เมื่อเร็วๆ นี้ บริษัท Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS, Nasdaq: AOSL) ผู้จัดจำหน่ายเซมิคอนดักเตอร์กำลังไฟฟ้า ชิป และผลิตภัณฑ์ดิจิทัลด้านพลังงานที่มีชื่อเสียง ซึ่งบูรณาการการออกแบบ การวิจัยและพัฒนา การผลิต และการขายทั่วโลก ได้เปิดตัวทรานซิสเตอร์ MOS ซิลิคอนคาร์ไบด์ (αSiC MOSFET) ขนาด 1200V รุ่นใหม่ ในแพ็คเกจ TO-247-4L ที่ได้รับการปรับปรุงให้เหมาะสมและเป็นไปตามมาตรฐาน AEC-Q101AOM033V120X2Qทรานซิสเตอร์ MOS ซิลิคอนคาร์ไบด์ 1200V นี้บรรจุอยู่ในแพ็คเกจ TO-247-4L สำหรับยานยนต์ ซึ่งรองรับไดร์เวอร์เกตมาตรฐาน 15V และให้ค่าความต้านทานขณะเปิดต่ำที่สุดในอุตสาหกรรม ตรงตามข้อกำหนดด้านประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถือสูงของเครื่องชาร์จในรถยนต์ไฟฟ้า (EV) อินเวอร์เตอร์ขับมอเตอร์ และแท่นชาร์จในรถยนต์

เนื่องจากตลาดรถยนต์ไฟฟ้าเติบโตอย่างรวดเร็วด้วยจำนวนหลายล้านคันต่อปี ผู้ผลิตรถยนต์จึงหันมาใช้ระบบไฟฟ้า 800V มากขึ้น เพื่อลดขนาดและน้ำหนักของระบบ ในขณะเดียวกันก็เพิ่มระยะทางการขับขี่ของรถยนต์ไฟฟ้าและเพิ่มความเร็วในการชาร์จอย่างมีนัยสำคัญ ทรานซิสเตอร์ MOSFET ชนิด αSiC เกรดสำหรับยานยนต์ AOS 1200V ได้รับการออกแบบมาเพื่อตอบสนองความต้องการใช้งานที่สูงเหล่านี้ และให้ประสิทธิภาพการสวิตช์และประสิทธิภาพการทำงานที่เหนือกว่าเมื่อเทียบกับอุปกรณ์ซิลิคอนแบบดั้งเดิม

AOM033V120X2Qเป็นทรานซิสเตอร์ MOS SiC ขนาด 1200V/33mΩ ซึ่งใช้แพลตฟอร์ม MOSFET αSiC รุ่นที่สองของเรา และใช้บรรจุภัณฑ์ TO-247-4L ที่ได้รับการปรับปรุงให้เหมาะสม แตกต่างจากบรรจุภัณฑ์ 3 ขามาตรฐาน การใช้ขาตรวจจับ Kelvin Source เพิ่มเติมช่วยลดค่าความเหนี่ยวนำปรสิตในวงจรภายในของบรรจุภัณฑ์ ทำให้สามารถทำงานที่ความถี่การสวิตช์ที่สูงขึ้นได้ การสูญเสียจากการสวิตช์ลดลงถึง 75% เมื่อเทียบกับบรรจุภัณฑ์มาตรฐาน แรงดันขับเกตเพียง 15V ทำให้ไดร์เวอร์เกตมีความเข้ากันได้กว้างที่สุด ทำให้ง่ายต่อการนำไปใช้ในการออกแบบระบบต่างๆ นอกจากนี้ การเพิ่มขึ้นของความต้านทานขณะเปิดของ MOSFET αSiC ที่อุณหภูมิสูงถึง 175°C นั้นน้อยมาก ซึ่งช่วยลดการสูญเสียพลังงานและเพิ่มประสิทธิภาพได้ดียิ่งขึ้น

“เพื่อส่งเสริมเทคโนโลยีรถยนต์ไฟฟ้าให้เข้ามาแทนที่การขนส่งที่ใช้เครื่องยนต์สันดาปภายในแบบดั้งเดิม ผู้ผลิตรถยนต์จึงทำงานอย่างหนักเพื่อเพิ่มระยะทางการขับขี่และลดเวลาในการชาร์จ ด้วยการเปิดตัว MOSFET αSiC 1200V ที่ตรงตามมาตรฐานการตรวจสอบด้านกฎระเบียบของยานยนต์ AOS สามารถมอบเทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์รุ่นใหม่ที่ล้ำหน้ายิ่งขึ้นให้กับนักออกแบบ เพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพและบรรลุเป้าหมายด้านการประหยัดพลังงาน” “ลูกค้าของเราเลือกใช้เทคโนโลยีของเราเนื่องจากประสิทธิภาพของผลิตภัณฑ์ ความน่าเชื่อถือ และห่วงโซ่อุปทานที่มีความสามารถในการผลิตในปริมาณมาก” เดวิด เชอริแดน ผู้อำนวยการอาวุโสฝ่ายผลิตภัณฑ์แถบความถี่กว้างของ AOS กล่าว

กลุ่มผลิตภัณฑ์ αSiC MOSFET จะได้รับการขยายเพิ่มเติมในช่วงครึ่งหลังของปีนี้ เพื่อให้ครอบคลุมช่วงความต้านทานขณะเปิดใช้งานแบบคงที่ที่หลากหลายยิ่งขึ้น และมีตัวเลือกบรรจุภัณฑ์มากขึ้น รวมถึงผลิตภัณฑ์ที่ผ่านมาตรฐานการตรวจสอบด้านกฎระเบียบยานยนต์ AEC-Q101 มากขึ้น โปรดติดตามข่าวสารต่อไป

ไฮไลท์ทางเทคนิค

• ผ่านการรับรองมาตรฐานการตรวจสอบข้อบังคับยานยนต์ AEC-Q101 และจัดทำรายงาน PPAP ของโครงการประกันคุณภาพที่ใช้ในห่วงโซ่อุปทานอุตสาหกรรมยานยนต์

• อุณหภูมิใช้งานสูงสุดของจุดเชื่อมต่อ 175°C;

• มีความต้านทานต่ำและไม่ได้รับผลกระทบจากอุณหภูมิได้ง่าย

• ค่า Qrr ต่ำและไดโอดปรสิตที่มีความน่าเชื่อถือสูง

• ใช้พินตรวจจับ Kelvin Source เพิ่มเติมเพื่อการสลับสัญญาณที่รวดเร็วและมีการสูญเสียต่ำ

ข้อสงวนสิทธิ์: บทความนี้คัดลอกมาจาก "AOSemi" บทความนี้เป็นเพียงความคิดเห็นส่วนตัวของผู้เขียนเท่านั้น และไม่ได้แสดงถึงความคิดเห็นของ Sacco Micro และอุตสาหกรรม การคัดลอกและแบ่งปันมีจุดประสงค์เพื่อสนับสนุนการคุ้มครองสิทธิ์ในทรัพย์สินทางปัญญาเท่านั้น โปรดระบุแหล่งที่มาและผู้เขียนต้นฉบับเมื่อนำไปคัดลอก หากมีการละเมิดลิขสิทธิ์ โปรดติดต่อเราเพื่อลบออก

หมายเลขโทรศัพท์ของบริษัท: +86-0755-83044319
โทรสาร: +86-0755-83975897
อีเมล์: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 ผู้จัดการหลี่

QQ: 332496225 ผู้จัดการชิว

ที่อยู่: ห้อง 809 อาคาร C อาคารเทคโนโลยีจ้านเทา เลขที่ 1079 ถนนหมินจือ เขตหลงหัวใหม่ เมืองเซินเจิ้น