Recentemente, a Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS, Nasdaq: AOSL), uma renomada fornecedora de semicondutores de potência, chips e produtos de energia digital que integra design, P&D, produção e vendas globais, lançou um novo MOSFET de carbeto de silício (αSiC) de 1200V em um encapsulamento TO-247-4L otimizado, em conformidade com os padrões AEC-Q101.AOM033V120X2QEste transistor MOS de carbeto de silício de 1200V é encapsulado em uma especificação automotiva TO-247-4L que aceita um driver de porta padrão de 15V e oferece a menor resistência de condução do setor, atendendo aos requisitos de alta eficiência e confiabilidade de carregadores de bordo para veículos elétricos (VE), inversores de acionamento de motores e estações de carregamento de bordo.

Com o mercado de veículos elétricos crescendo em milhões de unidades anualmente, as montadoras estão implementando cada vez mais sistemas elétricos de 800V para reduzir o tamanho e o peso do sistema, ao mesmo tempo que aumentam a autonomia dos veículos elétricos e aceleram significativamente o carregamento. Os MOSFETs de αSiC de 1200V da AOS, de grau automotivo, são projetados para atender a esses requisitos exigentes de aplicação e oferecem desempenho e eficiência de comutação superiores em comparação com os dispositivos de silício tradicionais.

AOM033V120X2QTrata-se de um MOSFET de α-SiC de 1200V/33mΩ, baseado em nossa plataforma de MOSFET de α-SiC de segunda geração e que utiliza a embalagem otimizada TO-247-4L. Diferentemente da embalagem padrão de 3 pinos, o uso de pinos adicionais para detecção da fonte Kelvin reduz a indutância parasita no circuito interno da embalagem, permitindo que o dispositivo opere em frequências de chaveamento mais altas. As perdas de chaveamento são reduzidas em até 75% em comparação com as embalagens padrão. Sua tensão de acionamento de gate é de apenas 15V, o que proporciona ampla compatibilidade ao driver de gate, facilitando sua adoção em diversos projetos de sistemas. Além disso, o aumento na resistência de condução do MOSFET de α-SiC em altas temperaturas de 175°C é muito pequeno, o que reduz significativamente a perda de potência e melhora ainda mais a eficiência.

"Para continuar promovendo a tecnologia de veículos elétricos como substituta dos tradicionais veículos com motores de combustão interna, as montadoras estão se empenhando para aumentar a autonomia e reduzir o tempo de recarga. Com o lançamento do nosso MOSFET de αSiC de 1200V, que atende aos padrões de verificação regulamentares para veículos, a AOS pode fornecer aos projetistas uma tecnologia de semicondutores de última geração mais avançada para melhorar a eficiência e atingir as metas de eficiência energética." "Nossos clientes escolhem nossa tecnologia devido à combinação de desempenho do produto, confiabilidade e uma cadeia de suprimentos com capacidade de produção em larga escala", disse David Sheridan, diretor sênior de produtos de banda larga da AOS.

O portfólio de produtos MOSFET de αSiC será expandido no segundo semestre deste ano para incluir uma gama mais ampla de resistência estática no estado ligado e mais opções de encapsulamento, bem como mais produtos que passaram pela verificação do padrão regulatório automotivo AEC-Q101. Fique atento às novidades.

Destaques técnicos

• Aprovado no processo de qualificação para verificação da norma de regulamentação de veículos AEC-Q101 e fornecido o relatório PPAP do programa de garantia de qualidade utilizado na cadeia de suprimentos da indústria automotiva;

• Temperatura máxima de operação na junção: 175°C;

• Baixa resistência em estado ligado e pouco afetado pela temperatura;

• Diodo parasita de baixa Qrr e alta confiabilidade;

• Utilize pinos de detecção de fonte Kelvin adicionais para comutação rápida e com baixa perda;

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