1. 核心產品參數

1.1 外殼溫度為攝氏 25 度時的絕對最大額定值

1. 漏源擊穿電壓為 650 伏特。
2. 在攝氏 25 度的外殼溫度下，連續漏極電流達到 10 安培；在攝氏 100 度的外殼溫度下，連續漏極電流達到 6.3 安培。
3. 最大脈衝漏極電流為 40 安培。
4. 最大允許柵源電壓為正負 30 伏特。
5. 單脈衝雪崩能量為 427 毫焦耳，重複雪崩能量為 43 毫焦耳。
6. 最大總功耗為 41.8 瓦。外殼溫度高於攝氏 25 度時，每升高 1 度，功耗應降低 0.33 瓦。
7. 工作結溫範圍為攝氏零下55度至150攝氏度。儲存溫度範圍為攝氏零下55度至150攝氏度。引腳焊接最高允許溫度為攝氏300度。

1.2 結溫為攝氏 25 度時的關鍵電特性

1. 閘極閾值電壓範圍為 2.5 伏特至 4.5 伏特。
2. 最大漏源導通電阻為 0.94 歐姆。
3. 典型的總閘極電荷為 35 納庫侖。
4. 典型的反向傳輸電容為 22 皮法。
5. 內置體二極體的最大正向電壓為 1.5 伏特。
6. 體二極體的典型反向恢復時間為 511 奈秒。
7. 對於熱阻參數，最大結到外殼熱阻為每瓦 2.99 攝氏度，最大結到環境熱阻為每瓦 47.21 攝氏度。

1.3 包裝和訂購信息

1. 該器件採用TO-220F封裝。腳位1為閘極，接腳2為汲極，接腳3為源極。
2. 組件本體上印製的設備標記是 SL10N65F。
3. 本產品採用管狀包裝。典型裝置重量為2.2公克。此型號並非無鹵素裝置。

2. 核心產品特性

1. 低總閘極電荷可降低驅動電路中的功率損耗，並有助於設計高頻驅動電路。
2. 低反向傳輸電容可減輕米勒效應造成的開關幹擾。
3. 快速開關響應適用於各種高頻工作條件。
4. 所有裝置均經過雪崩測試，並可在非箝位電感開關條件下提供可靠的性能。
5. 對突發電壓瞬變具有極佳的抗干擾能力，降低了由電壓瞬變觸發的誤啟動風險。
6. 本產品符合RoHS環保標準。
   

3.主要應用領域

1. 高效率開關電源
2. 基於半橋拓樸結構的電子燈鎮流器
3. LED電源
4. 其他需要高壓N通道MOSFET的高頻功率電子電路

4. 工程設計建議

1. 熱管理此元件具有較高的結到環境熱阻。在高功率工作條件下，必須安裝散熱器。僅依靠裸露元件進行自然冷卻是不可接受的。允許的連續電流會隨著外殼溫度的升高而降低。在設備運作期間，應根據實際外殼溫度進行電流降額。
2. 閘極驅動電路閘極閾值電壓介於 2.5 伏特和 4.5 伏特之間。建議使用 10 伏特驅動電壓以獲得標稱導通電阻。驅動迴路中應設定適當的閘極電阻，以抑制電壓尖峰，防止誤導通並平衡開關損耗。柵極源極電壓不得超過 ±30 伏特，以免擊穿閘極氧化層。
3. 感性負荷和雪崩條件雖然該裝置能夠承受雪崩應力，但實際的單脈衝和重複雪崩能量不得超過資料手冊中規定的額定值。對於具有感性負載的電路，應充分評估未箝位感性開關所帶來的衝擊應力。
4. 體二極體應用說明裝置內部整合了源漏體二極體，但其反向恢復時間相對較長。如果電路對續流恢復損耗敏感，建議額外增加一個外部快速恢復二極體。
5. 電壓和電流裕度設計實際工作電壓和電流應保持在裝置的絕對最大額定值以下，並預留足夠的安全裕度。導通電阻隨結溫升高而增加，導致高溫條件下導通損耗增加。設計階段應考慮此因素。
6. 焊接過程控制引腳焊接溫度不得超過攝氏300度。焊接時間需要嚴格控制，以防止過熱造成晶片內部損壞。
   

5.產品概要

SL10N65F 是一款 N 通道功率 MOSFET，擊穿電壓為 650V，額定電流為 10A，採用 TO-220F 封裝。它兼顧了額定電壓、載流能力和高頻開關性能，並通過了全面的雪崩可靠性驗證。適用於中低功率高壓開關電源、LED 電源、電子整流器等設備。在工程實務中，應注意熱降額、閘極驅動參數配置以及感性負載下的雪崩應力評估。此外，還需考慮內部體二極體的反向恢復特性。應預留足夠的電氣安全裕度，以確保系統長期穩定運作。

關於斯科爾：

Slkor 在韓國釜山、中國北京和中國蘇州設有研發辦事處。大部分晶圓製造和封裝測試均在中國境內進行。該公司與世界各地的個人和組織合作並合作，在深圳總部設有產品性能和可靠性測試實驗室以及中央倉庫。 Slkor已申請百餘項發明專利，提供2,000多種產品型號，服務全球萬家客戶。產品行銷歐洲、美洲、東南亞、中東等國家和地區，是近年來發展迅速的半導體公司之一。憑藉著完善的管理系統和精簡的工作流程，Slkor迅速提升了「Slkor」的品牌知名度和美譽度。SLKOR」品牌以其卓越的品質和標準化的服務。其產品範圍包括三大系列： 二極管半導體、電晶體和功率元件，最近推出了霍爾元件和模擬器等新產品，擴大了其在感測器、Risc-v 微控制器和其他產品類別中的影響力。