최근 전력 반도체, 칩 및 디지털 전력 제품 분야의 유명 공급업체이자 설계, 연구 개발, 생산 및 글로벌 판매를 통합하는 알파앤오메가반도체(AOS, 나스닥: AOSL)는 AEC-Q101 표준을 준수하는 최적화된 TO-247-4L 패키지에 담긴 새로운 1200V 실리콘 카바이드 MOS 튜브(αSiC MOSFET)를 출시했습니다.AOM033V120X2Q이 1200V 실리콘 카바이드 MOS 트랜지스터는 15V 표준 게이트 드라이버를 수용하는 TO-247-4L 자동차 규격 패키지로 제공되며, 업계 최저 수준의 온 저항을 제공하여 전기 자동차(EV) 온보드 충전기, 모터 구동 인버터 및 온보드 충전 파일의 고효율 및 신뢰성 요구 사항을 충족합니다.

전기차 시장이 매년 수백만 대씩 급속도로 성장함에 따라, 자동차 제조업체들은 전기차의 주행거리를 ​​늘리고 충전 속도를 획기적으로 향상시키면서 시스템 크기와 무게를 줄이기 위해 800V 전기 시스템을 점점 더 많이 도입하고 있습니다. AOS의 1200V 자동차 등급 αSiC MOSFET은 이러한 까다로운 애플리케이션 요구 사항을 충족하도록 설계되었으며, 기존 실리콘 소자 대비 우수한 스위칭 성능과 효율을 제공합니다.

AOM033V120X2Q본 제품은 당사의 2세대 αSiC MOSFET 플랫폼을 기반으로 하는 1200V/33mΩ SiC MOS 튜브이며, TO-247-4L 최적화 패키징을 사용합니다. 표준 3핀 패키지와 달리, 추가적인 켈빈 소스 감지 핀을 통해 패키지 내부 루프의 기생 인덕턴스를 감소시켜 더 높은 스위칭 주파수에서 동작할 수 있습니다. 스위칭 손실은 표준 패키지 대비 최대 75%까지 감소합니다. 게이트 구동 전압이 15V에 불과하여 게이트 드라이버와의 호환성이 매우 뛰어나 다양한 시스템 설계에 쉽게 적용할 수 있습니다. 또한, αSiC MOSFET은 175°C의 고온에서도 온 저항 증가량이 매우 작아 전력 손실을 크게 줄이고 효율을 더욱 향상시킵니다.

"기존 내연기관 기반 운송 수단을 대체하기 위한 전기 자동차 기술의 발전을 지속적으로 추진하기 위해 자동차 제조업체들은 주행 거리를 늘리고 충전 시간을 단축하기 위해 노력하고 있습니다. AOS는 차량 규제 검증 기준을 충족하는 1200V αSiC MOSFET을 출시함으로써 설계자들에게 효율성을 향상시키고 에너지 효율 목표를 달성하는 데 도움이 되는 더욱 발전된 차세대 반도체 기술을 제공할 수 있게 되었습니다." "고객들은 제품 성능, 신뢰성, 그리고 대량 생산 능력을 갖춘 공급망의 조합 때문에 AOS 기술을 선택합니다."라고 AOS의 광대역 갭 제품 담당 수석 이사인 데이비드 셰리던은 말했습니다.

αSiC MOSFET 제품 포트폴리오는 올해 하반기에 더욱 다양한 정적 온 저항 범위와 더 많은 패키징 옵션을 포함할 뿐만 아니라 AEC-Q101 자동차 규제 검증 표준을 통과한 제품들을 추가하여 확장될 예정이니 많은 관심 부탁드립니다.

기술 하이라이트

• AEC-Q101 차량 규정 검증 표준 자격을 통과했으며, 자동차 산업 공급망에서 사용되는 품질 보증 프로그램 PPAP 보고서를 제공했습니다.

• 최대 작동 접합 온도 175°C;

• 저항이 낮고 온도 변화에 쉽게 영향을 받지 않습니다.

• 낮은 Qrr 값과 높은 신뢰성을 갖춘 기생 다이오드;

• 빠르고 손실이 적은 스위칭을 위해 추가 켈빈 소스 감지 핀을 사용하십시오.

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