Im August kündigte Samsung Electronics die Massenproduktion des branchenweit dünnsten 12-nm-LPDDR5X-DRAM mit Kapazitäten von 12 GB und 16 GB an. Dieses Produkt verfügt über eine vierschichtige Stapelstruktur, die die Dicke im Vergleich zur vorherigen Generation um etwa 9 % reduziert und die Hitzebeständigkeit um etwa 21.2 % verbessert. Samsung plant die Entwicklung von 24-GB-Modulen mit sechs Schichten und 32-GB-Modulen mit acht Schichten für ultradünne LPDDR-DRAM-Verpackungen für zukünftige Geräte. Darüber hinaus wurde der 16 GB LPDDR5X mit MediaTeks mobiler Flaggschiff-Plattform Dimensity 9400 validiert.

Im Mai 2023 gab SK Hynix seinen Plan bekannt, die Anwendung seines fortschrittlichen 1b-Prozesses für LPDDR5T-Produkte im ersten Halbjahr auszuweiten. LPDDR5T, das im Januar letzten Jahres von SK Hynix auf den Markt gebracht wurde, arbeitet innerhalb des von JEDEC definierten Mindestspannungsbereichs von 1.01 bis 1.12 V und erreicht Datenverarbeitungsgeschwindigkeiten von bis zu 77 GB pro Sekunde.

Die Massenproduktion von Microns LPDDR5X hat ebenfalls begonnen. Dabei kommt die 1β-Prozesstechnologie (1-Beta) mit einer Kapazität von 16 GB und Geschwindigkeiten von bis zu 9.6 Gbit/s zum Einsatz und bietet eine um über 12 % höhere Spitzenbandbreite als die vorherige Generation, was für die Aktivierung von KI am Rand von entscheidender Bedeutung ist.

Mit der steigenden Nachfrage nach leistungsstarkem, stromsparendem Speicher im KI-Zeitalter nimmt die Akzeptanz des neuesten LPDDR5X in Smartphones und Hochleistungsrechnern (HPC) stetig zu.

Laut jüngsten Branchenquellen in Südkorea plant Samsung Electronics, bis Ende dieses Jahres einen Investitionsplan zur Umstellung seiner DRAM-Produktionslinie in der P2-Fabrik auf fortschrittliches DRAM auszuarbeiten. Die P2-Fabrik produziert hauptsächlich 1z-DRAM, ihre Produktion ist jedoch erheblich zurückgegangen. Daher bereitet Samsung die Umstellung der P2-1z-DRAM-Produktion auf 1b- oder fortschrittlicheres DRAM vor. Bis Anfang nächsten Jahres soll Samsungs 1b-DRAM-Kapazität 100,000 Wafer pro Monat erreichen.

SK Hynix arbeitet außerdem aktiv an der Steigerung der Produktion von 5b DRAM der 1. Generation und erwartet, dass die monatliche Produktion von 10,000 Wafern im 1. Quartal des letzten Jahres auf 90,000 Wafer bis Ende dieses Jahres steigen wird. Darüber hinaus plant SK Hynix, die 1b DRAM-Produktion im ersten Halbjahr nächsten Jahres auf 140,000 bis 150,000 Wafer zu steigern.
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