BYD Semiconductor konzentriert sich auf Forschung und Entwicklung, Produktion und Vertrieb von Leistungshalbleitern, intelligenten Steuerungs-ICs, intelligenten Sensoren und optoelektronischen Halbleitern. Die Produkte des Unternehmens werden häufig in den Bereichen Automobil, Industrie, Haushaltsgeräte, erneuerbare Energien und Unterhaltungselektronik eingesetzt.

Im Automobilsektor nutzt BYD Semiconductor seine Expertise im Bereich Automobilhalbleiter und produziert mittlerweile IGBTs, SiC-Bauelemente, IPMs, MCUs, CMOS-Bildsensoren, elektromagnetische Sensoren und LED-Komponenten in Massenproduktion. Diese Produkte umfassen Motorantriebssteuerung, Wärmemanagement, Karosseriesteuerung, Batteriemanagement, Fahrzeugbildgebung und Beleuchtungssysteme. Das Unternehmen entwickelt außerdem hochtechnologische Automobilhalbleiter wie BMS AFE, um Branchenlücken zu schließen und die hochwertige Entwicklung von Fahrzeugen mit alternativen Antrieben zu unterstützen. Ziel ist ein autonomes, sicheres und schnelles Wachstum der chinesischen Automobilchipindustrie.

Auf dem Gebiet der SiC-GeräteZu den Produkten von BYD Semiconductor gehören hauptsächlich SiC-Einzelgeräte und SiC-Module. Sie verwenden ein IDM-Modell und haben eine komplette industrielle Kette aufgebaut, die Chipdesign, Waferherstellung, Modulverpackung und -prüfung sowie Anwendungstests auf Systemebene umfasst. BYD ist ein weltweit führendes und einziges inländisches Unternehmen, das die großflächige Anwendung von dreiphasigen SiC-Vollbrückenmodulen in Motorantriebssteuerungen für High-End-Elektrofahrzeuge erreicht hat. Ihre IGBT- und SiC-Produkte werden hauptsächlich an die internen Fahrzeuge der BYD Group geliefert sondern auch an andere Hersteller wie Sokon, Yutong, Foton, Ruiling, Beijing Times, Inovance, Blue Sea Huateng und Huichuan Technology.

BYD verwendet Siliziumkarbid (SiC) seit 5-6 Jahren in Fahrzeugen, zunächst in OBCs (On-Board-Ladegeräten) und später in On-Board-Federn und elektrischen Steuerungen. Ihr Umsatz mit SiC-Modulen betrug 2020 und 2021 142 Millionen RMB bzw. 114 Millionen RMB. Sie zeigten einen Aufwärtstrend und näherten sich ihren früheren IGBT-Modulverkäufen an. Die Bruttomargen waren mit 55.55 % bzw. 62.44 % hoch, wobei die Stückpreise zwei- bis dreimal so hoch waren wie die von IGBTs. Im Jahr 2021 näherte sich der Umsatz von BYD mit SiC-Geräten 200 Millionen RMB und wird im Jahr 500 voraussichtlich fast 2022 Millionen RMB erreichen.

In Bezug auf die Kapazitätserweiterung hat BYD für dieses Jahr neue Projekte geplant. Am 15. Juni 2023 kündigte das Shenzhen Ecological Environment Bureau das Erweiterungsprojekt der Pilotlinie für Kohlenstoffkarbid-Epitaxie von BYD an. Mit einer Investition von 214 Millionen RMB soll die Produktionskapazität für SiC-Epitaxie-Wafer auf 18,000 Wafer pro Jahr erhöht werden. Das Projekt umfasst die Installation der Ausrüstung und soll bis September 2023 abgeschlossen sein.

Neben epitaktischen Wafern hat BYD auch bei der SiC-Substrattechnologie bedeutende Fortschritte erzielt. Die Leistung von 4-Zoll-SiC-Wafern hat weltweit führende Werte erreicht.

BYD plant, 3.1 Milliarden RMB in drei Projekte zu investieren, wobei 730 Millionen RMB für SiC-Projekte vorgesehen sind, darunter eine neue Fertigungslinie für SiC-Leistungshalbleiterwafer in Ningbo. Nach Fertigstellung wird die neue Anlage eine monatliche Produktionskapazität von 20,000 SiC-Wafern haben; die Bauzeit beträgt fünf Jahre.

Halbleiter der dritten Generation, vertreten durch Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN), sind Kernmaterialien in strategischen aufstrebenden Industrien und werden in Chinas 14. Fünfjahresplan und der Vision 2035 hervorgehoben. Im Kontext der Kohlenstoffneutralität und der Transformation des neuen Energiesystems haben diese Materialien breite Anwendungsaussichten in den Bereichen Windkraft, Photovoltaik, Fahrzeuge mit alternativer Energie und Energiespeicherung.

Branchenprognosen gehen davon aus, dass der SiC-Produktmarkt bis 2026 3.5 Milliarden US-Dollar erreichen wird und die Nachfrage nach GaN-Stromversorgungsprodukten auf 2.1 Milliarden US-Dollar steigen wird. In jüngster Zeit haben inländische Unternehmen wie Sanan, InnoSeco und Silan Minggan aktiv GaN-Projekte entwickelt, mit rund 26 Projekten entlang der gesamten Industriekette. Auch führende internationale Unternehmen wie Infineon weiten ihre GaN-Initiativen aggressiv aus.

Auf dem Markt für SiC-Leistungsbauelemente ist STMicroelectronics weltweit führend, angetrieben von der Nachfrage von Tesla. Unternehmen wie Wolfspeed, ON Semiconductor und ROHM folgen. Wichtige Investitions- und Innovationsbereiche sind die Segmente Substrate, Epitaxie und Chips. Während 6-Zoll-SiC-Substrate jetzt stabil in der Produktion sind, werden 8-Zoll-Substrate noch immer kommerziell erkundet, wobei Wolfspeed am schnellsten vorankommt und inländische Unternehmen derzeit Muster oder Kleinmengen liefern.