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2SC4373-Y PNP-Bipolartransistor SOT-89
Der 2SC4373 ist ein NPN-Hochspannungs-Siliziumtransistor im SOT-89-Gehäuse für die Oberflächenmontage. Er zeichnet sich durch eine hohe Durchbruchspannung und exzellente hFE-Eigenschaften aus und ist primär für Hochspannungssignalverstärkung und Schaltanwendungen konzipiert. Mit einer Durchbruchspannung V<sub>BR</sub>C<sub>EO</sub> von 120 V und stabiler Verstärkung findet er breite Anwendung in verschiedenen elektronischen Steuer- und Treiberschaltungen.
Unsere Vorteile
- Hohe Nennspannung bis zu 120 V für stabilen Betrieb in Hochspannungsstromkreisen
- Hervorragende und stabile Gleichstromverstärkung (hFE) für zuverlässige Verstärkung
- SOT-89-Oberflächenmontagegehäuse mit guter thermischer Leistung
- Zwei hFE-Bin-Optionen (O/Y) für flexibles Schaltungsdesign
- Kompakte Größe, ideal für die Bestückung von Leiterplatten mit hoher Packungsdichte
- Breiter Temperaturbereich für industrielle und Verbraucheranwendungen
- Gurtverpackung für die automatische SMT-Produktion
Beschreibung
Der 2SC4373 ist ein NPN-Hochspannungs-Siliziumtransistor im SOT-89-Gehäuse für die Oberflächenmontage. Er zeichnet sich durch eine hohe Durchbruchspannung und exzellente hFE-Eigenschaften aus und ist primär für Hochspannungssignalverstärkung und Schaltanwendungen konzipiert. Mit einer Durchbruchspannung V<sub>BR</sub>C<sub>EO</sub> von 120 V und stabiler Verstärkung findet er breite Anwendung in verschiedenen elektronischen Steuer- und Treiberschaltungen.
Funktionen
- NPN-Hochspannungstransistor
- Hochspannung: V(BR)CBO, V(BR)CEO = 120 V
- Ausgezeichnete Gleichstromverstärkungseigenschaften
- Duale hFE-Klassifizierung: O (80–160) / Y (120–240)
- SOT-89 Oberflächenmontagegehäuse
- Übergangsfrequenz: fT = 120 MHz (typ.)
- Kollektorstrom: IC = 5 A
- Verlustleistung: PC = 150 W
- Lagertemperatur: −55℃ bis +150℃
- Kennzeichnungscodes: CO (O-Klasse), CY (Y-Klasse)
Anwendungen
- Hochspannungssignalverstärkungsschaltungen
- Steuerung und Regelung der Stromversorgung
- Elektronische Beleuchtungstreiberschaltungen
- Industrielle Steuermodule
- Unterhaltungselektronik
- Audio- und Kommunikationsgeräte
- Universeller Hochspannungsschalter
Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
Support
SS30101-Q PNP-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 120V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 1V fT(MHz)(fT(MHz))： 120MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 5A
2SD2098-R NPN-Bipolartransistor SOT-89
Marke: slkor， VCEO(V)： 120V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 1V fT(MHz)(fT(MHz))： 120MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 5A
MMDT4401 NPN-Bipolartransistor SOT-363
Marke: slkor， VCEO(V)： 120V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 1V fT(MHz)(fT(MHz))： 120MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 5A
2SC2757 T33 NPN Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 120V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 1V fT(MHz)(fT(MHz))： 120MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 5A
MMBT589 PNP-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 120V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 1V fT(MHz)(fT(MHz))： 120MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 5A
2SC2881-Y PNP-Bipolartransistor SOT-89
VCEO(V)： 120V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 1V fT(MHz)(fT(MHz))： 120MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 5A
MMDT5551 NPN-Bipolartransistor SOT-363
Marke: slkor， VCEO(V)： 120V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 1V fT(MHz)(fT(MHz))： 120MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 5A
M28S NPN-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 120V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 1V fT(MHz)(fT(MHz))： 120MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 5A
MMBT2222AT NPN-Bipolartransistor SOT-523
Marke: slkor， VCEO(V)： 120V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 1V fT(MHz)(fT(MHz))： 120MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 5A
MMBT2907AT PNP-Bipolartransistor SOT-523
Marke: slkor， VCEO(V)： 120V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 1V fT(MHz)(fT(MHz))： 120MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 5A
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Die Produktlinien von SLKOR umfassen diskrete Bauelemente, wie Dioden, Transistoren, Leistungsbauelemente; und integrierte Schaltkreischips, wie Linearregler, DC/DC-Chips, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS... Wir verfügen über jahrelang angesammelte Technologie im Bereich dedizierter Halbleiter.
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