Pada bulan Ogos, Samsung Electronics mengumumkan pengeluaran besar-besaran DRAM LPDDR12X 5nm tertipis industrinya, menyokong kapasiti 12GB dan 16GB. Produk ini mempunyai struktur bertindan empat lapisan, mengurangkan ketebalan kira-kira 9% berbanding generasi sebelumnya dan meningkatkan rintangan haba sebanyak kira-kira 21.2%. Samsung merancang untuk membangunkan modul 24GB dengan enam lapisan dan modul 32GB dengan lapan lapisan untuk pembungkusan DRAM LPDDR ultra nipis untuk peranti masa hadapan. Selain itu, 16GB LPDDR5X telah disahkan dengan platform mudah alih perdana MediaTek Dimensity 9400.

Pada Mei 2023, SK Hynix menyatakan rancangannya untuk mengembangkan aplikasi proses 1b lanjutannya untuk produk LPDDR5T pada separuh pertama tahun ini. LPDDR5T, yang dilancarkan oleh SK Hynix pada Januari tahun lepas, beroperasi dalam julat voltan minimum yang ditetapkan JEDEC iaitu 1.01 hingga 1.12V, mencapai kelajuan pemprosesan data sehingga 77GB sesaat.

LPDDR5X Micron juga telah memulakan pengeluaran besar-besaran, menggunakan teknologi proses 1β (1-beta) dengan kapasiti 16GB dan gred kelajuan sehingga 9.6Gbps, memberikan lebar jalur puncak lebih 12% lebih tinggi daripada generasi sebelumnya, yang penting untuk membolehkan AI di tepi.

Dengan peningkatan permintaan untuk memori berprestasi tinggi dan berkuasa rendah dalam era AI, kadar penggunaan LPDDR5X terkini dalam telefon pintar dan pengkomputeran berprestasi tinggi (HPC) semakin meningkat.

Menurut sumber industri baru-baru ini di Korea Selatan, Samsung Electronics merancang untuk membangunkan pelan pelaburan untuk menukar barisan pengeluaran DRAM kilang P2nya kepada DRAM termaju menjelang akhir tahun ini. Kilang P2 terutamanya menghasilkan 1z DRAM, tetapi outputnya telah menurun dengan ketara. Oleh itu, Samsung sedang bersedia untuk mengalihkan pengeluaran DRAM P2 1z kepada 1b atau DRAM yang lebih maju. Menjelang awal tahun depan, kapasiti 1b DRAM Samsung dijangka mencecah 100,000 wafer sebulan.

SK Hynix juga sedang giat berusaha meningkatkan pengeluaran DRAM 5b generasi ke-1, dengan jangkaan bahawa pengeluaran bulanannya akan meningkat daripada 10,000 wafer pada S1 tahun lepas kepada 90,000 wafer menjelang akhir tahun ini. Selain itu, SK Hynix merancang untuk meningkatkan lagi pengeluaran 1b DRAM kepada antara 140,000 dan 150,000 wafer pada separuh pertama tahun depan.
SLKOR produk tersedia pada Digikey