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Transistor bipolar BC860B PNP SOT-23
El BC860B es un transistor epitaxial de silicio PNP en encapsulado SOT-23 de montaje superficial. Está diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación, ofreciendo ganancia estable, bajo ruido y un rendimiento eléctrico constante. La versión de grado B proporciona un hFE de 220 a 450 para amplificación balanceada y control de conmutación.
Nuestras ventajas
- El encapsulado estándar SOT-23 admite el ensamblaje totalmente automatizado.
- Alta y estable ganancia de corriente continua para una amplificación de señal fiable.
- Bajo voltaje de saturación y baja fuga para una alta eficiencia.
- Amplia selección de voltaje para un diseño de circuitos flexible
- Tamaño ultracompacto, ideal para diseños de PCB de alta densidad.
- Amplio rango de temperatura de funcionamiento para aplicaciones industriales.
- Cumple con la normativa RoHS para la producción en masa a nivel mundial.
Mareas Ideales para Lecciones
El BC860B es un transistor epitaxial de silicio PNP en encapsulado de montaje superficial SOT-23. Está diseñado para Aplicaciones de conmutación y amplificaciónOfrece ganancia estable, bajo nivel de ruido y un rendimiento eléctrico constante. La versión de grado B proporciona un hFE de 220 a 450 para amplificación balanceada y control de conmutación.
CARACTERÍSTICAS
- transistor epitaxial de silicio PNP
- encapsulado de montaje superficial miniatura SOT-23
- Para aplicaciones de conmutación y amplificador
- VCBO = −50V, VCEO = −45V, VEBO = −5V
- Ganancia de corriente continua (hFE): 220–450 (rango B)
- Corriente continua del colector: IC = −100 mA
- Corriente máxima del colector: ICM = −200 mA
- Disipación de potencia: Ptot = 200 mW
- Frecuencia de transición: fT = 100 MHz (típ.)
- Factor de ruido bajo: NF = 4 dB
- Temperatura de unión/almacenamiento: −65℃ a +150℃
- Marcado: 4F
Aplicaciones
- Amplificación de señal de uso general
- Circuitos de conmutación de baja potencia
- Módulos amplificadores de audiofrecuencia
- Electrónica de consumo portátil
- Dispositivos alimentados por batería
- Interfaces de control y sensores industriales
- Diseños de circuitos SMT de alta densidad
Nombre
Título
Descripción
Ficha técnica
Soporte
Transistor bipolar PNP SS30101-Q SOT-23
Marca: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： -- VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolar NPN 2SD2098-R SOT-89
Marca: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： -- VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolar NPN MMDT4401 SOT-363
Marca: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： -- VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolar PNP 2SC4373-Y SOT-89
Marca: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： -- VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolar NPN 2SC2757 T33 SOT-23
Marca: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： -- VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolar SOT-589 MMBT23 PNP
Marca: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： -- VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolar PNP 2SC2881-Y SOT-89
VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： -- VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolar MMDT5551 NPN SOT-363
Marca: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： -- VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolar NPN M28S SOT-23
Marca: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： -- VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolar NPN MMBT2222AT SOT-523
Marca: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： -- VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
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Las líneas de productos de SLKOR incluyen dispositivos discretos, etc., diodos, transistores, dispositivos de potencia; y chips de circuitos integrados, etc., reguladores lineales, chips DC/DC, chips de interfaz, sensores Hall, ADC y BMS... Tenemos años de tecnología acumulada en semiconductores dedicados.
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