В августе Samsung Electronics объявила о массовом производстве самой тонкой в ​​отрасли 12-нм памяти LPDDR5X DRAM, поддерживающей емкости 12 ГБ и 16 ГБ. Этот продукт имеет четырехслойную структуру, что снижает толщину примерно на 9% по сравнению с предыдущим поколением и повышает термостойкость примерно на 21.2%. Samsung планирует разработать 24-гигабайтные модули с шестью слоями и 32-гигабайтные модули с восемью слоями для сверхтонкой упаковки LPDDR DRAM для будущих устройств. Кроме того, 16-гигабайтная LPDDR5X была проверена с флагманской мобильной платформой MediaTek Dimensity 9400.

В мае 2023 года компания SK Hynix заявила о своих планах расширить применение своего усовершенствованного процесса 1b для продуктов LPDDR5T в первой половине года. LPDDR5T, запущенный компанией SK Hynix в январе прошлого года, работает в определенном JEDEC минимальном диапазоне напряжений от 1.01 до 1.12 В, достигая скорости обработки данных до 77 ГБ в секунду.

Компания Micron также начала массовое производство памяти LPDDR5X с использованием технологического процесса 1β (1-бета) емкостью 16 ГБ и скоростными характеристиками до 9.6 Гбит/с, что обеспечивает пиковую пропускную способность на 12% выше, чем у предыдущего поколения, что имеет решающее значение для поддержки ИИ на периферии.

В связи с растущим спросом на высокопроизводительную память с низким энергопотреблением в эпоху искусственного интеллекта темпы внедрения новейшей памяти LPDDR5X в смартфоны и высокопроизводительные вычисления (HPC) неуклонно растут.

Согласно последним отраслевым источникам в Южной Корее, Samsung Electronics планирует разработать инвестиционный план по преобразованию своей производственной линии DRAM фабрики P2 в усовершенствованную DRAM к концу этого года. Фабрика P2 в основном производит 1z DRAM, но ее объемы значительно сократились. Поэтому Samsung готовится перевести производство 2z DRAM P1 на 1b или более усовершенствованную DRAM. К началу следующего года ожидается, что мощность 1b DRAM Samsung достигнет 100,000 XNUMX пластин в месяц.

SK Hynix также активно работает над увеличением производства 5b DRAM 1-го поколения, ожидая, что ее ежемесячный выпуск увеличится с 10,000 1 пластин в первом квартале прошлого года до 90,000 1 пластин к концу этого года. Кроме того, SK Hynix планирует дополнительно увеличить производство 140,000b DRAM до 150,000 XNUMX–XNUMX XNUMX пластин в первой половине следующего года.
SLKOR продукты доступен на Digikey