01

Инвестиционная ценность отечественных дорожек из нитрида галлия
          1. Инвестиционная ценность треков из нитрида галлия.Свойства полупроводников третьего поколения постепенно вытеснят часть рынка силовых устройств на основе кремния. Это постоянно подтверждается рыночными приложениями и в основном стало общепринятым мнением. По сравнению с карбидом кремния, основными недостатками нитрида галлия на основе кремния являются низкое номинальное напряжение и отсутствие данных о надежности. Кроме того, из-за низкой общей выходной мощности нитрида галлия на основе кремния еще не сформировались масштабные эффекты, что приводит к отсутствию ценового преимущества по сравнению с карбидом кремния. Однако производители нитрида галлия на основе кремния в настоящее время продвигают развитие продукции в направлении высокого выдерживаемого напряжения (в настоящее время продукция выдерживает 1200 В) и высокой надежности (в настоящее время имеются идеальные данные о надежности для высоковольтных устройств) за счет эпитаксии, структуры устройств и схем управления. Более того, продажная цена устройств на основе нитрида галлия приблизилась к цене кремниевых МОП-транзисторов, а характеристики, качество и стоимость продукции продолжают приближаться к оптимальному уровню. Кроме того, по сравнению с карбидом кремния,Сам по себе материал на основе нитрида галлия на основе кремния может обеспечить более высокую энергоэффективность и более низкую стоимость. В диапазоне напряжений от 600 до 1200 В нитрид галлия на основе кремния станет очень конкурентоспособным направлением развития технологий.Кроме того, благодаря непрерывному применению карбида кремния в автомобильной и фотоэлектрической отраслях, в стране и за рубежом осуществляются инвестиции на миллиарды, а то и десятки миллиардов долларов. Интуитивно понятно, что объем рынка карбида кремния очень велик, в то время как объем рынка нитрида галлия, используемого в небольших зарядных устройствах, кажется гораздо меньше. Согласно данным Yole, объем рынка карбида кремния в 2025 году составит 2.5 миллиарда долларов США, а объем рынка нитрида галлия, по прогнозам, достигнет 1 миллиарда долларов США в 2026 году. На первый взгляд, общая стоимость производства карбида кремния действительно в несколько раз превышает стоимость производства нитрида галлия.    Однако для большинства отечественных предприятий альтернативная стоимость продукции из карбида кремния и нитрида галлия на основе кремния фактически эквивалентна:   Один из способов — рассмотреть выходную стоимость подложки. Структура затрат отличается, и выходная стоимость продукции компаний, занимающихся производством карбида кремния, без связей с производством подложек будет значительно снижена.Стоимость подложки из карбида кремния составляет около 50%, стоимость эпитаксиальной пластины — около 20%, а стоимость изготовления, упаковки и тестирования устройства — 30%. Стоимость подложки из нитрида галлия практически не учитывается, стоимость эпитаксии составляет 50%, а оставшаяся доля выходной мощности устройства выше.    Второй аспект — это учет ценности выпускаемой продукции и технических характеристик автомобиля. Рыночные требования различаются. Карбид кремния ориентирован на автомобильные характеристики, а нитрид галлия — на потребительский спрос.Согласно данным компании Yole, ожидается, что в 2025 году спрос на электромобили составит приблизительно 61%. По данным Yole, на потребительский сегмент приходится около 70% рыночного спроса на нитрид галлия. В настоящее время отечественным производителям карбида кремния еще предстоит пройти долгий путь до достижения крупномасштабного применения на автомобильном рынке.  Третий шаг — рассмотреть выходное значение МОП-транзистора. В настоящее время отечественные компании, занимающиеся производством карбида кремния, в основном сосредоточены на рынке SBD, а поставки MOS-транзисторов по-прежнему осуществляются редко.Согласно данным, опубликованным компанией Yole, после 2022 года более половины выручки от производства МОП-транзисторов составит более половины рынка. Поскольку в дальнейшем рынок будет в основном ориентирован на электромобили, доля МОП-транзисторов продолжит расти. Однако из-за проблем с надежностью и технологическим процессом производства самих МОП-транзисторов из карбида кремния отечественным производителям по-прежнему сложно уверенно и смело осуществлять их масштабное продвижение и применение. В целом, если исключить из анализа выручку от производства подложек, автомобильного рынка и неавтомобильных МОП-транзисторов, потенциальная выручка от их производства фактически не сильно отличается от выручки от производства нитрида галлия на основе кремния. Учитывая темпы роста рынка нитрида галлия и карбида кремния на уровне 30% и 70%, нитрид галлия на основе кремния представляет собой перспективное направление с точки зрения масштабов производства. Компании Muscle Man Silicon Carbide и Flash Gallium Nitride ориентируются соответственно на промышленный и потребительский рынки (в целом). Различия в требованиях к качеству, рыночном ценообразовании и циклах выхода на рынок здесь подробно обсуждаться не будут.Однако в целом рыночная эластичность нитрида галлия, ориентированного на потребительский сегмент, будет выше.Кроме того, поскольку разработка силовых элементов на основе карбида кремния находится на относительно зрелой стадии, в Китае существует в основном несколько относительно известных высококачественных компаний, занимающихся производством подложек, эпитаксией, изготовлением устройств или интегрированными технологическими решениями, что сужает возможности для предпринимателей.  
  2. Возможности и преимущества отечественных компаний по производству нитрида галлия
  (1) «Высокий рост + высокая концентрация» открывает возможности для новых игроков.Согласно данным компании Yole, общий объем рынка в 2020 году составлял всего 46 миллионов долларов США, и ожидается, что к 2026 году он вырастет до 1.1 миллиарда долларов США. Рынок силовых устройств на основе нитрида галлия (GaN) будет демонстрировать темпы роста в 70% в период с 2020 по 2026 год, что в 23 раза больше, чем за 6 лет. Такие высокие темпы роста отрасли напрямую приводят к проблеме обеспечения стабильности цепочки поставок устройств на основе нитрида галлия. В настоящее время Navitas и Pi, два крупнейших мировых производителя, занимающих более 70% мирового рынка, используют решения для зарядки на основе нитрида галлия, разработанные одной из этих компаний.  В краткосрочной перспективе,Цепочка поставок на начальном этапе сильно сконцентрирована, и существует жесткая концентрация требований со стороны крупных производителей источников питания к диверсификации рисков в цепочке поставок;В долгосрочной перспективе,По сравнению с нынешней 65% долей рынка кремниевых МОП-транзисторов CR5, текущая концентрация рынка нитрида галлия слишком высока и постепенно приближается к структуре рынка кремниевых транзисторов. Скорее всего, это лишь вопрос времени.    (2) Текущий общий уровень производства нитрида галлия на основе кремния в Китае более выгоден, чем на основе кремния.В 2019 году на долю China Resources Micro и Silan Micro, крупнейших отечественных компаний, занимающихся производством MOS- и IGBT-транзисторов, приходилось 3% и 2% мирового рынка соответственно. Текущие поставки нитрида галлия от Innosec должны были бы занять третье место. Хотя несколько отечественных стартапов, работающих с нитридом галлия, демонстрируют меньшие объемы поставок, их общие технологические и промышленные ресурсы также занимают прочные позиции в мире. Традиционные лидеры в области энергетики, такие как Infineon и Ti, все еще испытывают трудности с продвижением. В отечественной индустрии нитрида галлия на кремниевой подложке, хотя и нет явных лидеров, мы, глядя на текущее глобальное положение отечественных компаний и основной кадровый резерв китайских специалистов в области нитрида галлия, видим, что их общий прогресс действительно намного лучше, чем в кремниевой отрасли.  В заключение можно сказать, что в условиях быстрого роста рынка отечественные предприятия обладают силой и талантом, чтобы отвоевать значительную его часть.       02       «Концентрированная + закрытая» цепочка поставок, ценность и риски
          Существующая цепочка поставок является "концентрированной и закрытой", что приводит к тому, что рынок определяется небольшим числом поставщиков.
  Концентрация существующих цепочек поставок.В отличие от кремниевых изделий, производственные и технологические цепочки в сфере нитрида галлия очень развиты, и в настоящее время производственные мощности, прошедшие проверку качества партий, весьма ограничены. К зарубежным литейным предприятиям относятся в основном TSMC, Fujitsu и X-Feb. На внутреннем рынке основным поставщиком является Sanan Integration, а также ведутся переговоры с другими литейными компаниями. В целом, ресурсы отечественной цепочки поставок весьма ограничены.  Существующая цепочка поставок закрыта.В настоящее время основные производственные мощности глобального завода по производству нитрида галлия обслуживают только одну компанию, и между проектными компаниями и производственной цепочкой существует тесная взаимосвязь. Будучи крупнейшим в мире производителем кремниевых устройств на основе нитрида галлия по объему поставок, компания Navitas в настоящее время занимает почти все производственные мощности TSMC по выпуску нитрида галлия, что затрудняет доступ к производственным мощностям для других клиентов. «Концентрация + закрытие» существующей цепочки поставок привели к очень высокой степени концентрации на рынке. Navitas, Pi и Innosec — три компании, контролирующие поставку основных производственных мощностей и определяющие рынок. Клиентам, приобретающим блоки питания известных брендов, сложно иметь другой выбор.  
  Ожидается, что цепочки поставок останутся концентрированными и замкнутыми.   непрерывная концентрацияНитрид галлия — это новый технологический продукт, и все аспекты его разработки находятся на относительно ранней стадии. Как конечные потребители, так и проектные компании довольно осторожно относятся к цепочке поставок. Поскольку проверенная технология надежна, как только будет проверена и отлажена вся отраслевая цепочка, проектные компании и заказчики источников питания ускорят свое участие в ней. Как развивающаяся технология, вся экосистема относительно примитивна.Существует нехватка опытных сторонних поставщиков эпитаксиальных пластин, а специалисты по эпитаксии нитрида галлия и соответствующему технологическому процессу крайне редки, что значительно затрудняет компаниям открытие производственных мощностей по схеме «эпитаксиальное производство + изготовление».Кроме того, необходимо стабилизировать зрелость новой цепочки поставок за счет отгрузок, а также повысить коэффициент выхода продукции, на что требуется время.  Откуда берутся эпитаксиальные пластины?В настоящее время технология "эпитаксия + производство" глубоко интегрирована, и несколько литейных заводов, осуществляющих серийные поставки, обладают независимыми производственными мощностями по эпитаксии.Таким образом, в настоящее время на рынке нет независимого стороннего поставщика эпитаксиальных пластин, который бы осуществлял поставки в больших объемах.Поэтому, рассматривая вопрос о том, идет ли речь о разрабатываемом в настоящее время литейном производстве нитрида галлия или о строящемся интегрированном производстве микросхем, первый вопрос, на который необходимо ответить, — это путь решения и время проверки процесса эпитаксии.  Где же таланты, способные к мастерству?Процесс нанесения нитрида галлия на кремний требует полного понимания недостатков самого материала нитрида галлия. Это понимание основано на длительном периоде проб и ошибок, что привело к нехватке квалифицированных специалистов в этой области по всему миру. В настоящее время некоторые производители силовых установок с опытом работы с кремнием развивают направления бизнеса по производству изделий из нитрида галлия. Ключевым моментом является наличие квалифицированных специалистов с опытом работы в области нитрида галлия.  Повторите процедуру после проверки на месте.Судя по опыту НИОКР TSMC, весь процесс исследований и разработок, как в области эпитаксии, так и в технологическом процессе, сопровождается выявлением проблем в процессе применения продукции, что приводит к многократным итерациям НИОКР и обеспечивает стабильность всей цепочки поставок. Поэтому, без достаточных данных по проверке на месте, как в области эпитаксии, так и в технологическом процессе, компания еще далека от зрелости. Кроме того, необходимо решить проблему выхода годной продукции, вызванную массовым производством. Будучи компанией с сильнейшими возможностями в области технологического проектирования, TSMC потребовалось пять-шесть лет от исследований нитрида галлия до стабильного массового производства. Даже несмотря на то, что нынешняя научно-исследовательская база отрасли в целом достигла большего прогресса, чем в предыдущий период, по-прежнему очень сложно преодолеть звенья цепочки поставок материалов и производства.При изучении «зрелой» эпитаксии и связанных с ней процессов необходимо проявлять благоговение и проводить цикл проверки.   продолжение закрытияПоскольку нитрид галлия на основе кремния является развивающейся областью полупроводникового производства, от TSMC до отечественной компании Sanan Integration, их производственные мощности по выпуску нитрида галлия только начинают развиваться, поэтому, как только какая-либо проектная компания начнет его производство, он займет большую часть производственных мощностей компании, и влияние производственных мощностей на заказы будет иметь сильный резонансный эффект.Дизайнерская компания имеет большой объем отгрузок → большой спрос на производственные мощности → отличная поддержка литейного производства → гарантированная цепочка поставок → более стабильная цепочка поставок → больший спрос на заказы клиентов → дизайнерская компания имеет большой объем отгрузок → большой спрос на производственные мощности······  
  инвестиционное мышление, Для компании, занимающейся производством нитрида галлия на основе кремния, ключевое значение имеет долгосрочная и стабильная цепочка поставок.   Если вы инвестируете в Fabless, которая обеспечивает самые быстрые поставки, ресурсы будут сконцентрированы в ускоренном темпе, и риск замедления работы будет очень высок.по разным причинам,В настоящее время отечественные компании, занимающиеся разработкой микросхем без собственного производства (Fabless), в основном полагаются на собственные литейные предприятия (Foundry), а технологии эпитаксии и производства на этих предприятиях все еще находятся на стадии зрелости, и их общие производственные мощности невелики. В настоящее время объемы поставок отечественных компаний, занимающихся разработкой GaN-on-Si без собственного производства, все еще невелики, и никто не может оказать существенного влияния на производственные мощности литейных предприятий. Поэтому, как только компания Fabless получает возможность выйти на рынок и получить крупные заказы, она может занять очень выгодную конкурентную позицию, закрепив за собой производственные мощности. Медленно развивающиеся компании Fabless подвергаются большому риску, поскольку не могут получить доступ к производственным мощностям.    Ключ к инвестированию в компанию-производителя интегральных схем с богатым опытом в области технологий «эпитаксии + производства» заключается в возможности их производства. Если это возможно, то это будет дефицитный ресурс в мире.В настоящее время компании IDM крайне сложно пройти через этапы эпитаксии и производства нитрида галлия, одновременно удовлетворяя требованиям к выходу годных изделий и надежности, что вызывает большой интерес. Но как только этот процесс будет завершен, преимущество первопроходца станет весьма значительным.        03       Технический путь зависит не только от технологий, но и от экологии.
Транзисторы на основе нитрида галлия проводят электричество через двумерный электронный газ, образующийся за счет пьезоэлектрического эффекта на границе раздела двух материалов с разной шириной запрещенной зоны (обычно AlGaN и GaN). Поскольку двумерный электронный газ проводит электричество только при высокой концентрации электронов, отсутствует проблема обратного восстановления диода в корпусе кремниевого MOSFET. Это означает, что при отсутствии напряжения между затвором и истоком сток и компонент транзистора на основе нитрида галлия проводят ток, то есть это нормально включенное устройство. Для решения этой проблемы в промышленности обычно используются два решения: одно — использование каскадной (Cascode) структуры для достижения управления выключением путем последовательного соединения МОП-транзисторов; другое — использование одноканальной структуры с обогащенным режимом (P-GaN), то есть добавление эпитаксиального слоя нитрида галлия P-типа к затвору для достижения управления выключением. Оба технических подхода имеют свои преимущества и недостатки при технической оценке, и их сложно сравнивать по отдельности. Основной недостаток одноканальной структуры с обогащением заключается в относительно низкой надежности затвора и низком выдерживаемом напряжении. Основной недостаток каскадной структуры — проблема электромагнитных помех, вызванная паразитной индуктивностью.  надежность.Затворы, использующие разные технические решения, имеют разные запасы ударопрочности. Уровни напряжения управления затвором в P-GaN и Cascode обычно составляют около 7 В и 18 В, а напряжения включения затвора — обычно 6 В и 8 В. Основная проблема заключается в том, что запас ударопрочности затвора в структуре P-GaN составляет всего около 1-2 В, что создает большие проблемы для надежности. С точки зрения конструкции, надежность Cascode значительно выше, чем у P-GaN, и он больше подходит для промышленного применения.  Устойчив к давлению.Напряжение, выдерживаемое устройством. Каскод имеет относительно более высокое номинальное напряжение устройства благодаря делению напряжения в кремниевых трубках. В настоящее время напряжение, выдерживаемое устройствами на основе P-GaN, все еще ниже 650 В. Каскод может достигать 1200 В, что соответствует большому числу требований к напряжению промышленного класса.  Электромагнитная интерференция.В Cascode необходимо герметично соединить кремниевую трубку и устройство на основе нитрида галлия, что приводит к большой паразитной индуктивности. При включении более высокой частоты EMI будет больше. Кроме того, с точки зрения технологического процесса, Cascode и P-GaN требуют одного и двух эпитаксиальных выращиваний соответственно. Общая сложность технологического процесса для Cascode ниже, чем для P-GaN. С точки зрения управления, управление Cascode точно такое же, как и у традиционных кремниевых MOSFET, и нет необходимости слишком сильно беспокоиться о защите затвора, а требования относительно ниже. С точки зрения стоимости, в отношении пластин, Cascode использует только одну эпитаксиальную выдержку, поэтому стоимость пластины ниже, но общая стоимость упаковки выше. В целом, благодаря большому объему поставок P-GaN, общий уровень стоимости лучше.  Таблица 1. Сравнение преимуществ и недостатков структуры GaN-устройств.  

напишите	каскад	Усилить
надежность	отлично	меньше
Паразитная индуктивность	чувствительный	нечувствительный
Устойчивый к давлению	отлично	меньше
мощностью	отлично	меньше
Сложность процесса	труднее	Катастрофа
Трудности вождения	легко	Катастрофа

        С технической точки зрения, главное различие между ними заключается в том, что каскадная структура временно решает проблемы, характерные для промышленного применения.Поскольку характеристики надежности и сопротивления напряжению каскадной структуры более выгодны, компания Transphorm, как представитель каскадной архитектуры, в конце прошлого года также опубликовала относительно идеальные данные по частоте отказов высоковольтных устройств. В настоящее время каскадная структура имеет больше преимуществ на промышленном рынке. Однотрубная структура с режимом обогащения в настоящее время повышает надежность устройств на основе P-GaN за счет более точных решений в области управления и питания, а также улучшает уровень выдерживаемого напряжения благодаря таким технологиям подложек, как QST, но для постепенного совершенствования этой технологии потребуется время.            Однако при развитии технологических маршрутов в промышленности, помимо самой технологии, очень важную роль зачастую играет экология отрасли.В целом, поскольку производственные цепочки каскадной структуры Pi и Transphorm относительно замкнуты, промышленная экосистема более открытой структуры с улучшенными однотрубными микросхемами относительно развита. В настоящее время несколько литейных предприятий, предоставляющих OEM-услуги как внутри страны, так и за рубежом, следуют технологическому маршруту с улучшенными однотрубными микросхемами. Большинство производителей микросхем управления питанием также сосредоточены на решениях с улучшенными однотрубными микросхемами. Вся экосистема относительно унифицирована на этом технологическом маршруте. В настоящее время ожидается, что итерации технологий и оптимизация затрат в производственной цепочке с улучшенными однотрубными микросхемами будут продолжать усиливаться, и в краткосрочной и среднесрочной перспективе этот технологический маршрут станет основным.      04       Решения для приложений, ресурсы для исследований и разработок и благоприятные возможности.
         
Нитрид галлия — это развивающаяся технология. В настоящее время разработка и применение комплексных решений по-прежнему определяются производителями устройств на основе нитрида галлия. Постепенно появилось множество производителей микросхем управления питанием, которые разрабатывают решения, в основе которых лежат микросхемы драйверов и управления.  Таблица 2. Основные типы игроков на рынке GaN.  

Каталог		Представительное предприятие	Структура
Доминирующий GaN	GaN	Инносек	GaN
		Ган Системы	GaN
	GaN + управление драйвером	Pi	Корпус GaN с управляемым приводом
		Navitas	Управление одним кристаллом GaN
провода управления питанием	Управление движением	NXP	контроль ООО
		ON Semiconductor	Прямой привод и управление LLC
	GaN + управление драйвером	Донгке	Управление GaN для контроля упаковки
		Бийивэй	Драйвер+GaN

Компании, специализирующиеся на нитриде галлия и на системах управления питанием, обладают различными преимуществами. Основные преимущества компаний, производящих устройства на основе нитрида галлия: освоение дефицитных ресурсов цепочки поставок устройств на основе нитрида галлия; лучшее понимание устройств на основе нитрида галлия; преимущество первопроходца в плане времени запуска соответствующих решений. Основные преимущества компаний, производящих микросхемы управления питанием: возможности проектирования микросхем управления и контроля; опыт проектирования решений для источников питания; возможности в области технологий герметизации AC/DC и ресурсы цепочки поставок для упаковки; оригинальные каналы сбыта для клиентов в сфере источников питания.
Для создания идеального решения на основе нитрида галлия компаниям, занимающимся производством кремниевых устройств на его основе, необходимо не только выпускать качественные силовые приборы, но и разрабатывать технологии управления и контроля интегральных схем, а также решения для источников питания.Нитрид галлия на кремнииЭто энергетическая компания, и на раннем этапе она также занималась поставкой электроэнергии.По сравнению с решениями на основе кремния, решение на основе нитрида галлия требует решения таких проблем, как выдерживаемое напряжение затвора устройств на основе нитрида галлия, надежность, обусловленная высокими частотами, и проблемы электромагнитных помех; во-вторых, оно должно в полной мере использовать преимущества и реализовать характеристики высокой эффективности и малых размеров нитрида галлия в традиционных топологических структурах. Поэтому для комплексного решения необходимо: 1. Полное понимание характеристик устройств на основе нитрида галлия; 2. Обладание мощными возможностями оптимизации проектирования на уровне решения. Эти два аспекта должны полностью понимать друг друга (они должны очень хорошо понимать друг друга), а также должны сотрудничать и итеративно взаимодействовать на уровне НИОКР (они должны уметь интегрировать НИОКР), чтобы разработать оптимальное решение в области электропитания.Благодаря всестороннему сотрудничеству в исследованиях и разработках устройств на основе нитрида галлия, схем управления и цепей контроля, мы можем предложить эффективное решение.Мы видим, что и Pi, и Navitas сосредоточены на решении вышеуказанных проблем внутри компании, а отечественные компании, занимающиеся производством кремниевых микросхем на основе нитрида галлия, также создают собственные научно-исследовательские экосистемы, как и компании, производящие микросхемы управления питанием. Необходимо сосредоточиться на том, как отечественные компании, работающие с GaN-on-Si, смогут наладить сотрудничество в области исследований и разработок силовых устройств и микросхем, а также на наличии у них сильных команд разработчиков решений в области питания, технического опыта и глубоких связей с партнерами по исследованиям и разработкам. Кроме того, к числу основных решений относятся Pi, Navitas и Innosec. Уровень интеграции микросхем этих трех компаний постепенно снижается. Среди них Pi использует контроллер, драйвер и микросхему на основе GaN, Navitas — интеграцию драйвера и микросхемы на основе нитрида галлия на одном кристалле, а Innosec — монокристаллическую микросхему на основе нитрида галлия, что напрямую дает три различных решения. В настоящее время решения основных производителей источников питания сосредоточены на вышеуказанных трех типах. Поэтому сопротивление внедрению основных решений относительно невелико. Для создания дифференцированных решений требуются собственные системы.      05       Отступления и выводы

В настоящее время существуют следующие мнения: во-первых, производство нитрида галлия нерентабельно; во-вторых, технологический порог для нитрида галлия низок, и в стране ведется строительство большого количества производственных мощностей. С экономической точки зрения, при увеличении общей стоимости продукции, коэффициент выхода годной продукции и коэффициент использования мощностей каждой компании могут достичь более высокого уровня. На рынке с несовершенной конкуренцией это направление, вероятно, будет более прибыльным, чем производство энергии на основе кремния, в краткосрочной и среднесрочной перспективе. Что касается производственных мощностей, в настоящее время в СМИ анонсировано множество проектов по производству нитрида галлия на основе кремния. Если вам интересно, вы можете изучить их по отдельности. Сколько фактически действующих производственных мощностей существует? Вы также можете оценить, сколько производственных мощностей, как ожидается, будет введено в эксплуатацию в ближайшие два-три года. Я не буду вдаваться в подробности.  Технология GaN на кремниевой подложке — это развивающаяся область. В настоящее время разработка технологии от устройств до готовых решений сопряжена с большими трудностями, а создание стабильной и экономически выгодной цепочки поставок на начальном этапе крайне затруднительно. Таких компаний и команд также очень мало.  

Если компания сможет успешно решить вышеуказанные проблемы, она останется редким производителем нитрида галлия на основе кремния, который не будет ограничен бизнес-моделями, корпоративным опытом, размерами пластин и техническими методами эпитаксии и производства устройств.

Предупреждение: Данная статья перепечатана из книги "Three Meters Deep". Статья отражает исключительно личное мнение автора и не представляет точку зрения компании Sacco Micro и отрасли в целом. Перепечатка и распространение осуществляются исключительно в целях защиты прав интеллектуальной собственности. Пожалуйста, указывайте первоисточник и автора при перепечатке. В случае нарушения авторских прав, пожалуйста, свяжитесь с нами для удаления публикации.

Номер телефона компании: +86-0755-83044319
Факс: +86-0755-83975897
Почта: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 Менеджер Ли

QQ: 332496225 Менеджер Цю

Адрес: Комната 809, корпус C, технологический корпус Чжаньтао, проспект Миньчжи, 1079, новый район Лунхуа, Шэньчжэнь.