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AOS ने 1200V सिलिकॉन कार्बाइड MOS ट्रांजिस्टर (αSiC MOSFETs) जारी किए हैं जो ऑटोमोटिव मानकों को पूरा करते हैं।
2022-03-17 217
   


हाल ही में, पावर सेमीकंडक्टर्स, चिप्स और डिजिटल पावर उत्पादों के एक प्रसिद्ध आपूर्तिकर्ता, अल्फा एंड ओमेगा सेमीकंडक्टर लिमिटेड (एओएस, नैस्डैक: एओएसएल), जो डिजाइन, अनुसंधान एवं विकास, उत्पादन और वैश्विक बिक्री को एकीकृत करता है, ने एईसी-क्यू101 मानकों के अनुरूप एक अनुकूलित टीओ-247-4एल पैकेज में एक नया 1200वी सिलिकॉन कार्बाइड एमओएस ट्यूब (αSiC MOSFET) लॉन्च किया है।AOM033V120X2Qयह 1200V सिलिकॉन कार्बाइड MOS ट्रांजिस्टर TO-247-4L ऑटोमोटिव स्पेसिफिकेशन में पैक किया गया है जो 15V स्टैंडर्ड गेट ड्राइवर को स्वीकार करता है और उद्योग में सबसे कम ऑन-रेजिस्टेंस प्रदान करता है, जो इलेक्ट्रिक वाहन (EV) ऑन-बोर्ड चार्जर, मोटर ड्राइव इनवर्टर और ऑन-बोर्ड चार्जिंग पाइल की उच्च दक्षता और विश्वसनीयता आवश्यकताओं को पूरा करता है।


इलेक्ट्रिक वाहनों का बाज़ार प्रतिवर्ष लाखों यूनिटों की दर से तेज़ी से बढ़ रहा है, ऐसे में ऑटोमोबाइल निर्माता कंपनियां सिस्टम के आकार और वज़न को कम करने के साथ-साथ इलेक्ट्रिक वाहनों की रेंज बढ़ाने और चार्जिंग गति में उल्लेखनीय वृद्धि करने के लिए 800V विद्युत प्रणालियों को तेजी से अपना रही हैं। AOS 1200V ऑटोमोटिव-ग्रेड αSiC MOSFETs को इन चुनौतीपूर्ण अनुप्रयोगों की आवश्यकताओं के लिए डिज़ाइन किया गया है और ये पारंपरिक सिलिकॉन उपकरणों की तुलना में बेहतर स्विचिंग प्रदर्शन और दक्षता प्रदान करते हैं।


AOM033V120X2Qयह 1200V/33mΩ SiC MOS ट्यूब है, जो हमारे दूसरी पीढ़ी के αSiC MOSFET प्लेटफॉर्म पर आधारित है और TO-247-4L अनुकूलित पैकेजिंग का उपयोग करती है। मानक 3-पिन पैकेज से भिन्न, अतिरिक्त केल्विन सोर्स सेंसिंग पिन के उपयोग से पैकेज के आंतरिक लूप पर परजीवी इंडक्टेंस कम हो जाता है, जिससे डिवाइस उच्च स्विचिंग आवृत्तियों पर कार्य कर सकता है। मानक पैकेजों की तुलना में स्विचिंग हानि 75% तक कम हो जाती है। इसका गेट ड्राइव वोल्टेज केवल 15V है, जो गेट ड्राइवर को व्यापक अनुकूलता प्रदान करता है, जिससे इसे विभिन्न सिस्टम डिज़ाइनों में आसानी से अपनाया जा सकता है। इसके अलावा, 175°C के उच्च तापमान पर αSiC MOSFET के ऑन-रेज़िस्टेंस में वृद्धि बहुत कम होती है, जिससे बिजली की हानि काफी कम हो जाती है और दक्षता में और सुधार होता है।


"पारंपरिक आंतरिक दहन इंजन आधारित परिवहन को प्रतिस्थापित करने के लिए इलेक्ट्रिक वाहन प्रौद्योगिकी को बढ़ावा देने हेतु, ऑटोमोबाइल निर्माता वाहन रेंज बढ़ाने और चार्जिंग समय कम करने के लिए कड़ी मेहनत कर रहे हैं। वाहन नियामक सत्यापन मानकों को पूरा करने वाले हमारे 1200V αSiC MOSFET के लॉन्च के साथ, AOS डिजाइनरों को दक्षता में सुधार और ऊर्जा दक्षता लक्ष्यों को प्राप्त करने के लिए अधिक उन्नत अगली पीढ़ी की अर्धचालक प्रौद्योगिकी प्रदान कर सकता है।" AOS में वाइड बैंडगैप उत्पादों के वरिष्ठ निदेशक डेविड शेरिडन ने कहा, "हमारे ग्राहक उत्पाद प्रदर्शन, विश्वसनीयता और बड़े पैमाने पर उत्पादन क्षमता वाली आपूर्ति श्रृंखला के संयोजन के कारण हमारी प्रौद्योगिकी का चयन करते हैं।"


इस वर्ष की दूसरी छमाही में αSiC MOSFET उत्पाद पोर्टफोलियो का विस्तार किया जाएगा, जिसमें स्थैतिक ऑन-रेसिस्टेंस की व्यापक रेंज और अधिक पैकेजिंग विकल्प शामिल होंगे, साथ ही AEC-Q101 ऑटोमोटिव नियामक सत्यापन मानक को पारित करने वाले अधिक उत्पाद भी शामिल होंगे। कृपया अपडेट के लिए बने रहें।


तकनीकी हाइलाइट्स

  • एईसी-क्यू101 वाहन विनियमन सत्यापन मानक योग्यता उत्तीर्ण की, और ऑटोमोटिव उद्योग आपूर्ति श्रृंखला में उपयोग किए जाने वाले गुणवत्ता आश्वासन कार्यक्रम पीपीएपी रिपोर्ट प्रदान की;

  • अधिकतम परिचालन जंक्शन तापमान 175°C;

  • कम प्रतिरोध और तापमान से आसानी से प्रभावित नहीं होता;

  • कम क्यूआरआर और उच्च विश्वसनीयता वाला पैरासिटिक डायोड;

  • तेज़ और कम हानि वाले स्विचिंग के लिए अतिरिक्त केल्विन सोर्स सेंसिंग पिन का उपयोग करें;



अस्वीकरण: यह लेख "AOSemi" से लिया गया है। यह लेख केवल लेखक के निजी विचारों को दर्शाता है और Sacco Micro या उद्योग जगत के विचारों का प्रतिनिधित्व नहीं करता है। इसका पुनर्मुद्रण और साझाकरण केवल बौद्धिक संपदा अधिकारों के संरक्षण के लिए किया जा सकता है। पुनर्मुद्रण के लिए कृपया मूल स्रोत और लेखक का उल्लेख करें। यदि कोई उल्लंघन होता है, तो कृपया इसे हटाने के लिए हमसे संपर्क करें।

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