Em agosto, a Samsung Electronics anunciou a produção em massa da DRAM LPDDR12X de 5 nm mais fina do setor, com suporte para capacidades de 12 GB e 16 GB. Este produto apresenta uma estrutura empilhada de quatro camadas, reduzindo a espessura em cerca de 9% em comparação com a geração anterior e melhorando a resistência ao calor em aproximadamente 21.2%. A Samsung planeja desenvolver módulos de 24 GB com seis camadas e módulos de 32 GB com oito camadas para encapsulamento de DRAM LPDDR ultrafino para dispositivos futuros. Além disso, a LPDDR16X de 5 GB foi validada com a plataforma móvel principal Dimensity 9400 da MediaTek.

Em maio de 2023, a SK Hynix declarou seu plano de expandir a aplicação de seu processo avançado 1b para produtos LPDDR5T no primeiro semestre do ano. O LPDDR5T, lançado pela SK Hynix em janeiro do ano passado, opera dentro da faixa de tensão mínima definida pela JEDEC de 1.01 a 1.12 V, atingindo velocidades de processamento de dados de até 77 GB por segundo.

O LPDDR5X da Micron também começou a produção em massa, utilizando tecnologia de processo 1β (1-beta) com capacidade de 16 GB e velocidades de até 9.6 Gbps, fornecendo largura de banda de pico 12% maior do que a geração anterior, o que é crucial para habilitar IA na ponta.

Com a crescente demanda por memória de alto desempenho e baixo consumo de energia na era da IA, a taxa de adoção do mais recente LPDDR5X em smartphones e computação de alto desempenho (HPC) está aumentando constantemente.

De acordo com fontes recentes da indústria na Coreia do Sul, a Samsung Electronics planeja desenvolver um plano de investimento para converter sua linha de produção de DRAM de fábrica P2 para DRAM avançada até o final deste ano. A fábrica P2 produz principalmente DRAM 1z, mas sua produção diminuiu significativamente. Portanto, a Samsung está se preparando para mudar a produção de DRAM P2 1z para DRAM 1b ou mais avançada. No início do ano que vem, a capacidade de DRAM 1b da Samsung deve atingir 100,000 wafers por mês.

A SK Hynix também está trabalhando ativamente para aumentar a produção de 5b DRAM de 1ª geração, com expectativas de que sua produção mensal aumentará de 10,000 wafers no primeiro trimestre do ano passado para 1 wafers até o final deste ano. Além disso, a SK Hynix planeja aumentar ainda mais a produção de 90,000b DRAM para entre 1 e 140,000 wafers no primeiro semestre do ano que vem.
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