BYD Semiconductor koncentruje się na badaniach i rozwoju, produkcji i sprzedaży półprzewodników mocy, inteligentnych układów sterowania, inteligentnych czujników i półprzewodników optoelektronicznych. Jej produkty są szeroko stosowane w sektorach motoryzacyjnym, przemysłowym, AGD, odnawialnych źródeł energii i elektroniki użytkowej.

W sektorze motoryzacyjnym, wykorzystując swoje doświadczenie w dziedzinie półprzewodników klasy motoryzacyjnej, firma BYD Semiconductor produkuje obecnie masowo tranzystory IGBT, układy SiC, moduły IPM, mikrokontrolery, czujniki obrazu CMOS, czujniki elektromagnetyczne oraz komponenty LED. Produkty te obejmują sterowanie napędem silnika, zarządzanie temperaturą, sterowanie nadwoziem, zarządzanie akumulatorem, obrazowanie w samochodzie oraz systemy oświetleniowe. Firma rozwija również zaawansowane technologicznie półprzewodniki klasy motoryzacyjnej, takie jak BMS AFE, aby wypełnić luki w branży i wspierać wysokiej jakości rozwój pojazdów napędzanych nowymi źródłami energii, dążąc do autonomicznego, bezpiecznego i szybkiego rozwoju chińskiego przemysłu układów scalonych w motoryzacji.

W dziedzinie Urządzenia SiCProdukty firmy BYD Semiconductor obejmują głównie pojedyncze urządzenia SiC i moduły SiC. Używają modelu IDM i stworzyli kompletny łańcuch przemysłowy obejmujący projektowanie układów scalonych, produkcję płytek, pakowanie i testowanie modułów oraz testowanie aplikacji na poziomie systemu. BYD jest światowym liderem i jedyną krajową firmą, która osiągnęła zastosowanie na dużą skalę trójfazowych modułów pełnomostkowych SiC w sterownikach napędów silników dla wysokiej klasy pojazdów elektrycznych. Ich produkty IGBT i SiC są dostarczane głównie do pojazdów wewnętrznych Grupy BYD ale także innym producentom, takim jak Sokon, Yutong, Foton, Ruiling, Beijing Times, Inovance, Blue Sea Huateng i Huichuan Technology.

BYD używa węglika krzemu (SiC) w pojazdach od 5-6 lat, początkowo w OBC (ładowarkach pokładowych), a później w sprężynach pokładowych i sterowaniu elektrycznym. Przychody ze sprzedaży modułów SiC w latach 2020 i 2021 wyniosły odpowiednio 142 mln RMB i 114 mln RMB, wykazując trend wzrostowy i zbliżając się do poprzedniego poziomu sprzedaży modułów IGBT. Marże brutto były wysokie i wyniosły odpowiednio 55.55% i 62.44%, a ceny jednostkowe były 2-3 razy wyższe niż w przypadku modułów IGBT. W 2021 roku przychody firmy BYD ze sprzedaży urządzeń SiC zbliżyły się do 200 milionów RMB, a w 500 roku mają wzrosnąć do niemal 2022 milionów RMB.

W odniesieniu do rozbudowy mocy produkcyjnych BYD zaplanowało nowe projekty na ten rok. 15 czerwca 2023 r. Shenzhen Ecological Environment Bureau ogłosiło projekt rozbudowy pilotażowej linii epitaksjalnej węglika węgla BYD, z inwestycją w wysokości 214 mln RMB w celu zwiększenia zdolności produkcyjnej płytek epitaksjalnych SiC do 18,000 2023 płytek rocznie. Projekt obejmuje instalację sprzętu i ma zostać ukończony do września XNUMX r.

Oprócz płytek epitaksjalnych, BYD poczyniło również znaczne postępy w technologii podłoża SiC. Wydajność 4-calowych płytek SiC osiągnęła poziom wiodący na świecie.

BYD planuje zainwestować 3.1 mld RMB w trzy projekty, z czego 730 mln RMB przeznaczono na projekty SiC, w tym nową linię produkcyjną półprzewodników SiC w Ningbo. Po zakończeniu budowy nowy zakład będzie miał miesięczną zdolność produkcyjną 20,000 XNUMX płytek SiC, a okres budowy wyniesie pięć lat.

Półprzewodniki trzeciej generacji, reprezentowane przez węglik krzemu (SiC) i azotek galu (GaN), są podstawowymi materiałami w strategicznych, wschodzących gałęziach przemysłu i zostały wyróżnione w 14. Pięcioletnim Planie Chin i Wizji na rok 2035. W kontekście neutralności węglowej i transformacji nowego systemu energetycznego materiały te mają szerokie perspektywy zastosowania w energetyce wiatrowej, fotowoltaice, nowych pojazdach energetycznych i magazynowaniu energii.

Prognozy branżowe przewidują, że do 2026 r. rynek produktów SiC osiągnie wartość 3.5 mld USD, a popyt na produkty zasilające GaN wzrośnie do 2.1 mld USD. Ostatnio krajowe firmy, takie jak Sanan, InnoSeco i Silan Minggan, aktywnie rozwijają projekty GaN, z około 26 projektami w całym łańcuchu branżowym. Wiodące międzynarodowe firmy, takie jak Infineon, również agresywnie rozszerzają swoje inicjatywy GaN.

Na rynku urządzeń zasilających SiC firma STMicroelectronics jest globalnym liderem, napędzanym popytem Tesli. Firmy takie jak Wolfspeed, ON Semiconductor i ROHM podążają za nią. Kluczowymi obszarami inwestycji i innowacji są segmenty podłoża, epitaksji i chipów. Podczas gdy 6-calowe podłoża SiC są obecnie stabilne w produkcji, 8-calowe podłoża są nadal w fazie eksploracji komercjalizacyjnej, przy czym Wolfspeed posuwa się naprzód najszybciej, a krajowe firmy obecnie dostarczają próbki lub materiały na małą skalę.