سامسونگ و SK Hynix به دنبال گسترش عرضه LPDDR5X هستند

خانه اخبار اخبار صنعت سامسونگ و SK Hynix به دنبال گسترش عرضه LPDDR5X هستند

2024-09-23 1132

طبق منابع صنعتی، تولیدکنندگان حافظه مانند Samsung Electronics و SK Hynix به دنبال گسترش عرضه فرآیند پیشرفته LPDDR5X هستند، زیرا شرکت‌های بزرگ فناوری جهانی مانند اپل و NVIDIA فعالانه آن را در محصولات نسل بعدی خود ادغام می‌کنند.

در ماه آگوست، سامسونگ الکترونیکس از تولید انبوه نازک ترین DRAM 12 نانومتری LPDDR5X صنعت خود خبر داد که از ظرفیت های 12 و 16 گیگابایتی پشتیبانی می کند. این محصول دارای ساختار انباشته ای چهار لایه است که ضخامت آن را تا حدود 9 درصد نسبت به نسل قبلی کاهش می دهد و مقاومت حرارتی را تقریباً 21.2 درصد بهبود می بخشد. سامسونگ قصد دارد ماژول های 24 گیگابایتی با شش لایه و ماژول های 32 گیگابایتی با هشت لایه را برای بسته بندی LPDDR DRAM بسیار نازک برای دستگاه های آینده توسعه دهد. علاوه بر این، LPDDR16X 5 گیگابایتی با پلتفرم موبایل پرچمدار Dimensity 9400 مدیاتک تأیید شده است.

در می 2023، SK Hynix برنامه خود را برای گسترش کاربرد فرآیند پیشرفته 1b خود برای محصولات LPDDR5T در نیمه اول سال اعلام کرد. LPDDR5T که توسط SK Hynix در ژانویه سال گذشته راه اندازی شد، در محدوده حداقل ولتاژ تعریف شده JEDEC بین 1.01 تا 1.12 ولت کار می کند و سرعت پردازش داده تا 77 گیگابایت در ثانیه را به دست می آورد.

LPDDR5X میکرون نیز تولید انبوه را آغاز کرده است و از فناوری فرآیند 1β (1-بتا) با ظرفیت 16 گیگابایت و درجه‌های سرعت تا 9.6 گیگابیت بر ثانیه استفاده می‌کند و بیش از 12 درصد حداکثر پهنای باند بالاتری را نسبت به نسل قبلی ارائه می‌کند که برای فعال کردن هوش مصنوعی بسیار مهم است. لبه

با افزایش تقاضا برای حافظه با کارایی بالا و کم مصرف در عصر هوش مصنوعی، نرخ پذیرش آخرین LPDDR5X در گوشی‌های هوشمند و محاسبات با عملکرد بالا (HPC) به طور پیوسته در حال افزایش است.

به گفته منابع صنعتی اخیر در کره جنوبی، سامسونگ الکترونیکس قصد دارد تا پایان سال جاری یک طرح سرمایه گذاری برای تبدیل خط تولید DRAM کارخانه P2 خود به DRAM پیشرفته توسعه دهد. کارخانه P2 در درجه اول DRAM 1z تولید می کند، اما خروجی آن به طور قابل توجهی کاهش یافته است. بنابراین، سامسونگ در حال آماده شدن برای تغییر تولید DRAM P2 1z به DRAM 1b یا پیشرفته تر است. انتظار می رود تا اوایل سال آینده، ظرفیت DRAM 1b سامسونگ به 100,000 ویفر در ماه برسد.

SK Hynix همچنین به طور فعال در حال کار بر روی افزایش تولید نسل پنجم 5b DRAM است و انتظار می‌رود که تولید ماهانه آن از 1 ویفر در سه ماهه اول سال گذشته به 10,000 ویفر تا پایان سال جاری افزایش یابد. علاوه بر این، SK Hynix قصد دارد تولید 1b DRAM را به 90,000 تا 1 ویفر در نیمه اول سال آینده افزایش دهد.