1. Kernproduktparameter

1.1 Absolute Maximalwerte bei einer Gehäusetemperatur von 25 Grad Celsius

1. Die Drain-Source-Durchbruchspannung beträgt 650 Volt.
2. Der kontinuierliche Drainstrom erreicht 10 Ampere bei einer Gehäusetemperatur von 25 Grad Celsius und 6.3 Ampere bei einer Gehäusetemperatur von 100 Grad Celsius.
3. Der maximale Impuls-Drainstrom beträgt 40 Ampere.
4. Die maximal zulässige Gate-Source-Spannung beträgt plus/minus 30 Volt.
5. Die Energie einer einzelnen Lawine beträgt 427 Millijoule, die Energie einer wiederholten Lawine 43 Millijoule.
6. Die maximale Gesamtverlustleistung beträgt 41.8 Watt. Bei einer Gehäusetemperatur über 25 Grad Celsius wird die Verlustleistung für jeden Temperaturanstieg um ein Grad Celsius um 0.33 Watt reduziert.
7. Die Betriebstemperatur des Sperrschichtübergangs liegt zwischen -55 °C und 150 °C. Die Lagertemperatur liegt ebenfalls zwischen -55 °C und 150 °C. Die maximal zulässige Löttemperatur der Pins beträgt 300 °C.

1.2 Wichtigste elektrische Eigenschaften bei einer Sperrschichttemperatur von 25 Grad Celsius

1. Die Gate-Schwellenspannung liegt im Bereich von 2.5 Volt bis 4.5 Volt.
2. Der maximale Drain-Source-Widerstand im eingeschalteten Zustand beträgt 0.94 Ohm.
3. Die typische Gesamtgate-Ladung beträgt 35 Nanocoulomb.
4. Die typische Rückübertragungskapazität beträgt 22 Pikofarad.
5. Die maximale Durchlassspannung der eingebauten Body-Diode beträgt 1.5 Volt.
6. Die typische Sperrverzögerungszeit der Body-Diode beträgt 511 Nanosekunden.
7. Bei den Wärmewiderstandsparametern beträgt der maximale Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse 2.99 Grad Celsius pro Watt und der maximale Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Umgebung 47.21 Grad Celsius pro Watt.

1.3 Verpackungs- und Bestellinformationen

1. Das Bauteil ist im TO-220F-Gehäuse untergebracht. Pin 1 ist der Gate-Anschluss, Pin 2 der Drain-Anschluss und Pin 3 der Source-Anschluss.
2. Die auf dem Bauteilgehäuse aufgedruckte Gerätebezeichnung lautet SL10N65F.
3. Es wird in einer Röhrenverpackung geliefert. Das typische Gerätegewicht beträgt 2.2 Gramm. Dieses Modell ist nicht halogenfrei.

2. Kernmerkmale des Produkts

1. Eine geringe Gesamtgate-Ladung verringert die Leistungsverluste in Treiberschaltungen und erleichtert die Entwicklung von Hochfrequenz-Treiberschaltungen.
2. Eine niedrige Rückübertragungskapazität mindert die durch den Miller-Effekt verursachten Schaltstörungen.
3. Schnelles Schaltverhalten eignet sich für verschiedene Hochfrequenz-Betriebsbedingungen.
4. Alle Geräte werden Lawinentests unterzogen und bieten eine zuverlässige Leistungsfähigkeit für ungeklemmte induktive Schaltbedingungen.
5. Die ausgezeichnete Immunität gegenüber abrupten Spannungsspitzen verringert das Risiko eines durch Spannungsspitzen ausgelösten Fehleinschaltens.
6. Das Produkt entspricht den RoHS-Umweltstandards.
   

3. Hauptanwendungsgebiete

1. Hocheffiziente Schaltnetzteile
2. Elektronische Lampenvorschaltgeräte basierend auf Halbbrückentopologie
3. LED-Netzteile
4. Andere Hochfrequenz-Leistungselektronikschaltungen, die Hochspannungs-N-Kanal-MOSFETs benötigen

4. Vorschläge für die technische Konstruktion

1. WärmemanagementDieses Bauteil weist einen hohen Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Umgebung auf. Bei Betrieb unter hoher Leistung muss ein Kühlkörper angebracht werden. Eine natürliche Kühlung durch das Bauteil allein ist nicht ausreichend. Der zulässige Dauerstrom sinkt mit steigender Gehäusetemperatur. Die Stromreduzierung muss entsprechend der tatsächlichen Gehäusetemperatur im Betrieb des Geräts erfolgen.
2. Gate-TreiberschaltungDie Gate-Schwellenspannung liegt zwischen 2.5 V und 4.5 V. Um den Nenn-Durchlasswiderstand zu erreichen, wird eine Ansteuerspannung von 10 V empfohlen. Im Ansteuerkreis ist ein geeigneter Gate-Widerstand vorzusehen, um Spannungsspitzen zu unterdrücken, Fehlschaltungen zu verhindern und Schaltverluste auszugleichen. Die Gate-Source-Spannung darf ±30 V nicht überschreiten, um Beschädigungen der Gate-Oxidschicht durch Durchschlag zu vermeiden.
3. Induktive Last- und LawinenbedingungenObwohl das Gerät Lawinenbelastungen standhält, dürfen die tatsächliche Einzelimpuls- und wiederholte Lawinenenergie die im Datenblatt angegebenen Nennwerte nicht überschreiten. Bei Schaltungen mit induktiven Lasten muss die durch ungeklemmtes induktives Schalten verursachte Stoßbelastung vollständig ermittelt werden.
4. Anwendungshinweise für Body-DiodeEine Source-Drain-Body-Diode ist im Bauteil integriert, ihre Sperrverzögerungszeit ist jedoch relativ lang. Bei empfindlicher Schaltung aufgrund von Freilaufverlusten wird eine zusätzliche externe Schnellverzögerungsdiode empfohlen.
5. Auslegung der Spannungs- und StromreserveDie praktische Betriebsspannung und der Betriebsstrom sollten unterhalb der absoluten Maximalwerte des Bauteils liegen, wobei eine ausreichende Sicherheitsmarge zu berücksichtigen ist. Der Durchlasswiderstand steigt mit zunehmender Sperrschichttemperatur, was unter Hochtemperaturbedingungen zu höheren Leitungsverlusten führt. Dieser Faktor muss in der Entwurfsphase berücksichtigt werden.
6. LötprozesskontrolleDie Löttemperatur der Pins darf 300 Grad Celsius nicht überschreiten. Die Lötdauer muss genau kontrolliert werden, um Schäden am Chip durch Überhitzung zu vermeiden.
   

5. Produktübersicht

Der SL10N65F ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit einer Durchbruchspannung von 650 Volt und einem Nennstrom von 10 Ampere im TO-220F-Gehäuse. Er bietet ein ausgewogenes Verhältnis von Spannungsfestigkeit, Strombelastbarkeit und Hochfrequenz-Schaltverhalten und hat die vollständige Lawinensicherheitsprüfung bestanden. Er eignet sich für Schaltnetzteile mittlerer und niedriger Leistung, LED-Netzteile, elektronische Gleichrichter und weitere Geräte. In der Praxis sind die thermische Leistungsreduzierung, die Konfiguration der Gate-Ansteuerparameter und die Lawinenbelastungsanalyse für induktive Lasten zu beachten. Auch das Sperrverhalten der internen Body-Diode muss berücksichtigt werden. Für einen langfristigen und stabilen Systembetrieb ist eine ausreichende elektrische Sicherheitsreserve vorzusehen.

Über Slkor:

Slkor hat Forschungs- und Entwicklungsbüros in Busan, Südkorea, Peking, China und Suzhou, China. Die Herstellung, Verpackung und Prüfung der Wafer erfolgt größtenteils in China. Das Unternehmen beschäftigt und arbeitet mit Einzelpersonen und Organisationen weltweit zusammen. Es verfügt über ein Labor für Produktleistungs- und Zuverlässigkeitstests sowie ein zentrales Lager an seinem Hauptsitz in Shenzhen. Slkor hat über hundert Erfindungspatente angemeldet, bietet mehr als 2,000 Produktmodelle an und bedient über zehntausend Kunden weltweit. Seine Produkte werden in Länder und Regionen wie Europa, Amerika, Südostasien und den Nahen Osten exportiert, was es zu einem der am schnellsten wachsenden Halbleiterunternehmen der letzten Jahre macht. Mit gut etablierten Managementsystemen und rationalisierten Arbeitsabläufen hat Slkor die Markenbekanntheit und den Ruf seiner "SLKOR" durch herausragende Qualität und standardisierte Dienstleistungen. Die Produktpalette umfasst drei Hauptserien: Diodes, Transistoren und Leistungsbauelemente, mit der kürzlichen Einführung neuer Produkte wie Hall-Elemente und analoge Geräte, wodurch die Präsenz im Bereich Sensoren, Risc-v-Mikrocontroller und anderen Produktkategorien erweitert wird.