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M28S NPN-Bipolartransistor SOT-23
Der M28S ist ein NPN-Bipolartransistor im SOT-23-Gehäuse für die Oberflächenmontage. Er zeichnet sich durch hohe Stromverstärkung, mittlere Strombelastbarkeit und niedrige Sättigungsspannung aus und ist für allgemeine Verstärkungs- und Schaltanwendungen in Unterhaltungselektronik und industriellen Steuerschaltungen konzipiert. Mit einem maximalen Kollektorstrom von 1 A und einer Verlustleistung von 0.625 W bietet er zuverlässigen Betrieb auch bei beengten Platzverhältnissen.
Unsere Vorteile
- Extrem hohe Gleichstromverstärkung bis zu 1000 für hochempfindliche Ansteuerung
- 1 A kontinuierlicher Kollektorstrom für Anwendungen mittlerer Leistung
- Kompaktes SOT-23-Gehäuse für die hochdichte Leiterplattenbestückung
- Hervorragende Verlustleistung bis zu 0.625 W
- Stabile elektrische Leistung über einen weiten Temperaturbereich
- Kennzeichnung: 28S, leicht zu identifizieren und zu verwenden
- Gurtverpackung, geeignet für die automatisierte SMT-Produktion
Beschreibung
Der M28S ist ein NPN-Bipolartransistor im SOT-23-Gehäuse für die Oberflächenmontage. Er zeichnet sich durch hohe Stromverstärkung, mittlere Strombelastbarkeit und niedrige Sättigungsspannung aus und ist für allgemeine Verstärkungs- und Schaltanwendungen in Unterhaltungselektronik und industriellen Steuerschaltungen konzipiert. Mit einem maximalen Kollektorstrom von 1 A und einer Verlustleistung von 0.625 W bietet er zuverlässigen Betrieb auch bei beengten Platzverhältnissen.
Funktionen
- NPN-Siliziumtransistor
- SOT-23 Oberflächenmontagegehäuse
- Hohe Gleichstromverstärkung: hFE = 300–1000
- Kontinuierlicher Kollektorstrom: IC = 1 A
- Verlustleistung: PC = 0.625 W
- VCBO = 40 V, VCEO = 20 V, VEBO = 6 V
- Übergangsfrequenz: fT = 100 MHz (typ.)
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
- Sperrschicht-/Lagertemperatur: −55℃ bis +150℃
- Kennzeichnungscode: 28S
Anwendungen
- Allgemeine Signalverstärkung
- Schaltkreise mittlerer Leistung
- LED-Treiber- und Anzeigemodule
- Tragbare elektronische Geräte
- Batteriebetriebene Geräte
- Unterhaltungselektronik und Haushaltsgeräte
- Industrielle Steuerungs- und Sensorschaltungen
Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
Support
SS30101-Q PNP-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 20V PD(W)(PD(W))： 625mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 550mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 1A
2SD2098-R NPN-Bipolartransistor SOT-89
Marke: slkor， VCEO(V)： 20V PD(W)(PD(W))： 625mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 550mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 1A
MMDT4401 NPN-Bipolartransistor SOT-363
Marke: slkor， VCEO(V)： 20V PD(W)(PD(W))： 625mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 550mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 1A
2SC4373-Y PNP-Bipolartransistor SOT-89
Marke: slkor， VCEO(V)： 20V PD(W)(PD(W))： 625mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 550mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 1A
2SC2757 T33 NPN Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 20V PD(W)(PD(W))： 625mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 550mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 1A
MMBT589 PNP-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 20V PD(W)(PD(W))： 625mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 550mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 1A
2SC2881-Y PNP-Bipolartransistor SOT-89
VCEO(V)： 20V PD(W)(PD(W))： 625mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 550mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 1A
MMDT5551 NPN-Bipolartransistor SOT-363
Marke: slkor， VCEO(V)： 20V PD(W)(PD(W))： 625mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 550mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 1A
MMBT2222AT NPN-Bipolartransistor SOT-523
Marke: slkor， VCEO(V)： 20V PD(W)(PD(W))： 625mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 550mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 1A
MMBT2907AT PNP-Bipolartransistor SOT-523
Marke: slkor， VCEO(V)： 20V PD(W)(PD(W))： 625mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 550mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 1A
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Die Produktlinien von SLKOR umfassen diskrete Bauelemente, wie Dioden, Transistoren, Leistungsbauelemente; und integrierte Schaltkreischips, wie Linearregler, DC/DC-Chips, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS... Wir verfügen über jahrelang angesammelte Technologie im Bereich dedizierter Halbleiter.
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