Berita
Berita
MOSFET Saluran-N Slkor SL10N65F: FET Kuasa Voltan Tinggi 650V 10A HINGGA 220F
2026-09-23 20
SL10N65F ialah MOSFET kuasa voltan tinggi saluran-N yang dibungkus dalam TO-220F. Voltan kerosakan sumber salirannya ialah 650 V, dan arus saliran berterusan mencapai 10 A pada 25 °C. Menampilkan cas get rendah, kelajuan pensuisan pantas dan imuniti dv/dt yang sangat baik, peranti ini 100% diuji avalanche dan mematuhi RoHS. Ia sesuai untuk pelbagai peralatan elektronik kuasa SMPS frekuensi tinggi, yang digunakan secara meluas dalam bekalan kuasa LED, balast elektronik dan aplikasi lain. Dokumen ini meringkaskan parameter elektriknya, ciri utama, skop aplikasi dan garis panduan kejuruteraan.


1. Parameter Produk Teras

1.1 Penilaian Maksimum Mutlak pada Suhu Kes 25 Darjah Celsius

  1. Voltan kerosakan sumber longkang ialah 650 volt.
  2. Arus saliran berterusan mencapai 10 ampere pada suhu kes 25 darjah Celsius, dan 6.3 ampere pada suhu kes 100 darjah Celsius.
  3. Arus saliran berdenyut maksimum ialah 40 ampere.
  4. Voltan sumber get maksimum yang dibenarkan ialah tambah dan tolak 30 volt.
  5. Tenaga runtuhan salji denyut tunggal ialah 427 milijoule, dan tenaga runtuhan salji berulang ialah 43 milijoule.
  6. Jumlah pelesapan kuasa maksimum ialah 41.8 watt. Pada suhu melebihi 25 darjah Celsius, pelesapan kuasa hendaklah dikurangkan sebanyak 0.33 watt untuk setiap kenaikan suhu satu darjah Celsius.
  7. Suhu simpang operasi adalah antara -55 darjah Celsius hingga 150 darjah Celsius. Suhu penyimpanan adalah antara -55 darjah Celsius hingga 150 darjah Celsius. Suhu pematerian pin maksimum yang dibenarkan ialah 300 darjah Celsius.

1.2 Ciri-ciri Elektrik Utama pada Suhu Persimpangan 25 Darjah Celsius

  1. Voltan ambang pintu adalah antara 2.5 volt hingga 4.5 volt.
  2. Rintangan keadaan aktif sumber saliran maksimum ialah 0.94 ohm.
  3. Jumlah cas get biasa ialah 35 nanocoulomb.
  4. Kapasitans pemindahan songsang biasa ialah 22 pikofarad.
  5. Voltan hadapan maksimum diod badan terbina dalam ialah 1.5 volt.
  6. Masa pemulihan terbalik biasa bagi diod badan ialah 511 nanosaat.
  7. Bagi parameter rintangan haba, rintangan haba simpang-ke-kes maksimum ialah 2.99 darjah Celsius setiap watt, dan rintangan haba simpang-ke-ambien maksimum ialah 47.21 darjah Celsius setiap watt.

1.3 Maklumat Pakej dan Pesanan

  1. Peranti ini menggunakan pakej TO-220F. Pin 1 merujuk kepada pintu pagar, pin 2 merujuk kepada longkang, dan pin 3 merujuk kepada sumber.
  2. Tanda peranti yang dicetak pada badan komponen ialah SL10N65F.
  3. Ia dibekalkan dalam pembungkusan tiub. Berat peranti biasa ialah 2.2 gram. Model ini tidak bebas halogen.

2. Ciri-ciri Produk Teras

  1. Cas get jumlah yang rendah mengurangkan kehilangan kuasa dalam litar pemacu dan memudahkan reka bentuk litar pemacu frekuensi tinggi.
  2. Kapasitans pemindahan songsang yang rendah mengurangkan gangguan pensuisan yang disebabkan oleh kesan Miller.
  3. Respons pensuisan pantas sesuai dengan pelbagai keadaan operasi frekuensi tinggi.
  4. Semua peranti menjalani ujian runtuhan salji dan menawarkan keupayaan yang andal untuk keadaan pensuisan induktif tanpa pengapit.
  5. Kekebalan yang sangat baik terhadap transien voltan yang mendadak mengurangkan risiko pengaktifan palsu yang dicetuskan oleh transien voltan.
  6. Produk ini mematuhi piawaian alam sekitar RoHS.

3. Medan Aplikasi Utama

  1. Bekalan kuasa mod suis berkecekapan tinggi
  2. Balast lampu elektronik berdasarkan topologi separuh jambatan
  3. Bekalan kuasa LED
  4. Litar elektronik kuasa frekuensi tinggi lain yang memerlukan MOSFET saluran-N voltan tinggi

4. Cadangan untuk Reka Bentuk Kejuruteraan

  1. Pengurusan termaPeranti ini mempunyai rintangan haba simpang-ke-ambien yang tinggi. Penyejuk haba mesti dipasang di bawah keadaan operasi berkuasa tinggi. Penyejukan semula jadi oleh komponen kosong sahaja tidak boleh diterima. Arus berterusan yang dibenarkan berkurangan apabila suhu bekas meningkat. Penyahpecutan arus hendaklah dilakukan mengikut suhu bekas sebenar semasa operasi peralatan.
  2. Litar Pemacu GerbangVoltan ambang get berada antara 2.5 volt dan 4.5 volt. Voltan pemacu 10 volt disyorkan untuk mencapai rintangan keadaan hidup nominal. Rintangan get yang sesuai hendaklah disusun dalam gelung pemacu untuk menyekat lonjakan voltan, mencegah pengaktifan palsu dan kehilangan pensuisan imbangan. Voltan sumber get tidak boleh melebihi tambah dan tolak 30 volt, bagi mengelakkan kerosakan kerosakan pada lapisan oksida get.
  3. Beban Induktif dan Keadaan Salji RuntuhWalaupun peranti ini boleh menahan tekanan runtuhan salji, tenaga denyut tunggal dan tenaga runtuhan salji berulang sebenar tidak boleh melebihi nilai undian yang dinyatakan dalam lembaran data. Bagi litar dengan beban induktif, tekanan hentaman yang dibawa oleh pensuisan induktif tanpa pengapit hendaklah dinilai sepenuhnya.
  4. Nota Aplikasi untuk Diod BadanDiod badan saliran sumber disepadukan di dalam peranti, namun masa pemulihan terbaliknya agak lama. Jika litar sensitif terhadap kehilangan pemulihan freewheeling, diod pemulihan pantas luaran tambahan disyorkan.
  5. Reka Bentuk Margin Voltan dan ArusVoltan dan arus operasi praktikal harus kekal di bawah penarafan maksimum mutlak peranti dengan margin keselamatan yang mencukupi dikhaskan. Rintangan keadaan hidup meningkat dengan peningkatan suhu simpang, yang membawa kehilangan konduksi yang lebih tinggi di bawah keadaan suhu tinggi. Faktor ini hendaklah dipertimbangkan dalam fasa reka bentuk.
  6. Kawalan Proses PematerianSuhu pematerian pin tidak boleh melebihi 300 darjah Celsius. Tempoh pematerian memerlukan kawalan yang betul untuk mengelakkan kerosakan cip dalaman yang disebabkan oleh haba yang berlebihan.

5. Ringkasan Produk

SL10N65F ialah MOSFET kuasa saluran-N dengan voltan kerosakan 650 volt dan arus berkadar 10 ampere, ditempatkan dalam pakej TO-220F. Ia mengimbangi penarafan voltan, keupayaan pembawa arus dan prestasi pensuisan frekuensi tinggi, dan telah lulus pengesahan kebolehpercayaan runtuhan salji penuh. Ia sesuai untuk bekalan kuasa mod suis voltan tinggi kuasa sederhana dan rendah, bekalan kuasa LED, penerus elektronik dan peralatan lain. Dalam amalan kejuruteraan, perhatian hendaklah diberikan kepada penyahtaraan haba, konfigurasi parameter pemacu get dan penilaian tegasan runtuhan salji untuk beban induktif. Ciri pemulihan terbalik diod badan dalaman juga perlu dipertimbangkan. Margin keselamatan elektrik yang mencukupi hendaklah dikhaskan untuk memastikan operasi sistem jangka panjang dan stabil.

Mengenai Slkor:

Slkor mempunyai pejabat penyelidikan dan pembangunan di Busan, Korea Selatan, Beijing, China dan Suzhou, China. Kebanyakan pembuatan wafer dan pembungkusan dan ujian dijalankan di China. Syarikat itu menggaji dan bekerjasama dengan individu dan organisasi di seluruh dunia, dengan makmal untuk prestasi produk dan ujian kebolehpercayaan dan gudang pusat yang terletak di ibu pejabatnya di Shenzhen. Slkor telah memfailkan lebih seratus paten ciptaan, menawarkan lebih daripada 2,000 model produk, dan memberi perkhidmatan kepada lebih sepuluh ribu pelanggan di seluruh dunia. Produknya dieksport ke negara dan wilayah termasuk Eropah, Amerika, Asia Tenggara dan Timur Tengah, menjadikannya salah satu syarikat semikonduktor yang berkembang pesat dalam beberapa tahun kebelakangan ini. Dengan sistem pengurusan yang mantap dan aliran kerja yang diperkemas, Slkor telah dengan pantas meningkatkan kesedaran jenama dan reputasi "SLKOR" jenama melalui kualiti cemerlang dan perkhidmatan standardnya. Rangkaian produknya termasuk tiga siri utama: diods, transistor dan peranti kuasa, dengan pengenalan produk baharu baru-baru ini seperti elemen Hall dan peranti analog, mengembangkan kehadirannya dalam penderia, mikropengawal Risc-v dan kategori produk lain.


SL10N65FKe Halaman Produk
whatsapp

Hotline Perkhidmatan

tel: +86 755 83044319

WhatsApp

Whatsapp:+8618073002950