BYD Semiconductor memfokuskan pada R&D, pengeluaran dan penjualan semikonduktor kuasa, IC kawalan pintar, penderia pintar dan semikonduktor optoelektronik. Produknya digunakan secara meluas dalam sektor automotif, perindustrian, peralatan rumah, tenaga boleh diperbaharui dan elektronik pengguna.

Dalam sektor automotif, memanfaatkan kepakarannya dalam semikonduktor gred automotif, BYD Semiconductor kini mengeluarkan besar-besaran IGBT, peranti SiC, IPM, MCU, penderia imej CMOS, penderia elektromagnet dan komponen LED. Produk ini meliputi kawalan pemacu motor, pengurusan haba, kawalan badan, pengurusan bateri, pengimejan dalam kereta dan sistem pencahayaan. Syarikat itu juga memajukan semikonduktor gred automotif berteknologi tinggi seperti BMS AFE untuk menangani jurang industri dan menyokong pembangunan berkualiti tinggi kenderaan tenaga baharu, menyasarkan pertumbuhan autonomi, selamat dan pesat dalam industri cip automotif China.

Di bidang Peranti SiC, produk BYD Semiconductor terutamanya termasuk peranti tunggal SiC dan modul SiC. Mereka menggunakan model IDM dan telah mewujudkan rantaian perindustrian yang lengkap meliputi reka bentuk cip, pembuatan wafer, pembungkusan dan ujian modul, dan ujian aplikasi peringkat sistem. BYD ialah peneraju global dan satu-satunya syarikat domestik yang telah mencapai aplikasi berskala besar modul jambatan penuh tiga fasa SiC dalam pengawal pemacu motor untuk kenderaan elektrik mewah. Produk IGBT dan SiC mereka dibekalkan terutamanya kepada kenderaan dalaman BYD Group tetapi juga kepada pengeluar lain seperti Sokon, Yutong, Foton, Ruiling, Beijing Times, Inovance, Blue Sea Huateng dan Huichuan Technology.

BYD telah menggunakan silikon karbida (SiC) dalam kenderaan selama 5-6 tahun, pada mulanya dalam OBC (pengecas on-board) dan kemudian dalam spring on-board dan kawalan elektrik. Hasil jualan 2020 dan 2021 mereka untuk modul SiC masing-masing ialah 142 juta RMB dan 114 juta RMB, menunjukkan arah aliran menaik dan menghampiri jualan modul IGBT mereka sebelum ini. Margin kasar adalah tinggi pada 55.55% dan 62.44%, dengan harga seunit 2-3 kali ganda daripada IGBT. Pada 2021, hasil peranti SiC BYD menghampiri 200 juta RMB dan dijangka mencecah hampir 500 juta RMB pada 2022.

Mengenai pengembangan kapasiti, BYD telah merancang projek baharu untuk tahun ini. Pada 15 Jun 2023, Biro Persekitaran Ekologi Shenzhen mengumumkan projek pengembangan talian perintis epitaxial karbon karbida BYD, dengan pelaburan sebanyak 214 juta RMB untuk meningkatkan kapasiti pengeluaran wafer epitaxial SiC kepada 18,000 wafer setahun. Projek ini termasuk pemasangan peralatan dan dijadualkan siap menjelang September 2023.

Sebagai tambahan kepada wafer epitaxial, BYD juga telah mencapai kemajuan yang ketara dalam teknologi substrat SiC. Prestasi wafer SiC 4-inci telah mencapai tahap yang terkemuka di dunia.

BYD merancang untuk melabur 3.1 bilion RMB dalam tiga projek, dengan 730 juta RMB diperuntukkan untuk projek SiC, termasuk barisan pembuatan wafer semikonduktor kuasa SiC baharu di Ningbo. Setelah siap, kemudahan baharu itu akan mempunyai kapasiti pengeluaran bulanan sebanyak 20,000 wafer SiC, dengan tempoh pembinaan selama lima tahun.

Semikonduktor generasi ketiga, yang diwakili oleh silikon karbida (SiC) dan galium nitrida (GaN), adalah bahan teras dalam industri baru muncul strategik dan diketengahkan dalam Rancangan Lima Tahun Ke-14 China dan Wawasan 2035. Dalam konteks neutraliti karbon dan transformasi sistem tenaga baharu, bahan ini mempunyai prospek aplikasi yang luas dalam kuasa angin, fotovoltaik, kenderaan tenaga baharu dan simpanan tenaga.

Ramalan industri meramalkan bahawa menjelang 2026, pasaran produk SiC akan mencapai $3.5 bilion, dan permintaan untuk produk kuasa GaN akan meningkat kepada $2.1 bilion. Baru-baru ini, syarikat domestik seperti Sanan, InnoSeco dan Silan Minggan telah giat membangunkan projek GaN, dengan kira-kira 26 projek merentas keseluruhan rantaian industri. Syarikat antarabangsa terkemuka seperti Infineon juga secara agresif mengembangkan inisiatif GaN mereka.

Dalam pasaran peranti kuasa SiC, STMicroelectronics mendahului di peringkat global, didorong oleh permintaan Tesla. Syarikat seperti Wolfspeed, ON Semiconductor dan ROHM mengikuti. Bidang pelaburan dan inovasi utama ialah segmen substrat, epitaksi dan cip. Walaupun substrat SiC 6-inci kini stabil dalam pengeluaran, substrat 8-inci masih dalam penerokaan pengkomersilan, dengan Wolfspeed memajukan firma terpantas dan domestik pada masa ini menyediakan sampel atau bekalan berskala kecil.