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Valeur d'investissement de la piste de nitrure de gallium domestique
          1. Valeur d'investissement de la piste en nitrure de galliumLes propriétés des matériaux des semi-conducteurs de troisième génération remplaceront progressivement une partie du marché des dispositifs de puissance à base de silicium. Ce constat, maintes fois vérifié par les applications commerciales, fait désormais consensus. Comparé au carbure de silicium, le nitrure de gallium (GTN) à base de silicium présente actuellement comme principaux inconvénients une faible tension nominale et un manque de données de fiabilité. De plus, en raison de sa faible puissance de sortie globale, le GTN à base de silicium ne bénéficie pas encore d'effets d'échelle, ce qui explique l'absence d'avantage économique par rapport au carbure de silicium. Cependant, les fabricants de GTN à base de silicium s'efforcent actuellement d'améliorer leurs produits en termes de tension de tenue (actuellement 1200 V) et de fiabilité (ils disposent désormais de données de fiabilité optimales pour les dispositifs haute tension), grâce à des techniques d'épitaxie, de structure et de circuits de commande optimisées. Par ailleurs, le prix de vente des dispositifs en GTN s'est rapproché de celui des transistors MOS en silicium, et leurs performances, leur qualité et leur coût continuent de s'améliorer. Enfin, comparé au carbure de silicium,Le nitrure de gallium à base de silicium offre un rendement énergétique supérieur et un coût inférieur. Dans la plage de tension de 600 à 1200 V, il représente une technologie très compétitive.De plus, l'utilisation croissante du carbure de silicium dans les secteurs automobile et photovoltaïque génère des investissements de plusieurs milliards, voire de dizaines de milliards de dollars, tant au niveau national qu'international. Il apparaît donc évident que le marché du carbure de silicium est très important, tandis que celui du nitrure de gallium, utilisé dans les petites têtes de charge, semble bien plus restreint. Selon les données publiées par Yole, le marché du carbure de silicium devrait atteindre 2.5 milliards de dollars en 2025, contre 1 milliard de dollars pour celui du nitrure de gallium en 2026. De prime abord, la valeur totale de la production de carbure de silicium est effectivement plusieurs fois supérieure à celle du nitrure de gallium.    Cependant, la valeur ajoutée potentielle du carbure de silicium et du nitrure de gallium à base de silicium est en réalité équivalente pour la plupart des entreprises nationales :   Il faut notamment prendre en compte la valeur ajoutée du substrat. La structure des coûts étant différente, la valeur ajoutée des entreprises de carbure de silicium qui ne disposent pas de substrats sera considérablement réduite.Le coût du substrat en carbure de silicium représente environ 50 %, celui de la plaquette épitaxiale environ 20 %, et celui de la fabrication, du conditionnement et des tests du dispositif 30 %. Le coût du substrat en nitrure de gallium est quasiment négligeable, l'épitaxie représente 50 %, et la part restante dans la valeur du dispositif est plus importante.    La seconde consiste à prendre en compte la valeur ajoutée des spécifications du véhicule. Les exigences du marché diffèrent. Le carbure de silicium est axé sur les spécifications automobiles, tandis que le nitrure de gallium est axé sur la consommation.D'après les données publiées par Yole, la demande du marché des véhicules électriques devrait représenter environ 61 % en 2025. Toujours selon Yole, le nitrure de gallium de qualité grand public représente environ 70 % de la demande du marché. À l'heure actuelle, les fabricants chinois de carbure de silicium ont encore un long chemin à parcourir avant de parvenir à des applications à grande échelle dans le secteur automobile.  La troisième consiste à considérer la valeur de sortie du MOS. Les entreprises nationales de carbure de silicium sont actuellement principalement concentrées sur le marché des diodes Schottky (SBD), et les diodes MOS sont encore rarement livrées.Selon les données publiées par Yole, la valeur de la production de transistors MOS représentera plus de la moitié du marché après 2022. Le marché étant principalement tiré par les véhicules électriques, la part des transistors MOS continuera de croître. Cependant, en raison des problèmes de fiabilité et de procédés de fabrication des transistors MOS en carbure de silicium, les fabricants nationaux hésitent encore à en assurer une promotion et une application à grande échelle. En résumé, si l'on exclut la valeur de la production liée aux matériaux de substrat, au marché automobile et aux transistors MOS non automobiles, le potentiel de production des entreprises chinoises spécialisées dans le carbure de silicium est en réalité comparable à celui du nitrure de gallium à base de silicium. Compte tenu des taux de croissance respectifs de 30 % et 70 % pour le nitrure de gallium et le carbure de silicium, le nitrure de gallium à base de silicium représente une voie prometteuse en termes de croissance industrielle. Muscle Man Silicon Carbide et Flash Gallium Nitride ciblent respectivement les marchés industriel et grand public. Les différences en matière d'exigences de qualité, de prix et de cycles de commercialisation ne seront pas abordées ici en détail.Mais globalement, l'élasticité du marché du nitrure de gallium, qui se concentre sur les applications grand public, sera plus élevée.De plus, comme le stade de développement de la poudre de carbure de silicium est relativement mature, il n'existe en Chine que quelques entreprises de haute qualité relativement reconnues dans les domaines des substrats, de l'épitaxie, de la fabrication de dispositifs ou de l'IDM, ce qui réduit considérablement les opportunités pour les entrepreneurs.  
  2. Opportunités et avantages des entreprises nationales de nitrure de gallium
  (1) « Forte croissance + forte concentration » offre des opportunités aux nouveaux acteursD'après les données publiées par Yole, le marché des dispositifs de puissance au nitrure de gallium (GaN) représentait seulement 46 millions de dollars américains en 2020 et devrait atteindre 1.1 milliard de dollars américains en 2026. Ce marché devrait connaître une croissance annuelle de 70 % entre 2020 et 2026, soit une multiplication par 23 en six ans. Cette forte croissance soulève la question de la stabilité de la chaîne d'approvisionnement. Actuellement, Navitas et Pi, les deux principaux fabricants mondiaux de dispositifs de puissance, détiennent plus de 70 % des parts de marché. Les fabricants de marques nationales utilisent principalement les solutions de charge au GaN de l'un de ces deux fabricants.  A court terme,La chaîne d'approvisionnement en amont est très concentrée, et il existe une forte exigence de la part des grands clients du secteur de l'énergie de diversifier les risques liés à la chaîne d'approvisionnement ;À long terme,Comparativement à la part de marché actuelle de 65 % du MOS CR5 à base de silicium, la concentration actuelle du marché du nitrure de gallium est excessive et tend à se rapprocher progressivement de la structure du marché du silicium. Ce n'est probablement qu'une question de temps.    (2) Le niveau global actuel de production nationale de nitrure de gallium à base de silicium en Chine est plus avantageux que celui des produits à base de silicium.En 2019, China Resources Micro et Silan Micro, les plus grandes entreprises chinoises spécialisées dans les transistors MOS et IGBT, représentaient respectivement 3 % et 2 % du marché mondial. Les livraisons actuelles de tubes en nitrure de gallium d'Innosec devraient les placer en troisième position. Bien que plusieurs jeunes entreprises chinoises du secteur du nitrure de gallium aient livré des volumes moindres, leurs ressources technologiques et industrielles globales leur confèrent une position solide à l'échelle mondiale. Les leaders traditionnels du secteur de l'énergie, tels qu'Infineon et les produits en nitrure de gallium sur silicium de Ti, peinent encore à progresser. Dans l'industrie chinoise du nitrure de gallium sur silicium, malgré l'absence de leader incontesté, la position actuelle des entreprises chinoises à l'échelle mondiale et le vivier de talents chinois dans ce domaine témoignent d'une progression globale nettement supérieure à celle du silicium.  En résumé, face à un marché en pleine expansion, les entreprises nationales ont la force et le talent nécessaires pour en capter une part importante.       02       Chaîne d’approvisionnement « concentrée et fermée », valeur et risque
          La chaîne d'approvisionnement actuelle est « concentrée et fermée », ce qui fait que le marché est piloté par un petit nombre de fournisseurs.
  Concentration des chaînes d'approvisionnement existantes.Contrairement aux produits à base de silicium, les matériaux et les chaînes de production sont très matures, et la chaîne d'approvisionnement en nitrure de gallium dispose actuellement d'une capacité de production très limitée ayant passé la validation par lots. Les fonderies étrangères sont principalement TSMC, Fujitsu et X-Feb. En Chine, Sanan Integration est le principal acteur, et d'autres fonderies sont en cours d'élaboration. Globalement, les ressources de la chaîne d'approvisionnement nationale sont très limitées.  La chaîne d'approvisionnement existante est fermée.Actuellement, la principale capacité de production mondiale de la fonderie de nitrure de gallium est concentrée au service d'une seule entreprise, et les sociétés de conception ainsi que l'ensemble de la chaîne industrielle entretiennent des liens étroits. Navitas, premier fabricant mondial de dispositifs en nitrure de gallium à base de silicium en termes de volumes livrés, occupe la quasi-totalité de la capacité de production de TSMC, rendant difficile l'accès à cette capacité pour les autres clients. Cette concentration et ce verrouillage de la chaîne d'approvisionnement existante ont engendré une très forte concentration du marché. Navitas, Pi et Innosec sont les trois entreprises qui contrôlent l'offre de capacités de production essentielles et qui orientent le marché. Les clients de marques d'alimentations électriques disposent de peu d'alternatives.  
  Les chaînes d'approvisionnement devraient rester concentrées et fermées.   concentration continueLe nitrure de gallium est un produit technologique récent, et son développement, sous tous ses aspects, est encore à un stade relativement précoce. Les clients finaux et les sociétés de conception restent prudents quant à la chaîne d'approvisionnement en amont. La fiabilité de cette technologie éprouvée étant avérée, une fois la chaîne industrielle complète validée et mature, les sociétés de conception et les clients du secteur de l'alimentation électrique accéléreront leur intégration à cette chaîne. En tant que technologie émergente, l'écosystème dans son ensemble est encore rudimentaire.Il existe un manque de fournisseurs tiers matures de plaquettes épitaxiales, et les talents en matière d'épitaxie et de traitement du nitrure de gallium sont très rares, ce qui rend très difficile pour les entreprises d'ouvrir la capacité de production de « l'épitaxie + la fabrication ».De plus, la maturité d'une nouvelle chaîne d'approvisionnement doit être stabilisée par les expéditions, et le taux de rendement doit augmenter, ce qui prend du temps.  D'où proviennent les plaquettes épitaxiales ?À l'heure actuelle, l'« épitaxie + fabrication » est profondément intégrée, et plusieurs fonderies qui expédient par lots disposent de capacités de production d'épitaxie indépendantes.Par conséquent, il n'existe actuellement sur le marché aucun fournisseur tiers indépendant de plaquettes épitaxiales ayant expédié de grandes quantités de plaquettes épitaxiales.Par conséquent, lorsqu'il s'agit de déterminer s'il s'agit de la fonderie de nitrure de gallium actuellement en développement ou de l'IDM à construire, la première question à laquelle il faut répondre concerne la voie de résolution et le temps de vérification de l'épitaxie.  Où sont passés les talents en matière d'artisanat ?Le procédé de fabrication du nitrure de gallium sur silicium exige une parfaite maîtrise des limitations inhérentes à ce matériau. Cette maîtrise repose sur une longue période d'expérimentation, ce qui explique la pénurie mondiale de personnel qualifié possédant cette expertise. Actuellement, certains fabricants de systèmes électriques, initialement spécialisés dans le silicium, développent des activités liées au nitrure de gallium. La question cruciale est de savoir où se trouvent les spécialistes compétents dans ce domaine.  Itérer après vérification sur site,L'expérience de TSMC en matière de R&D montre que son processus global de R&D, tant pour l'épitaxie que pour les procédés de fabrication, est jalonné de problèmes rencontrés lors des applications produits. Ces problèmes incitent à des itérations de R&D répétées et contribuent à la stabilité de l'ensemble de la chaîne d'approvisionnement. Par conséquent, faute de données de vérification suffisantes sur site, que ce soit pour l'épitaxie ou les procédés, le processus est encore loin d'être abouti. De plus, les problèmes de rendement liés à la production de masse doivent être résolus. TSMC, entreprise possédant les plus fortes capacités d'ingénierie des procédés, a mis cinq à six ans pour passer de la recherche sur le nitrure de gallium à une production de masse stable. Bien que les fondements de la recherche et du développement de l'ensemble du secteur aient progressé par rapport à la période précédente, il reste très difficile de franchir les étapes en amont, notamment en ce qui concerne les matériaux et la fabrication.Lorsque nous examinons l'épitaxie et les processus « matures », nous devons être émerveillés et mettre en place un cycle de vérification.   fermeture prolongéeÉtant donné que le nitrure de gallium à base de silicium est un domaine émergent de la fonderie de semi-conducteurs, de TSMC à Sanan Integration en Chine, sa capacité de production de nitrure de gallium vient tout juste de démarrer. Par conséquent, dès qu'une société de conception se lance, elle occupe la majeure partie de la capacité de production de l'entreprise, et l'impact de la capacité de production sur les commandes aura un fort effet de résonance :L'entreprise de conception a un volume d'expédition important → une forte demande en capacité de production → un excellent soutien de la fonderie → la chaîne d'approvisionnement est garantie → la chaîne d'approvisionnement est plus stable → la demande de commandes clients est plus importante → l'entreprise de conception a un volume d'expédition important → une forte demande en capacité de production  
  réflexion sur l'investissement, Pour une entreprise spécialisée dans le nitrure de gallium à base de silicium, une chaîne d'approvisionnement en amont stable et à long terme est essentielle.   Investir dans Fabless, qui propose les livraisons les plus rapides, implique une concentration des ressources à un rythme accéléré, et un risque de retard très élevé.pour diverses raisons,Actuellement, les entreprises chinoises de fabrication sans usine de semi-conducteurs (Fabless) dépendent principalement des fonderies nationales. Or, les technologies d'épitaxie de ces fonderies sont encore en phase de maturation, et leur capacité de production globale reste faible. Le volume de livraisons des entreprises chinoises de GaN sur silicium sans usine de semi-conducteurs demeure modeste, et aucune entreprise n'exerce d'influence significative sur la capacité de production des fonderies. Par conséquent, dès qu'une entreprise Fabless parvient à obtenir des commandes importantes, elle peut acquérir un avantage concurrentiel considérable en s'assurant une capacité de production suffisante. Les entreprises Fabless plus lentes s'exposent à un risque important, faute de pouvoir développer leur capacité de production.    La clé d'un investissement réussi dans un fabricant de matériaux intégrés (IDM) possédant une solide expérience en matière de technologie « épitaxie + fabrication » réside dans la faisabilité du projet. Si tel est le cas, il s'agira d'une ressource rare à l'échelle mondiale.Il est actuellement très difficile pour IDM de mener à bien l'épitaxie et la fabrication du nitrure de gallium tout en respectant les exigences de rendement et de fiabilité, ce qui est impressionnant. Mais une fois ce processus maîtrisé, l'avantage concurrentiel qu'elle peut en retirer est considérable.        03       La voie technique dépend de la technologie, mais aussi de l'écologie.
Les transistors au nitrure de gallium conduisent l'électricité grâce à un gaz d'électrons bidimensionnel formé par l'effet piézoélectrique à l'interface de deux matériaux de bandes interdites différentes (généralement AlGaN et GaN). Ce gaz d'électrons bidimensionnel ne conduisant l'électricité qu'en présence d'une forte concentration d'électrons, le problème de récupération inverse de la diode du corps des MOSFET en silicium est inexistant. Ainsi, en l'absence de tension appliquée entre la grille et la source, le drain et les composants du transistor au nitrure de gallium sont conducteurs ; il s'agit alors d'un transistor normalement conducteur. Pour pallier ce problème, deux solutions sont généralement utilisées : la première consiste à utiliser une structure en cascade (cascode) pour obtenir la commande de blocage en connectant plusieurs MOS en série ; la seconde consiste à utiliser une structure à mode d'enrichissement monotube (P-GaN), c'est-à-dire à ajouter une couche épitaxiale de nitrure de gallium de type P à la grille pour obtenir la commande de blocage. Ces deux approches techniques présentent chacune leurs avantages et leurs inconvénients respectifs, et il est difficile de les comparer directement. Le principal inconvénient de la structure à tube unique est la fiabilité relativement faible de la grille et la faible tension de tenue. Le principal inconvénient de la structure en cascade est le problème d'interférences électromagnétiques causé par l'inductance parasite.  la fiabilité.Les grilles, réalisées selon différentes techniques, présentent des marges de résistance aux chocs différentes. Les tensions de commande des grilles P-GaN et Cascode sont généralement d'environ 7 V et 18 V, respectivement, et leurs tensions de seuil d'environ 6 V et 8 V. Le principal problème réside dans la faible marge de résistance aux chocs des grilles P-GaN, qui n'est que de 1 à 2 V, ce qui représente un défi majeur pour la fiabilité. D'un point de vue structurel, la fiabilité des transistors Cascode est nettement supérieure à celle des transistors P-GaN, et ils sont plus adaptés aux applications industrielles.  Résistant à la pression.Tension de tenue des composants. La structure cascode présente une tension de tenue relativement plus élevée grâce à la division de tension des tubes de silicium. Actuellement, la tension de tenue des composants P-GaN reste inférieure à 650 V. La structure cascode peut atteindre 1 200 V, répondant ainsi à de nombreuses exigences de tension industrielles.  Interférences électromagnétiques.La structure cascode nécessite l'étanchéité entre le tube de silicium et le dispositif en nitrure de gallium, ce qui induit une inductance parasite importante. À haute fréquence, l'interférence électromagnétique (EMI) augmente. Par ailleurs, du point de vue du procédé de fabrication, la structure cascode requiert une seule épitaxie, contre deux pour la structure P-GaN. La complexité globale du procédé est donc inférieure pour la structure cascode. Côté pilotage, le pilotage d'une structure cascode est identique à celui d'un MOSFET en silicium classique ; la protection de grille est moins critique et les exigences sont relativement moindres. En termes de coûts, la structure cascode n'utilise qu'une seule épitaxie, ce qui réduit le coût des plaquettes, mais augmente le coût global de l'encapsulation. Au final, compte tenu des volumes importants de production actuels de la structure P-GaN, le coût global reste plus avantageux.  Tableau 1 Comparaison des avantages et des inconvénients de la structure du dispositif GaN  

type	cascade	Améliorent
fiabilité	excellente	moins
Inductance parasite		insensible
Résistant à la pression	excellente	moins
power	excellente	moins
Difficulté du processus	Plus difficile	Catastrophe
Difficultés de conduite	facile	Catastrophe

        D'un point de vue technique, la principale différence entre les deux réside dans le fait que la structure en cascade résout temporairement les problèmes d'application à l'échelle industrielle.Grâce à ses caractéristiques de fiabilité et de résistance à la tension plus avantageuses, la structure en cascade a permis à Transphorm, entreprise représentative de cette architecture, de publier fin 2018 des données particulièrement favorables sur le taux de défaillance de ses dispositifs haute tension. Actuellement, la structure en cascade présente davantage d'avantages sur le marché industriel. La structure à tube unique en mode d'enrichissement contribue à améliorer la fiabilité des dispositifs à structure P-GaN grâce à des solutions de commande et d'alimentation plus précises, ainsi que la tension de tenue grâce à des technologies de substrat telles que le QST. Toutefois, la maturation complète de cette technologie prendra du temps.            Cependant, dans le développement des filières technologiques industrielles, outre la technologie elle-même, l'écologie du secteur joue souvent un rôle très important.Globalement, étant donné que les chaînes de production des structures en cascade Pi et Transphorm sont relativement fermées, l'écosystème industriel de la structure monotube améliorée, plus ouverte, est en plein essor. Actuellement, plusieurs fonderies fournissant des services OEM, tant en Chine qu'à l'étranger, adoptent la voie de l'amélioration monotube. La plupart des fabricants de circuits intégrés de gestion de l'alimentation en aval se concentrent également sur les solutions monotube améliorées. L'ensemble de l'écosystème est relativement unifié autour de cette technologie. On s'attend à ce que l'itération technologique et l'optimisation des coûts de la chaîne de production monotube améliorée continuent de se renforcer, et qu'elle devienne la technologie dominante à court et moyen terme.      04       Solutions applicatives, ressources en R&D et opportunités
         
Le nitrure de gallium est une technologie émergente. Actuellement, la conception et l'application de solutions complètes restent principalement le fait des fabricants de dispositifs en nitrure de gallium. Plusieurs fabricants de circuits intégrés de gestion de l'alimentation ont progressivement émergé pour proposer des solutions dont le cœur est constitué de puces de commande et de pilotage.  Tableau 2 Principaux types de composants GaN  

category		Entreprise représentative	structure
GaN dominant	GaN	Innosec	GaN
		Systèmes Gan	GaN
	Commande du pilote GaN+	Pi	Boîtier GaN à commande contrôlée
		Navitas	Pilotage d'une seule puce GaN
Les conducteurs de gestion de l'énergie	Conduite et contrôle	NXP	Contrôle de la LLC
		ON Semiconductor	Entraînement direct et contrôle LLC
	Commande du pilote GaN+	Dongke	Utilisation du GaN pour contrôler l'encapsulation
		biyiwei	Pilote + GaN

Les entreprises spécialisées dans les dispositifs au nitrure de gallium et celles spécialisées dans la gestion de l'énergie présentent des avantages différents. Les principaux atouts des entreprises de dispositifs au nitrure de gallium : maîtrise des ressources rares de la chaîne d'approvisionnement ; meilleure compréhension des dispositifs au nitrure de gallium ; avantage de pionnier dans le lancement de solutions pertinentes. Les principaux atouts des entreprises de puces de gestion de l'énergie : compétences en conception de circuits intégrés de commande et de pilotage ; expérience en conception de solutions d'alimentation ; compétences en technologies de scellement AC/DC et ressources de la chaîne d'approvisionnement en boîtiers ; accès aux circuits de distribution d'alimentations d'origine.
Pour obtenir une solution idéale de nitrure de gallium, les entreprises spécialisées dans le nitrure de gallium à base de silicium doivent non seulement fabriquer de bons dispositifs de puissance, mais aussi maîtriser les technologies de circuits intégrés de commande et de pilotage ainsi que les solutions d'alimentation électrique.Nitrure de gallium sur siliciumC'est une entreprise de production et de distribution d'électricité, et c'était également une entreprise de fourniture d'électricité à ses débuts.Comparativement aux solutions à base de silicium, la solution au nitrure de gallium doit résoudre des problèmes tels que la tension de tenue de grille des dispositifs en nitrure de gallium, la fiabilité liée aux hautes fréquences et les problèmes d'interférences électromagnétiques (EMI). De plus, elle doit exploiter pleinement les avantages et tirer pleinement parti des caractéristiques de haute efficacité et de petite taille du nitrure de gallium dans les structures topologiques traditionnelles. Par conséquent, la solution globale requiert : 1. Une compréhension approfondie des caractéristiques des dispositifs en nitrure de gallium ; 2. De solides capacités d'optimisation de la conception au niveau de la solution. Ces deux aspects doivent être parfaitement compatibles et faire l'objet d'une coopération et d'une itération conjointes au niveau de la R&D afin de parvenir à une solution d'alimentation performante.Grâce à une collaboration étroite dans la recherche et le développement de dispositifs en nitrure de gallium, de circuits de commande et de circuits de contrôle, nous pouvons fournir une solution performante.Nous constatons que Pi et Navitas s'attachent à résoudre les problèmes susmentionnés en interne, tandis que les entreprises chinoises spécialisées dans les dispositifs au nitrure de gallium sur silicium développent également leur propre écosystème de R&D, ainsi que celui des entreprises de circuits intégrés de gestion de l'énergie. Il convient d'examiner comment les entreprises chinoises de GaN sur silicium peuvent collaborer en matière de R&D sur les dispositifs et circuits intégrés de puissance, et si elles disposent d'équipes performantes dédiées aux solutions d'alimentation, d'une expertise technique solide et de partenaires de R&D spécialisés. Par ailleurs, les solutions dominantes actuelles, proposées par Pi, Navitas et Innosec, présentent un niveau d'intégration des puces en baisse. Pi utilise un contrôleur, un pilote et un boîtier pour dispositif GaN, Navitas intègre le pilote et le dispositif au nitrure de gallium sur une seule puce, et Innosec utilise un tube unique en nitrure de gallium, ce qui donne lieu à trois solutions distinctes. Actuellement, les solutions des principaux fabricants d'alimentations se concentrent sur ces trois types. De ce fait, l'adoption de solutions dominantes reste relativement peu contestée. Les solutions différenciées nécessitent des systèmes développés en interne.      05       Digressions et conclusions

Il existe actuellement plusieurs points de vue, notamment les suivants : premièrement, la filière du nitrure de gallium n'est pas rentable ; deuxièmement, le seuil technologique pour le nitrure de gallium est bas et de nombreuses capacités de production nationales sont en construction. Sur le plan économique, lorsque la valeur globale de la production augmente, le taux de rendement et le taux d'utilisation des capacités de chaque entreprise peuvent atteindre un niveau plus élevé. Dans un marché imparfaitement concurrentiel, cette filière est susceptible d'être plus rentable que la production d'énergie à base de silicium à court et moyen terme. Concernant les capacités de production, de nombreux projets de production de nitrure de gallium à base de silicium ont été annoncés dans les médias. Si cela vous intéresse, vous pouvez les examiner un par un. Combien de capacités de production sont actuellement opérationnelles ? Vous pouvez également évaluer le nombre de capacités de production qui devraient être opérationnelles dans les deux à trois prochaines années. Je n'entrerai pas dans les détails ici.  Le GaN sur silicium est un domaine émergent. Il est actuellement très difficile de développer cette technologie, des dispositifs aux solutions, et d'établir une chaîne d'approvisionnement en amont stable et économique. Les entreprises et les équipes capables de réaliser ces développements sont également très rares.  

Pourvu qu'elle parvienne à résoudre efficacement les problèmes susmentionnés, cette entreprise sera l'une des rares sociétés spécialisées dans le nitrure de gallium à base de silicium à ne pas être limitée par des modèles commerciaux, des antécédents d'entreprise, des tailles de plaquettes et des voies techniques pour l'épitaxie et les dispositifs.

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