng công nghệ in thạch bản cực tím (EUV) thế hệ tiếp theo, cụ thể là EUV khẩu độ số cao (High-NA). Intel dự kiến ​​sẽ là công ty đầu tiên sở hữu máy in thạch bản EUV High-NA đầu tiên trong ngành.

Dựa trên vị thế dẫn đầu không thể phủ nhận của Intel trong lĩnh vực đóng gói tiên tiến, chúng tôi đang đẩy nhanh lộ trình đổi mới quy trình để đảm bảo hiệu suất quy trình một lần nữa dẫn đầu ngành vào năm 2025. Intel đang tận dụng động lực đổi mới liên tục chưa từng có để mang lại những tiến bộ công nghệ từ cấp độ bóng bán dẫn đến cấp độ hệ thống. Cho đến khi bảng tuần hoàn cạn kiệt, chúng tôi sẽ tiếp tục theo đuổi Định luật Moore và tiếp tục khai thác sức mạnh kỳ diệu của silicon để thúc đẩy sự đổi mới.

—Pat Kissinger

Giám đốc điều hành tập đoàn Intel

Ngành công nghiệp từ lâu đã nhận ra rằng kể từ năm 1997, phương pháp đặt tên dựa trên nanomet truyền thống cho các nút quy trình không còn tương ứng với chiều dài cổng thực tế của bóng bán dẫn. Hôm nay, Intel đã giới thiệu một hệ thống đặt tên mới cho các nút quy trình của mình, tạo ra một khuôn khổ rõ ràng và nhất quán để giúp khách hàng hiểu chính xác hơn về sự phát triển của các nút quy trình trong toàn ngành. Với sự ra mắt của Intel Foundry Services (IFS), việc cung cấp sự rõ ràng cho khách hàng trở nên quan trọng hơn bao giờ hết. Ông Gelsinger cho biết: "Các công nghệ tiên tiến được công bố hôm nay không chỉ giúp Intel lập kế hoạch lộ trình sản phẩm mà còn rất quan trọng đối với khách hàng dịch vụ gia công của chúng tôi. Ngành công nghiệp rất quan tâm đến Intel Foundry Services (IFS), và hôm nay tôi rất vui mừng khi chúng tôi công bố hai khách hàng quan trọng cho sự hợp tác đầu tiên. Intel Foundry Services đã chính thức ra khơi!"

Các chuyên gia kỹ thuật của Intel đã trình bày chi tiết lộ trình sau đây, bao gồm cả cách đặt tên nút mới và các công nghệ tiên tiến hỗ trợ cho từng nút quy trình:

● Dựa trên tối ưu hóa bóng bán dẫn FinFET, Intel 7 sẽ tăng hiệu năng trên mỗi watt lên khoảng 10%-15% so với Intel 10nm SuperFin.Các sản phẩm dành cho người dùng cuối Alder Lake dự kiến ​​ra mắt năm 2021 sẽ sử dụng quy trình Intel 7, tiếp theo là Sapphire Rapids dành cho trung tâm dữ liệu, dự kiến ​​sẽ được đưa vào sản xuất trong quý đầu tiên năm 2022.

● Intel 4 completely adopts EUV lithography technology, which can use ultra-short wavelength light to engrave extremely small patterns.Với hiệu năng trên mỗi watt tăng khoảng 20% ​​và những cải tiến về diện tích chip, Intel 4 sẽ được đưa vào sản xuất vào nửa cuối năm 2022 và xuất xưởng vào năm 2023. Các sản phẩm này bao gồm Meteor Lake dành cho người dùng cá nhân và Granite Rapids dành cho trung tâm dữ liệu.

● Với việc tối ưu hóa hơn nữa công nghệ FinFET và tăng cường sử dụng EUV trong nhiều quy trình hơn, Intel 3 sẽ đạt được hiệu suất trên mỗi watt cải thiện khoảng 18% so với Intel 4, đồng thời cũng có những cải tiến đáng kể về diện tích chip.Intel 3 sẽ được sử dụng trong sản xuất các sản phẩm liên quan bắt đầu từ nửa cuối năm 2023.

● Intel 20A sẽ mở ra kỷ nguyên Amy với hai công nghệ đột phá, RibbonFET và PowerVia.RibbonFET là công nghệ transistor Gate All Around do Intel triển khai và sẽ là kiến ​​trúc transistor mới đầu tiên của công ty kể từ khi tiên phong phát triển FinFET vào năm 2011. Công nghệ này giúp tăng tốc độ chuyển mạch transistor trong khi vẫn đạt được dòng điện dẫn tương đương với cấu trúc đa vây, nhưng chiếm ít không gian hơn. PowerVia là mạng truyền tải điện năng phía sau độc đáo, tiên phong trong ngành của Intel, giúp tối ưu hóa việc truyền tín hiệu bằng cách loại bỏ nhu cầu đi dây nguồn phía trước trên wafer. Intel 20A dự kiến ​​sẽ ra mắt vào năm 2024.Intel cũng rất vui mừng được hợp tác với Qualcomm về công nghệ xử lý Intel 20A.

● Năm 2025 và những năm tiếp theo: Công nghệ Intel 18A, một bước tiến so với Intel 20A, cũng đang được phát triển và sẽ ra mắt vào đầu năm 2025. Công nghệ này sẽ cải thiện RibbonFET và đạt được một bước nhảy vọt lớn khác về hiệu năng bóng bán dẫn.Intel cũng cam kết định hình, xây dựng và triển khai thế hệ tiếp theo của công nghệ EUV khẩu độ lớn (High-NA EUV), và dự kiến ​​sẽ là công ty đầu tiên sở hữu máy in thạch bản High-NA EUV đầu tiên trong ngành. Intel đang hợp tác chặt chẽ với ASML để đảm bảo sự thành công của công nghệ đột phá này vượt ra ngoài thế hệ EUV hiện tại.

Tiến sĩ Ann Kelleher, phó chủ tịch cấp cao kiêm tổng giám đốc phát triển công nghệ tại Intel, cho biết: "Intel có bề dày lịch sử về những đổi mới mang tính đột phá trong công nghệ sản xuất, thúc đẩy những bước tiến vượt bậc trong ngành. Chúng tôi đã dẫn đầu quá trình chuyển đổi từ silicon biến dạng 90nm sang cổng kim loại high-K 45nm và là công ty đầu tiên giới thiệu FinFET ở mức 22nm. Với hai công nghệ đột phá, RibbonFET và PowerVia, Intel 20A sẽ trở thành một bước ngoặt khác trong công nghệ sản xuất."

Tiến sĩ Ann Kelleher, phó chủ tịch cấp cao kiêm tổng giám đốc phát triển công nghệ tại Intel.

Với việc triển khai chiến lược IDM 2.0 mới của Intel, việc đóng gói trở nên quan trọng hơn bao giờ hết để hiện thực hóa những lợi ích của Định luật Moore.Intel thông báo rằng AWS sẽ là khách hàng đầu tiên sử dụng các giải pháp đóng gói của Intel Foundry Services (IFS).Lộ trình đóng gói tiên tiến hàng đầu ngành của Intel đề xuất:

● EMIB sẽ tiếp tục dẫn đầu ngành công nghiệp với tư cách là giải pháp cầu nối nhúng 2.5D đầu tiên, và Intel đã cung cấp các sản phẩm EMIB từ năm 2017.Sapphire Rapids sẽ là sản phẩm đầu tiên của Intel áp dụng EMIB (Embedded Multi-die Interconnect Bridge) cho các lô hàng lớn.^®Xeon^®Sản phẩm dành cho trung tâm dữ liệu. Đây cũng sẽ là sản phẩm đầu tiên trong ngành cung cấp hiệu năng gần như tương đương với thiết kế nguyên khối, nhưng tích hợp hai kích thước mặt nạ khác nhau. Tiếp nối Sapphire Rapids, khoảng cách giữa các chân tiếp xúc của thế hệ EMIB tiếp theo sẽ được rút ngắn từ 55 micron xuống 45 micron.

● Foveros tận dụng khả năng đóng gói ở cấp độ wafer để cung cấp giải pháp xếp chồng 3D đầu tiên trên thế giới.Meteor Lake là thế hệ thứ hai của công nghệ Foveros được triển khai trong các sản phẩm dành cho khách hàng. Sản phẩm này có khoảng cách giữa các chân chip là 36 micron, các chip khác nhau có thể dựa trên nhiều tiến trình sản xuất khác nhau, và công suất thiết kế nhiệt nằm trong khoảng 5-125W.

● Foveros Omni tiên phong cho thế hệ công nghệ tiếp theo của Foveros, cung cấp tính linh hoạt không giới hạn cho kết nối giữa các chip và thiết kế dạng mô-đun thông qua công nghệ xếp chồng 3D hiệu suất cao.Foveros Omni cho phép tháo rời chip để kết hợp nhiều tấm wafer trên cùng với nhiều lớp nền khác nhau dựa trên các công nghệ sản xuất wafer khác nhau. Dự kiến ​​công nghệ này sẽ được sử dụng trong các sản phẩm sản xuất hàng loạt vào năm 2023.

● Công nghệ Foveros Direct cho phép chuyển sang liên kết trực tiếp giữa các lớp đồng, giúp tạo ra các kết nối có điện trở thấp và làm cho ranh giới giữa hai lớp trở nên ít rõ ràng hơn từ khâu sản xuất wafer đến khâu đóng gói.Công nghệ Foveros Direct đạt được khoảng cách giữa các chân tiếp xúc dưới 10 micron, làm tăng mật độ kết nối của các cấu trúc 3D lên một bậc và đề xuất các khái niệm mới về phân vùng chức năng của chip mà trước đây không thể thực hiện được. Foveros Direct là sản phẩm bổ sung cho Foveros Omni và dự kiến ​​sẽ được sử dụng trong các sản phẩm sản xuất hàng loạt vào năm 2023.

Các công nghệ đột phá được thảo luận hôm nay chủ yếu được phát triển tại các cơ sở của Intel ở Oregon và Arizona, củng cố vị thế của Intel là công ty duy nhất tại Mỹ sở hữu cả năng lực nghiên cứu và phát triển chip lẫn năng lực sản xuất. Thêm vào đó, những đổi mới này được hưởng lợi từ sự hợp tác chặt chẽ với hệ sinh thái các đối tác tại Mỹ và châu Âu. Quan hệ đối tác sâu rộng là chìa khóa để đưa những đổi mới cơ bản từ nghiên cứu trong phòng thí nghiệm sang sản xuất hàng loạt, và Intel cam kết hợp tác với các chính phủ trên toàn thế giới để tăng cường chuỗi cung ứng và thúc đẩy an ninh kinh tế và quốc gia.

At the end of the online conference, Intel announced that it would hold an "Intel Innovation" summit and announced more relevant details. The "Intel Innovation" Summit will be held offline and online in San Francisco from October 27th to 28th, 2021.

Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm: Bài viết này được sao chép từ "ZhiIN". Bài viết này chỉ thể hiện quan điểm cá nhân của tác giả và không đại diện cho quan điểm của Sacco Micro hay toàn ngành. Bài viết chỉ được phép đăng lại và chia sẻ để hỗ trợ bảo vệ quyền sở hữu trí tuệ. Vui lòng ghi rõ nguồn và tác giả khi đăng lại. Nếu phát hiện vi phạm bản quyền, vui lòng liên hệ với chúng tôi để gỡ bỏ.

Số điện thoại công ty: +86-0755-83044319
Số fax: +86-0755-83975897
Email: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 Quản lý Li

QQ: 332496225 Quản lý Qiu

Địa chỉ: Phòng 809, Tòa nhà C, Tòa nhà Công nghệ Zhantao, Số 1079 Đại lộ Minzhi, Khu Longhua Mới, Thâm Quyến