BYD Semiconductor si concentra su R&S, produzione e vendita di semiconduttori di potenza, circuiti integrati di controllo intelligenti, sensori intelligenti e semiconduttori optoelettronici. I suoi prodotti sono ampiamente utilizzati nei settori automobilistico, industriale, degli elettrodomestici, delle energie rinnovabili e dell'elettronica di consumo.

Nel settore automobilistico, sfruttando la sua esperienza nei semiconduttori di qualità automobilistica, BYD Semiconductor produce ora in serie IGBT, dispositivi SiC, IPM, MCU, sensori di immagine CMOS, sensori elettromagnetici e componenti LED. Questi prodotti coprono il controllo dell'azionamento del motore, la gestione termica, il controllo della carrozzeria, la gestione della batteria, l'imaging a bordo e i sistemi di illuminazione. L'azienda sta inoltre sviluppando semiconduttori ad alta tecnologia di qualità automobilistica come BMS AFE per colmare le lacune del settore e supportare lo sviluppo di alta qualità di veicoli a nuova energia, puntando a una crescita autonoma, sicura e rapida nell'industria cinese dei chip per il settore automobilistico.

Nel campo della Dispositivi SiCI prodotti BYD Semiconductor includono principalmente dispositivi SiC singoli e moduli SiC. Utilizzano un modello IDM e hanno stabilito una catena industriale completa che copre la progettazione di chip, la produzione di wafer, il confezionamento e il collaudo dei moduli e il collaudo delle applicazioni a livello di sistema. BYD è un leader globale e l'unica azienda nazionale che ha ottenuto un'applicazione su larga scala di moduli full-bridge trifase SiC nei controller di azionamento motore per veicoli elettrici di fascia alta. I loro prodotti IGBT e SiC vengono forniti principalmente ai veicoli interni del Gruppo BYD ma anche ad altri produttori come Sokon, Yutong, Foton, Ruiling, Beijing Times, Inovance, Blue Sea Huateng e Huichuan Technology.

BYD ha utilizzato il carburo di silicio (SiC) nei veicoli per 5-6 anni, inizialmente negli OBC (caricabatterie di bordo) e in seguito nelle molle di bordo e nei comandi elettrici. I loro ricavi dalle vendite di moduli SiC nel 2020 e nel 2021 sono stati rispettivamente di 142 milioni di RMB e 114 milioni di RMB, In crescita, con vendite di moduli IGBT prossime a quelle precedenti. I margini lordi sono stati elevati, rispettivamente del 55.55% e del 62.44%, con prezzi unitari 2-3 volte superiori a quelli degli IGBT. Nel 2021, il fatturato dei dispositivi SiC di BYD ha raggiunto quasi i 200 milioni di RMB e si prevede che raggiungerà quasi i 500 milioni di RMB nel 2022.

Per quanto riguarda l'espansione della capacità, BYD ha pianificato nuovi progetti per quest'anno. Il 15 giugno 2023, lo Shenzhen Ecological Environment Bureau ha annunciato il progetto di espansione della linea pilota epitassiale in carburo di carbonio di BYD, con un investimento di 214 milioni di RMB per aumentare la capacità di produzione di wafer epitassiali in SiC a 18,000 wafer all'anno. Il progetto include l'installazione delle apparecchiature e dovrebbe essere completato entro settembre 2023.

Oltre ai wafer epitassiali, BYD ha anche compiuto notevoli progressi nella tecnologia dei substrati SiC. Le prestazioni dei wafer SiC da 4 pollici hanno raggiunto livelli leader a livello mondiale.

BYD prevede di investire 3.1 miliardi di RMB in tre progetti, con 730 milioni di RMB stanziati per progetti SiC, tra cui una nuova linea di produzione di wafer di semiconduttori di potenza SiC a Ningbo. Una volta completata, la nuova struttura avrà una capacità produttiva mensile di 20,000 wafer SiC, con un periodo di costruzione di cinque anni.

I semiconduttori di terza generazione, rappresentati dal carburo di silicio (SiC) e dal nitruro di gallio (GaN), sono materiali fondamentali nelle industrie emergenti strategiche e sono evidenziati nel 14° piano quinquennale della Cina e nella Visione 2035. Nel contesto della neutralità carbonica e della trasformazione del nuovo sistema energetico, questi materiali hanno ampie prospettive di applicazione nell'energia eolica, nel fotovoltaico, nei veicoli a nuova energia e nell'accumulo di energia.

Le previsioni del settore prevedono che entro il 2026 il mercato dei prodotti SiC raggiungerà i 3.5 miliardi di $ e la domanda di prodotti di potenza GaN crescerà fino a 2.1 miliardi di $. Di recente, aziende nazionali come Sanan, InnoSeco e Silan Minggan hanno sviluppato attivamente progetti GaN, con circa 26 progetti nell'intera filiera industriale. Anche aziende leader internazionali come Infineon stanno espandendo in modo aggressivo le loro iniziative GaN.

Nel mercato dei dispositivi di potenza SiC, STMicroelectronics è leader a livello mondiale, spinta dalla domanda di Tesla. Aziende come Wolfspeed, ON Semiconductor e ROHM stanno seguendo. Le aree chiave di investimento e innovazione sono i segmenti substrato, epitassia e chip. Mentre i substrati SiC da 6 pollici sono ora stabili nella produzione, i substrati da 8 pollici sono ancora in fase di esplorazione della commercializzazione, con Wolfspeed che avanza più velocemente e aziende nazionali che attualmente forniscono campioni o forniture su piccola scala.