באוגוסט הודיעה Samsung Electronics על ייצור המוני של ה-DRAM הדק ביותר בתעשייה שלה, 12nm LPDDR5X, התומך בקיבולת של 12GB ו-16GB. מוצר זה כולל מבנה מוערם בן ארבע שכבות, מפחית את העובי בכ-9% בהשוואה לדור הקודם ומשפר את עמידות החום בכ-21.2%. סמסונג מתכננת לפתח מודולים של 24GB עם שש שכבות ומודולים של 32GB עם שמונה שכבות לאריזת LPDDR DRAM דקה ​​במיוחד עבור מכשירים עתידיים. בנוסף, ה-LPDDR16X בנפח 5GB אושר עם פלטפורמת הדגל הסלולרית Dimensity 9400 של MediaTek.

במאי 2023, SK Hynix הצהירה על תוכניתה להרחיב את היישום של תהליך 1b המתקדם שלה עבור מוצרי LPDDR5T במחצית הראשונה של השנה. LPDDR5T, שהושק על ידי SK Hynix בינואר אשתקד, פועל בטווח המתח המינימלי שהוגדר על ידי JEDEC של 1.01 עד 1.12V, ומשיג מהירויות עיבוד נתונים של עד 77GB לשנייה.

גם ה-LPDDR5X של מיקרון החל בייצור המוני, תוך שימוש בטכנולוגיית תהליך 1β (1-בטא) עם קיבולת של 16GB ודרגות מהירות של עד 9.6Gbps, המספקים יותר מ-12% רוחב פס שיא מהדור הקודם, שהוא חיוני להפעלת AI ב- הקצה.

עם הביקוש הגובר לזיכרון בעל ביצועים גבוהים ובעל הספק נמוך בעידן הבינה המלאכותית, קצב האימוץ של ה-LPDDR5X העדכני ביותר בסמארטפונים ובמחשוב בעל ביצועים גבוהים (HPC) עולה בהתמדה.

לפי מקורות אחרונים בתעשייה בדרום קוריאה, סמסונג אלקטרוניקה מתכננת לפתח תוכנית השקעה להמרת קו הייצור שלה DRAM במפעל P2 ל-DRAM מתקדם עד סוף השנה הנוכחית. מפעל P2 מייצר בעיקר 1z DRAM, אך התפוקה שלו ירדה משמעותית. לכן, סמסונג מתכוננת להעביר את ייצור ה-P2 1z DRAM ל-1b או יותר DRAM מתקדם. בתחילת השנה הבאה, קיבולת ה-1b DRAM של סמסונג צפויה להגיע ל-100,000 וופרים בחודש.

SK Hynix גם עובדת באופן פעיל על הגדלת הייצור של 5b DRAM מהדור החמישי, עם ציפיות שהתפוקה החודשית שלה תעלה מ-1 וויפלים ברבעון הראשון של השנה שעברה ל-10,000 וויפלים עד סוף השנה הנוכחית. בנוסף, SK Hynix מתכננת להגביר עוד יותר את ייצור 1b DRAM בין 90,000 ל-1 וופרים במחצית הראשונה של השנה הבאה.
SLKOR מוצרים זמין על Digikey