В этой статье обсуждается важность и преимущества применения импульсных регуляторов в проектировании электронных систем, представлены различные типы импульсных преобразователей и сравниваются различия между линейными регуляторами и импульсными источниками питания (SMPS). Кроме того, в статье приводится подробная информация о нескольких продуктах импульсных регуляторов от SLKOR Полупроводники, которые характеризуются высокой эффективностью, компактными размерами и низким током в режиме ожидания. В статье также подчеркивается важность высокоэффективного и миниатюрного преобразования энергии в дизайне современных электронных устройств.

В этой статье рассматривается технология Wi-Fi 7 и критическая важность управления частотой, а также рассматривается, как такие технологии, как автоматическая координация частот (AFC), многоканальная работа (MLO) и квадратурная амплитудная модуляция 4K (4K QAM), дополнительно повышают производительность Wi-Fi 7.

В этой статье описываются принципы работы микрофонных датчиков и их широкое применение в современных технологиях. Микрофоны преобразуют акустическую энергию в электрическую посредством колебаний диафрагмы, используя механизмы преобразования, такие как электромагнитные, емкостные, MEMS или пьезоэлектрические методы для достижения преобразования сигнала. Выходной сигнал оптимизируется посредством предварительного усиления и обработки сигнала.

В данной статье рассматриваются два метода управления светодиодным освещением: драйверы постоянного тока и драйверы постоянного напряжения. Выбор между ними зависит от требований к применению. Драйверы постоянного тока подходят для крупномасштабных применений, в то время как драйверы постоянного напряжения идеально подходят для экономичных сценариев, требующих гибкой регулировки количества светодиодов.

Сборка печатных плат (PCBA) — это процесс монтажа электронных компонентов на печатную плату (PCB) для создания функциональных электронных устройств. Этот критический этап связывает проектирование и производство, превращая пустые платы в системы, питающие современную бытовую электронику. Для групп по закупкам и проектированию понимание PCBA обеспечивает экономически эффективный поиск и надежную работу продукта. Процесс включает в себя пайку компонентов, таких как резисторы, конденсаторы и микросхемы, на печатные платы с использованием таких методов, как технология поверхностного монтажа (SMT) или монтаж в сквозные отверстия.

В этой статье мы сравниваем усилители считывания тока и дифференциальные усилители, анализируя их архитектуры, эксплуатационные характеристики и различия в применении. Подчеркиваются преимущества усилителей считывания тока в полосе пропускания, коэффициенте подавления синфазного сигнала (CMRR) и высокочастотных применениях.

Узнайте все о печатных платах, включая их историю, характеристики, параметры, роли, области применения и ведущих производителей. Обязательное чтение для групп по закупкам и проектированию в сфере потребительской электроники.

Полупроводниковая сборочно-испытательная установка или полупроводниковая сборочно-испытательная установка играет важнейшую роль в экосистеме производства электроники. Эти установки специализируются на заключительных этапах производства полупроводников, включая упаковку интегральных схем (ИС) и тщательное тестирование их функциональности. Для групп по закупкам и проектированию в сфере потребительской электроники понимание возможностей полупроводниковой сборочно-испытательной установки обеспечивает эффективное управление цепочкой поставок и надежность продукции.

MB10F — это мостовой выпрямитель поверхностного монтажа со стеклянной пассивацией, относящийся к серии MB05F-MB10F, в формованном пластиковом корпусе MB-F для поверхностного монтажа. Он отличается низким прямым падением напряжения и высокой токовой устойчивостью для преобразования переменного тока в постоянный. Электрические параметры тестировались при температуре окружающей среды 25℃. Для применений с емкостной нагрузкой требуется снижение номинального тока. Он широко используется в схемах выпрямления источников питания средней и малой мощности. 1. Основные параметры продукта Механические параметры Тип упаковки: формованная пластиковая упаковка MB-F Клеммы: Паяемые контактные площадки с покрытием, соответствующие методу 208 стандарта MIL-STD-202. Ориентировочный вес: 0.134 g Положение при монтаже: Возможность монтажа в любой ориентации. Маркировка: Номер детали напечатан на корпусе компонента. Экологичная версия: доступен вариант без содержания свинца, соответствующий требованиям RoHS. Основные размеры (единица измерения: мм): А: 4.50~4.95 Б: 3.60~4.10 С: 0.15 ~ 0.35 D: Макс. 0.20 E: 6.40~7.00 Г: 0.50~1.10 H: 1.30~1.70 J: 1.20~1.60 К: 2.30~2.70 Л: Макс. 1.80 Максимальные электрические характеристики (при температуре окружающей среды 25℃) Пиковое повторяющееся обратное напряжение: 1000 В Режим работы: однофазный полуволновой, 60 Гц, для резистивных и индуктивных нагрузок; при работе с емкостной нагрузкой обязательно снижение номинального тока на 20 %. Номинальный средний выпрямленный выходной ток: максимум 0.8 А на печатной плате с алюминиевой подложкой; максимум 0.5 А на печатной плате со стеклоэпоксидным покрытием. Класс воспламеняемости: UL94V-0 2. Основные характеристики продукта Конструкция кристалла с пассивацией стеклом обеспечивает повышенную надежность. Низкое падение прямого напряжения для уменьшения потерь мощности при проводимости. Высокая устойчивость к импульсным токам, в том числе к кратковременным скачкам напряжения. Корпус MB-F оптимизирован для поверхностного монтажа и производства SMT. Материал упаковки соответствует требованиям огнестойкости UL94V-0. Доступна версия без свинца, соответствующая требованиям RoHS, для нужд экологически чистой электроники. Произвольная ориентация при монтаже накладывает меньше ограничений на компоновку печатной платы. 3 Основные области применения Схемы вторичного выпрямления для малогабаритных импульсных источников питания и адаптеров. Модули выпрямления переменного тока на платах управления бытовой техники. Выпрямительные блоки для источников питания светодиодов. Схемы выпрямления переменного тока в постоянный на различных печатных платах бытовой электроники. Выпрямление для маломощных промышленных источников питания сигналов. 4. Рекомендации по инженерному проектированию Снижение номинального тока: уменьшите рабочий ток на 20 % при работе схемы с емкостными нагрузками. Расположение контактных площадок на печатной плате: соблюдайте рекомендуемую площадь контактных площадок 1.3 мм². Печатные платы с алюминиевой подложкой обеспечивают лучшее рассеивание тепла и поддерживают более высокий выходной ток, чем платы с стеклоэпоксидным покрытием. Снижение выходного тока при изменении температуры окружающей среды: допустимый выходной ток уменьшается с повышением температуры окружающей среды. В условиях высоких температур должен быть обеспечен достаточный запас по току. Допустимые импульсные токи: Обратите внимание на пусковой импульсный ток при включении питания. Проверьте номинальные значения циклов импульсных токов, чтобы избежать повреждения компонентов из-за частых скачков тока. Запас по обратному напряжению: фактическое рабочее обратное напряжение никогда не должно превышать повторяющееся пиковое обратное напряжение; должен быть обеспечен достаточный запас по напряжению. Применение в высокочастотных приложениях: компонент обладает емкостью перехода. Оцените его влияние на схему в условиях высокочастотной работы. Пайка: Клеммы должны соответствовать заданным требованиям к паяемости. Пайка должна производиться в соответствии со стандартными технологическими спецификациями для поверхностного монтажа. 5. Краткое описание продукта MB10F — это мостовой выпрямитель для поверхностного монтажа в корпусе MB-F с выдерживаемым напряжением 1000 В, подходящий для автоматизированной сборки SMT. Он обеспечивает хорошую устойчивость к импульсным токам и низкие потери проводимости. На его характеристики существенно влияют материал печатной платы, температура окружающей среды и тип нагрузки. Снижение номинальных параметров по току и температуре должно быть учтено на этапе проектирования оборудования. Это устройство предназначено для схем выпрямления переменного тока средней и малой мощности и широко используется в бытовой электронике, бытовой технике и миниатюрных источниках питания. Его бессвинцовый вариант соответствует экологическим требованиям RoHS. О Слкоре: Slkor имеет научно-исследовательские и опытно-конструкторские офисы в Пусане (Южная Корея), Пекине (Китай) и Сучжоу (Китай). Большая часть производства, упаковки и тестирования пластин осуществляется в Китае. Компания нанимает и сотрудничает с отдельными лицами и организациями по всему миру, имеет лабораторию для тестирования производительности и надежности продукции и центральный склад, расположенный в ее штаб-квартире в Шэньчжэне. Slkor подала заявки на более чем сто патентов на изобретения, предлагает более 2,000 моделей продукции и обслуживает более десяти тысяч клиентов по всему миру. Ее продукция экспортируется в страны и регионы, включая Европу, Америку, Юго-Восточную Азию и Ближний Восток, что делает ее одной из быстрорастущих полупроводниковых компаний за последние годы. Благодаря хорошо отлаженным системам управления и оптимизированным рабочим процессам Slkor быстро повысила узнаваемость бренда и репутацию своего "SLKOR» благодаря выдающемуся качеству и стандартизированным услугам. Ассортимент продукции включает три основные серии: диодs, транзисторы и силовые устройства, с недавним выпуском новых продуктов, таких как элементы Холла и аналоговые устройства, расширяя свое присутствие в датчиках, микроконтроллерах Risc-v и других категориях продуктов. MB10F На страницу товара

Технология производства устройств на основе карбида кремния (SIC) имеет много общего с производством кремниевых компонентов, однако возникает вопрос, повлияют ли различия в материалах на эффективность очистки. Различия в параметрах материалов включают коэффициент диффузии, поверхностную энергию и прочность химической связи. Все они играют роль в очистке ключевых поверхностей. В данной работе будет проведено сравнение уровня загрязнения поверхности карбидных чипов 4H4H4H1010H размером 100 мм и 150 мм после измерения с помощью ртутного зонда (MCV). В течение периода измерения с помощью MCV контролировались следовые количества металлов, таких как ртуть, железо и никель, и различные методы очистки позволили восстановить чистоту поверхности карбида кремния до уровня ниже 5 × 2¹⁰ атомов/см². Обсуждаются эти методы очистки в интегрированных процессах производства устройств.

Ниже представлена схема переключения NMOS-транзистора. Пошаговый сигнал VG1 устанавливается на постоянный уровень 2 В, сигнал типа «клык» (амплитуда 2 В, частота 50 Гц), напряжение открытия транзистора T2 составляет 2 В, поэтому транзистор T2 MOS-транзистора открывается и отключается на цикле T = 20 мс. Переключение. Прежде всего, будем использовать формы сигналов VGS и VDS. Когда вы видите VGS = 2 В, наблюдается небольшая платформа. Некоторые могут задаться вопросом, почему VGS имеет небольшую платформу при подъеме? Платформа VGS MOS-транзистора вызвала этот вопрос. Мы попробовали изменить сопротивление R1 с 5 кОм на 1 кОм, провели повторное моделирование и обнаружили, что эта платформа стала небольшой и почти исчезла. Почему так произошло? Небольшая платформа VGS MOS-транзистора улучшилась.

Силовые транзисторы появились в середине XX века. После почти 30 лет развития сочетание технологий MOS и BJT породило технологию IGBT. Благодаря постоянному совершенствованию, IGBT в настоящее время широко используется в автомобилестроении, сварочном оборудовании, аэрокосмической отрасли и других областях. В данной статье рассматривается структура и принцип работы IGBT, а также объясняется его применение в электромобилях, что поможет специалистам полностью понять принцип работы IGBT и его технологическое развитие в области электромобилей. В условиях усиления глобального потепления и ухудшения состояния окружающей среды, для снижения давления в области энергосбережения и сокращения выбросов, в нашей стране поставлены высокие цели. Для достижения этой цели мы активно поддерживаем развитие электромобилей. Основным элементом силового агрегата электромобиля является тяговый инвертор, который преобразует постоянный ток, вырабатываемый батареей, в трехфазный источник энергии.

Программа. По данным французского исследовательского института Yole & Eacute; Veloppement, к 2025 году выручка рынка SIC-устройств составит более 10% от общего рынка силовой электроники, а доля выручки от устройств GAN превысит 2%. Среди известных поставщиков SIC-компонентов можно назвать SEF Semiconductors (ST), Cree/Wolfspeed, Rom, Yingfeeling, Ansonmi Semiconductor (на SEMI).

Аннотация: Традиционная силовая электронная упаковка в основном основана на технологиях двухмерной плоской упаковки, таких как «фазанийное соединение» и «свинцовые соединения», которые не могут обеспечить надежное применение полупроводниковых приборов третьего поколения в высокочастотных, высоковольтных и высокотемпературных условиях. Для решения этой проблемы двухмерная плоская упаковка постепенно трансформировалась в трехмерную упаковку и развивалась. В данной работе обобщены и проанализированы достижения в исследованиях ключевых материалов и структурного проектирования в технологии силовой электронной упаковки. Соединительные материалы постепенно развивались от мельчайших компонентов до золотых «равиоли», переходных жидкостных восточных соединительных материалов и высокотемпературных материалов, таких как спеченное серебро. Технология соединений постепенно развивалась от «свинцовых соединений» до двухстороннего охлаждения, интеграции устройств и вертикального перекрытия. Межслойные соединения и так далее. За счет устранения эффекта вытягивания выводов, интеграции различных микросхем и устройств повышается плотность мощности, а двухстороннее охлаждение улучшает эффективность рассеивания тепла. Трехмерная интегрированная упаковка обладает огромным рыночным потенциалом, который будет

Заметки для любителя, увлекающегося микросхемами из карбида кремния. Разбор литературы, новости отрасли, иногда что-то новое, небо пусто. Этот публичный аккаунт носит личный характер, предназначен исключительно для личного хобби и не преследует коммерческих целей. Если в статье есть неточности, прошу прощения. Некоторые увлечения — выращивание цветов и травы, пение и рыбалка, другие любят писать в Твиттере. В последние годы я люблю читать книги по выходным и изучать новые материалы и технологии устройств. Заголовок: Делай что-нибудь интересное и делай это с душой. Я рассказал несколько слов об IP Романа Шуанлоу.

Согласно статистике, на китайском рынке насчитывается 300 миллионов двухколесных и трехколесных электромобилей. В 2019 году в моей стране было продано 36.09 миллионов электромобилей, из которых 34.64 миллиона были наиболее активными пользователями. С официальным введением нового национального стандарта 15 апреля 2019 года объем продаж литиевых батарей в Китае достиг 6.8 миллионов единиц, а уровень проникновения литиевых батарей в Китае составил 18.8%. В индустрии двухколесных транспортных средств литиевые батареи стали неизбежной тенденцией, особенно на рынке, где появилось большое количество электромобилей совместного использования и литиевых батарей, что еще больше способствовало развитию больших объемов интеллектуальных систем управления батареями (BA).

В сентябре 2020 года моя страна уточнила цель достижения пика выбросов углерода к 2030 году и углеродной нейтральности к 2060 году. Достижение нулевых выбросов в течение следующих сорока лет станет для Китая сложной задачей. Для автомобильной промышленности двигатель занимает важное место. Согласно статистике, в нашей стране двигатели потребляют 69% от общего потребления электроэнергии всем обществом ежегодно, что составляет около 75% электроэнергии, потребляемой промышленностью. Поэтому сокращение выбросов углерода в течение всего жизненного цикла двигателя и ускорение процесса сокращения выбросов углерода являются важной задачей, стоящей перед автомобильной промышленностью. Технология частотно-регулируемого управления скоростью позволяет точно контролировать скорость двигателя переменного тока и обеспечивать его работу в энергосберегающем режиме. Это ключевая мера для регулирования скорости традиционных систем двигателей и повышения эффективности их работы. Традиционные инверторы характеризуются большими габаритами, низкой производительностью и высокой ценой. Кроме того,

Он широко используется в импульсных источниках питания, управлении двигателями, электроинструментах и других отраслях промышленности. Затвор является относительно слабым звеном в самом MOSFET. Если схема спроектирована неправильно, это легко может привести к отказу устройства и даже системы. Поэтому в этой статье мы организуем схемы, часто используемые в MOSFET, для вашего ознакомления. Вы также можете поделиться своими собственными взглядами. Общие преимущества схем с затвором MOSFET заключаются в следующем: 1. Устранение шума, связанного с цепью, и повышение надежности системы.

Схема DC-DC преобразователя намного сложнее, чем у LDO, и уровень шума выше. Требования к компоновке и её характеристикам выше. Качество компоновки напрямую влияет на производительность DC-DC преобразователя, поэтому понимание компоновки DC-DC преобразователя крайне важно. 1. Плохая компоновка приводит к электромагнитным помехам: на выводах переключателей DC-DC преобразователя будет наблюдаться высокое значение DV/DT, что вызовет относительно большие электромагнитные помехи; на линиях будет наблюдаться относительно большой шум переключателей, который повлияет на другие части схемы; падение напряжения на проводке, слишком длинная проводка приведет к увеличению времени работы.

В заключение отметим, что инженер-разработчик силовых микросхем, конечно же, часто сталкивается с различными чипами. Некоторые инженеры могут быть незнакомы с внутренним устройством микросхемы. Многие студенты, работая с новой микросхемой, сразу заходят на страницу описания её применения и строят внешнюю компоновку на основе рекомендованного проекта. Вот и всё. Таким образом, даже если применение выполнено хорошо, технические детали игнорируются, и они не накапливают необходимый опыт для своего технического развития. Рассмотрим сегодня в качестве примера DC/DC антигипертензивную силовую микросхему LM2675. В этом разделе подробно объясняются принципы внутреннего проектирования и структура микросхемы. Типичная схема применения LM2675-5.0 представлена в техническом описании LM2675.