最近、設計、研究開発、生産、グローバル販売を統合したパワー半導体、チップ、デジタルパワー製品の著名なサプライヤーであるAlpha and Omega Semiconductor Limited（AOS、Nasdaq：AOSL）は、AEC-Q101規格に準拠した最適化されたTO-247-4Lパッケージの新しい1200VシリコンカーバイドMOSチューブ（αSiC MOSFET）を発表しました。AOM033V120X2Qこの1200VシリコンカーバイドMOSトランジスタは、15V標準ゲートドライバに対応するTO-247-4L車載規格パッケージに収められており、業界最低のオン抵抗を実現し、電気自動車（EV）の車載充電器、モータ駆動インバータ、車載充電ステーションの高い効率と信頼性の要件を満たしています。

電気自動車市場は年間数百万台規模で急速に拡大しており、自動車メーカーはシステムサイズと重量を削減しつつ、EVの航続距離を延長し、充電速度を大幅に向上させるために、800Vの電気システムをますます導入しています。AOSの1200V車載グレードαSiC MOSFETは、こうした厳しいアプリケーション要件に対応するように設計されており、従来のシリコンデバイスと比較して優れたスイッチング性能と効率を提供します。

AOM033V120X2Qこれは、当社第2世代αSiC MOSFETプラットフォームをベースに、TO-247-4L最適化パッケージを採用した1200V/33mΩのSiC MOSFETです。標準的な3ピンパッケージとは異なり、ケルビンソースセンシングピンを追加することで、パッケージ内部ループの寄生インダクタンスを低減し、より高いスイッチング周波数での動作を可能にします。スイッチング損失は標準パッケージと比較して最大75%削減されています。ゲート駆動電圧はわずか15Vであるため、ゲートドライバの互換性が非常に高く、様々なシステム設計に容易に採用できます。さらに、175℃の高温下でもαSiC MOSFETのオン抵抗の増加が非常に小さいため、電力損失が大幅に低減され、効率がさらに向上します。

「従来の内燃機関をベースとした輸送手段に代わる電気自動車技術の普及を促進するため、自動車メーカーは航続距離の延長と充電時間の短縮に懸命に取り組んでいます。AOSは、車両規制検証基準を満たす1200V αSiC MOSFETをリリースすることで、設計者に効率向上とエネルギー効率目標達成のためのより高度な次世代半導体技術を提供できます。」AOSのワイドバンドギャップ製品担当シニアディレクター、デビッド・シェリダン氏は、「当社の製品性能、信頼性、そして量産能力を備えたサプライチェーンの組み合わせにより、お客様は当社の技術を選択しています」と述べています。

αSiC MOSFET製品ポートフォリオは、今年後半に、より幅広い静的オン抵抗値とより多くのパッケージオプション、そしてAEC-Q101車載規制検証基準に合格した製品を追加することで拡充される予定です。今後の情報にご期待ください。

技術的なハイライト

• AEC-Q101車両規制検証基準の認定に合格し、自動車産業サプライチェーンで使用される品質保証プログラムPPAPレポートを提供しました。

• 最大動作接合部温度175℃。

• オン抵抗が低く、温度変化の影響を受けにくい。

• 低Qrrかつ高信頼性の寄生ダイオード。

• 高速かつ低損失なスイッチングを実現するには、追加のケルビンソース検出ピンを使用してください。

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