總結

MOSFET是一種常見的電壓型控制器零件，具有開關速度快、高頻性能好、輸入阻抗高、噪音低、驅動功率小、動態範圍大、安全工作區（SOA）寬等一系列優點，因此在開關電源、馬達控制、電動工具等行業中得到廣泛的應用。作為MOSFET本身的薄弱環節，如果電路設計不當，很容易導致元件甚至系統的失效。因此本文將柵極的常見電路整理出來，供大家參考討論，也歡迎大家提出自己的看法。

MOSFET閘極電路的常見功能如下：

1.消除耦合到電路中的噪聲，提高系統的可靠性。

2.加速MOSFET的導通，降低導通損耗。

3.加速MOSFET的關斷，降低關斷損耗。

4.降低MOSFET的di/dt，保護MOSFET的DI/DT，抑制EMI幹擾。

5.保護電網，防止異常高壓下擊穿電網。

6.提高驅動能力，MOSFET可以在小訊號下驅動。

以上就是我能想到的閘電路的功能了。歡迎補充你的想法，我會把對應的電路貼出來供大家討論。歡迎補充你的想法，我會把對應的電路貼出來供大家討論。

首先說一下電源IC的直接驅動，下圖是我們最常用的直接驅動方式。這種模式下，驅動電路我們沒有做過多的處理，所以盡量優化PCB LAYOUT，例如縮短IC到MOSFET閘極的走線長度，增加走線寬度，Rg盡量遠離MOSFET閘極，這樣可以減少寄生電感，消除雜訊。

0 1 直接驅動

當然，我們還要考慮的另一個問題是PWM CONTROLLER的驅動能力。 MOSFET較大時，IC的驅動能力較小，會出現驅動太慢、開關損耗太大甚至無法驅動等問題。我們在設計時需要注意這一點。

0 2 IC內部驅動能力不足時

當然，我們也可以採用以下方法來解決IC內部驅動能力不足的問題。

這種增加驅動能力的方式，不僅增加了導通時間，也加快了關斷時間，同時對控制毛邊和功耗也有一定的效果。當然，在LAYOUT上盡量把這兩個管子放置在靠近MOSFET閘極的位置。這樣做的好處是可以減少寄生電感，提高電路的抗干擾性能。

0 3 提高MOSFET的關斷速度

如果我們只是想提高MOSFET的關斷速度，那麼我們可以按照下面的方式來實現。

當關斷電流較大時，MOSFET輸入電容的放電速度可以更快，進而減少關斷損耗。大的放電電流可以選用輸出阻抗低的MOSFET或是N通道截止的負壓元件來實現，最常用的是加加速二極體。

當閘極關閉時，電流在電阻上引起的壓降大於二極體導通時壓降，此時二極體會導通，從而將電阻旁路掉。導通後，隨著電流的減小，二極體在電路中的作用越來越小，這將顯著減少MOSFET關斷的延遲時間。

當然，這個電路有一定的缺點，就是閘極處的電流還是需要經過IC內部的輸出驅動阻抗。可以採取什麼措施來解決這個問題？

下面來談談PNP加速關斷驅動電路：

0 4 PNP加速關斷驅動電路

下面講一下PNP加速關斷電路。

PNP關斷電路是目前應用最廣泛的電路，該電路可在加速二極體作用下實現瞬時閘極源短路，從而達到最短的放電時間。之所以加入二極體，一方面是為了保護二極體的基極，另一方面也為導通電流提供迴路和偏壓。這種電路的優點是可以近似地實現推挽效應，加速效果明顯。缺點是閘極由於要經過兩個PN結段，所以無法真正達到0伏特。

0 5 源極輸出高電壓時驅動

當源極輸出為高電壓時，我們需要使用偏壓電路來達到電路工作的目的，即以源極為參考點設定偏壓電路，驅動電壓在兩個電壓之間波動，驅動電壓的偏差由低電壓提供，如下圖所示。