BYD Semiconductor se centra en la investigación y el desarrollo, la producción y la venta de semiconductores de potencia, circuitos integrados de control inteligente, sensores inteligentes y semiconductores optoelectrónicos. Sus productos se utilizan ampliamente en los sectores de la automoción, la industria, los electrodomésticos, las energías renovables y la electrónica de consumo.

En el sector automotriz, aprovechando su experiencia en semiconductores de grado automotriz, BYD Semiconductor ahora produce en masa IGBT, dispositivos de SiC, módulos integrados de control (IPM), microcontroladores (MCU), sensores de imagen CMOS, sensores electromagnéticos y componentes LED. Estos productos abarcan el control de motores, la gestión térmica, el control de la carrocería, la gestión de baterías, la imagen en el vehículo y los sistemas de iluminación. La compañía también está desarrollando semiconductores de alta tecnología de grado automotriz, como BMS AFE, para abordar las deficiencias de la industria y apoyar el desarrollo de alta calidad de vehículos de nueva energía, con el objetivo de lograr un crecimiento autónomo, seguro y rápido en la industria china de chips para automóviles.

En el campo de Dispositivos SiCLos productos de BYD Semiconductor incluyen principalmente dispositivos individuales de SiC y módulos de SiC.Utilizan un modelo IDM y han establecido una cadena industrial completa que abarca el diseño de chips, la fabricación de obleas, el empaquetado y prueba de módulos y las pruebas de aplicaciones a nivel de sistema. BYD es un líder mundial y la única empresa nacional que ha logrado una aplicación a gran escala de módulos de puente completo trifásicos de SiC en controladores de accionamiento de motores para vehículos eléctricos de alta gama. Sus productos IGBT y SiC se suministran principalmente a los vehículos internos del Grupo BYD. pero también a otros fabricantes como Sokon, Yutong, Foton, Ruiling, Beijing Times, Inovance, Blue Sea Huateng y Huichuan Technology.

BYD ha utilizado carburo de silicio (SiC) en vehículos durante 5 o 6 años, inicialmente en cargadores de a bordo (OBC) y más tarde en resortes de a bordo y controles eléctricos. Sus ingresos por ventas de módulos de SiC en 2020 y 2021 fueron de 142 millones de RMB y 114 millones de RMB respectivamente. Mostrando una tendencia al alza y acercándose a sus ventas anteriores de módulos IGBT. Los márgenes brutos fueron altos, del 55.55 % y el 62.44 %, con precios unitarios entre dos y tres veces superiores a los de los IGBT. En 2021, los ingresos por dispositivos SiC de BYD se acercaron a los 200 millones de RMB y se espera que alcancen casi 500 millones de RMB en 2022.

En cuanto a la ampliación de la capacidad, BYD ha planificado nuevos proyectos para este año. El 15 de junio de 2023, la Oficina de Medio Ambiente Ecológico de Shenzhen anunció el proyecto de ampliación de la línea piloto de producción de obleas epitaxiales de carburo de carbono de BYD, con una inversión de 214 millones de RMB para aumentar la capacidad de producción de obleas epitaxiales de SiC a 18,000 obleas al año. El proyecto incluye la instalación de equipos y está previsto que finalice en septiembre de 2023.

Además de las obleas epitaxiales, BYD también ha logrado avances significativos en la tecnología de sustratos de SiC. El rendimiento de las obleas de SiC de 4 pulgadas ha alcanzado niveles líderes a nivel mundial.

BYD planea invertir 3.1 millones de RMB en tres proyectos, de los cuales 730 millones de RMB se destinarán a proyectos de SiC, incluida una nueva línea de fabricación de obleas de semiconductores de potencia de SiC en Ningbo. Una vez completada, la nueva instalación tendrá una capacidad de producción mensual de 20,000 obleas de SiC y su construcción durará cinco años.

Los semiconductores de tercera generación, representados por el carburo de silicio (SiC) y el nitruro de galio (GaN), son materiales fundamentales en industrias estratégicas emergentes y se destacan en el XIV Plan Quinquenal de China y su Visión 14. En el contexto de la neutralidad de carbono y la transformación del nuevo sistema energético, estos materiales tienen amplias perspectivas de aplicación en la energía eólica, la fotovoltaica, los vehículos de nueva energía y el almacenamiento de energía.

Las previsiones de la industria predicen que, para 2026, el mercado de productos de SiC alcanzará los 3.5 millones de dólares y la demanda de productos de energía de GaN crecerá hasta los 2.1 millones de dólares. Recientemente, empresas nacionales como Sanan, InnoSeco y Silan Minggan han estado desarrollando activamente proyectos de GaN, con alrededor de 26 proyectos en toda la cadena industrial. Empresas internacionales líderes como Infineon también están expandiendo agresivamente sus iniciativas de GaN.

En el mercado de dispositivos de potencia de SiC, STMicroelectronics es líder a nivel mundial, impulsado por la demanda de Tesla. Le siguen empresas como Wolfspeed, ON Semiconductor y ROHM. Las áreas clave de inversión e innovación son los segmentos de sustratos, epitaxia y chips. Si bien los sustratos de SiC de 6 pulgadas ahora se encuentran en producción estable, los sustratos de 8 pulgadas aún están en exploración de comercialización, y Wolfspeed avanza más rápido y las empresas nacionales actualmente brindan muestras o suministros a pequeña escala.