Ad agosto, Samsung Electronics ha annunciato la produzione in serie della DRAM LPDDR12X da 5 nm più sottile del settore, che supporta capacità da 12 GB e 16 GB. Questo prodotto presenta una struttura impilata a quattro strati, che riduce lo spessore di circa il 9% rispetto alla generazione precedente e migliora la resistenza al calore di circa il 21.2%. Samsung prevede di sviluppare moduli da 24 GB con sei strati e moduli da 32 GB con otto strati per il packaging DRAM LPDDR ultrasottile per dispositivi futuri. Inoltre, la LPDDR16X da 5 GB è stata convalidata con la piattaforma mobile di punta Dimensity 9400 di MediaTek.

A maggio 2023, SK Hynix ha dichiarato il suo piano di espandere l'applicazione del suo processo 1b avanzato per i prodotti LPDDR5T nella prima metà dell'anno. LPDDR5T, lanciato da SK Hynix a gennaio dell'anno scorso, opera entro l'intervallo di tensione minima definito da JEDEC da 1.01 a 1.12 V, raggiungendo velocità di elaborazione dati fino a 77 GB al secondo.

Anche la LPDDR5X di Micron ha avviato la produzione di massa, utilizzando la tecnologia di processo 1β (1-beta) con una capacità di 16 GB e velocità fino a 9.6 Gbps, offrendo una larghezza di banda di picco superiore di oltre il 12% rispetto alla generazione precedente, il che è fondamentale per abilitare l'intelligenza artificiale all'edge.

Con la crescente domanda di memorie ad alte prestazioni e basso consumo energetico nell'era dell'intelligenza artificiale, il tasso di adozione dell'ultima LPDDR5X negli smartphone e nel calcolo ad alte prestazioni (HPC) è in costante aumento.

Secondo recenti fonti del settore in Corea del Sud, Samsung Electronics prevede di sviluppare un piano di investimenti per convertire la sua linea di produzione DRAM P2 in DRAM avanzata entro la fine di quest'anno. La fabbrica P2 produce principalmente DRAM 1z, ma la sua produzione è notevolmente diminuita. Pertanto, Samsung si sta preparando a spostare la produzione di DRAM P2 1z in DRAM 1b o più avanzata. Entro l'inizio del prossimo anno, si prevede che la capacità DRAM 1b di Samsung raggiungerà 100,000 wafer al mese.

SK Hynix sta anche lavorando attivamente per aumentare la produzione di DRAM 5b di quinta generazione, con aspettative che la sua produzione mensile salirà da 1 wafer nel Q10,000 dell'anno scorso a 1 wafer entro la fine di quest'anno. Inoltre, SK Hynix prevede di aumentare ulteriormente la produzione di DRAM 90,000b tra 1 e 140,000 wafer nella prima metà del prossimo anno.
SLKOR prodotti disponibile su Digikey