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BC860B PNP-Bipolartransistor SOT-23
Der BC860B ist ein PNP-Silizium-Epitaxietransistor im SOT-23-Gehäuse für die Oberflächenmontage. Er ist für Schalt- und Verstärkeranwendungen konzipiert und bietet stabile Verstärkung, geringes Rauschen und konsistente elektrische Eigenschaften. Die B-Variante liefert einen hFE-Wert von 220 bis 450 für symmetrische Verstärkung und Schaltsteuerung.
Unsere Vorteile
- Das Standard-SOT-23-Gehäuse unterstützt die vollautomatische Montage.
- Hohe und stabile Gleichstromverstärkung für zuverlässige Signalverstärkung
- Niedrige Sättigungsspannung und geringe Leckströme für hohe Effizienz
- Breiter Spannungsbereich für flexible Schaltungsentwicklung
- Ultrakompakte Größe, ideal für hochdichte Leiterplattenlayouts
- Großer Betriebstemperaturbereich für industrielle Anwendungen
- RoHS-konform für die globale Massenproduktion
Beschreibung
Der BC860B ist ein PNP-Silizium-Epitaxietransistor im SOT-23-Oberflächenmontagegehäuse. Er ist für folgende Anwendungen konzipiert: Schalt- und VerstärkeranwendungenSie bietet stabile Verstärkung, geringes Rauschen und gleichbleibende elektrische Leistung. Die B-Variante liefert einen hFE-Wert von 220 bis 450 für symmetrische Verstärkung und Schaltsteuerung.
Funktionen
- PNP-Silizium-Epitaxietransistor
- SOT-23 Miniatur-Oberflächenmontagegehäuse
- Für Schalt- und Verstärkeranwendungen
- VCBO = −50 V, VCEO = −45 V, VEBO = −5 V
- Gleichstromverstärkung (hFE): 220–450 (Rang B)
- Kontinuierlicher Kollektorstrom: IC = −100 mA
- Spitzenkollektorstrom: ICM = −200 mA
- Verlustleistung: Ptot = 200 mW
- Übergangsfrequenz: fT = 100 MHz (typ.)
- Niedriges Rauschmaß: NF = 4 dB
- Sperrschicht-/Lagertemperatur: −65℃ bis +150℃
- Kennzeichnung: 4F
Anwendungen
- Allgemeine Signalverstärkung
- Niedrigleistungs-Schaltkreise
- Audiofrequenzverstärkermodule
- Tragbare Unterhaltungselektronik
- Batteriebetriebene Geräte
- Industrielle Steuerungs- und Sensorschnittstellen
- SMT-Schaltungsdesigns mit hoher Dichte
Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
Support
SS30101-Q PNP-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： -- VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
2SD2098-R NPN-Bipolartransistor SOT-89
Marke: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： -- VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
MMDT4401 NPN-Bipolartransistor SOT-363
Marke: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： -- VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
2SC4373-Y PNP-Bipolartransistor SOT-89
Marke: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： -- VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
2SC2757 T33 NPN Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： -- VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
MMBT589 PNP-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： -- VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
2SC2881-Y PNP-Bipolartransistor SOT-89
VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： -- VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
MMDT5551 NPN-Bipolartransistor SOT-363
Marke: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： -- VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
M28S NPN-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： -- VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
MMBT2222AT NPN-Bipolartransistor SOT-523
Marke: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： -- VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Die Produktlinien von SLKOR umfassen diskrete Bauelemente, wie Dioden, Transistoren, Leistungsbauelemente; und integrierte Schaltkreischips, wie Linearregler, DC/DC-Chips, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS... Wir verfügen über jahrelang angesammelte Technologie im Bereich dedizierter Halbleiter.
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