ในเดือนสิงหาคม Samsung Electronics ได้ประกาศการผลิต LPDDR12X DRAM 5nm ที่บางที่สุดในอุตสาหกรรมเป็นจำนวนมาก ซึ่งรองรับความจุ 12GB และ 16GB ผลิตภัณฑ์นี้มีโครงสร้างแบบเรียงซ้อนสี่ชั้น ซึ่งลดความหนาลงประมาณ 9% เมื่อเทียบกับรุ่นก่อนหน้า และปรับปรุงความทนทานต่อความร้อนได้ประมาณ 21.2% Samsung วางแผนที่จะพัฒนาโมดูล 24GB ที่มี 32 ชั้น และโมดูล 16GB ที่มี 5 ชั้นสำหรับบรรจุภัณฑ์ LPDDR DRAM แบบบางพิเศษสำหรับอุปกรณ์ในอนาคต นอกจากนี้ LPDDR9400X XNUMXGB ยังได้รับการรับรองด้วยแพลตฟอร์มมือถือเรือธง Dimensity XNUMX ของ MediaTek

ในเดือนพฤษภาคม 2023 SK Hynix ได้ประกาศแผนที่จะขยายการใช้งานกระบวนการ 1b ขั้นสูงสำหรับผลิตภัณฑ์ LPDDR5T ในช่วงครึ่งปีแรก LPDDR5T ซึ่งเปิดตัวโดย SK Hynix ในเดือนมกราคมปีที่แล้ว ทำงานภายในช่วงแรงดันไฟฟ้าขั้นต่ำที่กำหนดโดย JEDEC ที่ 1.01 ถึง 1.12V ทำให้สามารถประมวลผลข้อมูลได้เร็วถึง 77GB ต่อวินาที

LPDDR5X ของ Micron ได้เริ่มการผลิตจำนวนมาก โดยใช้เทคโนโลยีกระบวนการ 1β (1-เบตา) ที่มีความจุ 16GB และระดับความเร็วสูงถึง 9.6Gbps ซึ่งให้แบนด์วิดท์สูงสุดสูงกว่ารุ่นก่อนหน้ากว่า 12% ซึ่งถือเป็นสิ่งสำคัญสำหรับการเปิดใช้ AI ที่ขอบ

ด้วยความต้องการหน่วยความจำประสิทธิภาพสูงและใช้พลังงานต่ำที่เพิ่มขึ้นในยุค AI อัตราการนำ LPDDR5X ล่าสุดมาใช้ในสมาร์ทโฟนและการประมวลผลประสิทธิภาพสูง (HPC) จึงเพิ่มขึ้นอย่างต่อเนื่อง

แหล่งข่าวในอุตสาหกรรมล่าสุดในเกาหลีใต้เผยว่า Samsung Electronics มีแผนจะพัฒนาแผนการลงทุนเพื่อเปลี่ยนสายการผลิต DRAM ของโรงงาน P2 ให้เป็น DRAM ขั้นสูงภายในสิ้นปีนี้ โรงงาน P2 ผลิต DRAM 1z เป็นหลัก แต่ปริมาณการผลิตลดลงอย่างมาก ดังนั้น Samsung จึงเตรียมเปลี่ยนการผลิต DRAM 2z ของโรงงาน P1 เป็น DRAM ขั้นสูง 1b ขึ้นไป คาดว่าในช่วงต้นปีหน้า กำลังการผลิต DRAM 1b ของ Samsung จะถึง 100,000 แผ่นต่อเดือน

นอกจากนี้ SK Hynix ยังดำเนินการอย่างแข็งขันในการเพิ่มปริมาณการผลิต DRAM 5b รุ่นที่ 1 โดยคาดว่าปริมาณการผลิตรายเดือนจะเพิ่มขึ้นจาก 10,000 แผ่นในไตรมาสแรกของปีที่แล้วเป็น 1 แผ่นภายในสิ้นปีนี้ นอกจากนี้ SK Hynix ยังมีแผนที่จะกระตุ้นปริมาณการผลิต DRAM 90,000b ให้เพิ่มขึ้นเป็น 1 ถึง 140,000 แผ่นในช่วงครึ่งแรกของปีหน้า
SLKOR เทคโนโลยี ใช้ได้ บน Digikey