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Slkor SL10N65F N채널 MOSFET: 내전압 650V, 전류 10A, TO-220F 고전압 파워 FET
2026-09-23 20
SL10N65F는 TO-220F 패키지의 N채널 고전압 파워 MOSFET입니다. 드레인-소스 항복 전압은 650V이며, 25°C에서 연속 드레인 전류는 10A에 달합니다. 낮은 게이트 전하, 빠른 스위칭 속도, 우수한 dv/dt 내성을 특징으로 하며, 100% 애벌랜치 테스트를 통과하고 RoHS 규격을 준수합니다. 다양한 고주파 SMPS 전력 전자 장비에 적합하며, LED 전원 공급 장치, 전자식 안정기 등에 널리 사용됩니다. 본 문서에서는 SL10N65F의 전기적 특성, 주요 특징, 적용 범위 및 엔지니어링 가이드라인을 요약하여 설명합니다.


1. 핵심 제품 매개변수

1.1 케이스 온도 25도C에서의 절대 최대 정격

  1. 드레인-소스 항복 전압은 650볼트입니다.
  2. 연속 드레인 전류는 케이스 온도가 25도일 때 10암페어에 도달하고, 케이스 온도가 100도일 때는 6.3암페어에 도달합니다.
  3. 최대 펄스 드레인 전류는 40암페어입니다.
  4. 게이트-소스 전압의 최대 허용치는 플러스 마이너스 30볼트입니다.
  5. 단일 펄스 눈사태 에너지는 427밀리줄이고, 반복 눈사태 에너지는 43밀리줄입니다.
  6. 최대 총 전력 소모량은 41.8와트입니다. 케이스 온도가 25도C를 초과할 경우, 온도가 1도C 상승할 때마다 전력 소모량은 0.33와트씩 감소합니다.
  7. 작동 시 접합부 온도 범위는 -55°C에서 150°C까지입니다. 보관 시 온도 범위는 -55°C에서 150°C까지입니다. 핀 납땜 시 최대 허용 온도는 300°C입니다.

1.2 접합부 온도 25도에서의 주요 전기적 특성

  1. 게이트 임계 전압 범위는 2.5볼트에서 4.5볼트입니다.
  2. 드레인-소스 온 상태의 최대 저항은 0.94옴입니다.
  3. 일반적인 총 게이트 전하량은 35나노쿨롬입니다.
  4. 일반적인 역전송 정전용량은 22피코패럿입니다.
  5. 내장된 바디 다이오드의 최대 순방향 전압은 1.5볼트입니다.
  6. 바디 다이오드의 일반적인 역회복 시간은 511나노초입니다.
  7. 열 저항 매개변수의 경우, 최대 접합부-케이스 열 저항은 와트당 2.99도이고, 최대 접합부-주변 열 저항은 와트당 47.21도입니다.

1.3 패키지 및 주문 정보

  1. 이 장치는 TO-220F 패키지를 사용합니다. 1번 핀은 게이트, 2번 핀은 드레인, 3번 핀은 소스를 나타냅니다.
  2. 부품 본체에 인쇄된 장치 표시는 SL10N65F입니다.
  3. 튜브형 포장으로 제공됩니다. 일반적인 기기 무게는 2.2g입니다. 이 모델은 할로겐 프리 제품이 아닙니다.

2. 핵심 제품 특징

  1. 낮은 총 게이트 전하량은 구동 회로의 전력 손실을 줄이고 고주파 구동 회로 설계를 용이하게 합니다.
  2. 낮은 역전송 커패시턴스는 밀러 효과로 인한 스위칭 간섭을 완화합니다.
  3. 빠른 스위칭 응답 속도는 다양한 고주파 작동 조건에 적합합니다.
  4. 모든 장치는 애벌랜치 테스트를 거치며, 클램핑되지 않은 유도 스위칭 조건에서 안정적인 성능을 제공합니다.
  5. 급격한 전압 변화에 대한 탁월한 내성은 전압 변화로 인한 오작동 위험을 줄여줍니다.
  6. 본 제품은 RoHS 환경 기준을 준수합니다.

3. 주요 응용 분야

  1. 고효율 스위칭 모드 전원 공급 장치
  2. 하프브리지 토폴로지를 기반으로 하는 전자식 램프 안정기
  3. LED 전원 공급 장치
  4. 고전압 N채널 MOSFET이 필요한 기타 고주파 전력 전자 회로

4. 엔지니어링 설계에 대한 제안

  1. 열 관리이 장치는 접합부와 주변 환경 사이의 열 저항이 높습니다. 고출력 작동 조건에서는 반드시 방열판을 장착해야 합니다. 노출된 부품 자체에 의한 자연 냉각은 허용되지 않습니다. 케이스 온도가 상승함에 따라 허용 연속 전류가 감소합니다. 장비 작동 중 실제 케이스 온도에 따라 전류 디레이팅을 수행해야 합니다.
  2. 게이트 드라이브 회로게이트 임계 전압은 2.5V에서 4.5V 사이입니다. 정상적인 온 상태 저항을 얻으려면 10V의 구동 전압을 권장합니다. 전압 스파이크를 억제하고, 오작동을 방지하며, 스위칭 손실을 균형 있게 조정하기 위해 구동 루프에 적절한 게이트 저항을 구성해야 합니다. 게이트-소스 전압은 ±30V를 초과해서는 안 되며, 게이트 산화막의 파괴 손상을 방지해야 합니다.
  3. 유도 부하 및 눈사태 조건이 장치는 눈사태 스트레스를 견딜 수 있지만, 실제 단일 펄스 및 반복 눈사태 에너지는 데이터시트에 명시된 정격 값을 초과해서는 안 됩니다. 유도 부하가 있는 회로의 경우, 고정되지 않은 유도 스위칭으로 인한 충격 스트레스를 충분히 평가해야 합니다.
  4. 바디 다이오드 응용 노트소스-드레인 바디 다이오드가 소자 내부에 통합되어 있지만, 역방향 복구 시간이 비교적 깁니다. 회로가 프리휠링 복구 손실에 민감한 경우, 외부 고속 복구 다이오드를 추가로 사용하는 것이 좋습니다.
  5. 전압 및 전류 여유 설계실제 작동 전압 및 전류는 충분한 안전 여유를 확보한 상태에서 장치의 절대 최대 정격보다 낮아야 합니다. 접합부 온도가 상승함에 따라 온 상태 저항이 증가하므로 고온 조건에서 전도 손실이 커집니다. 이러한 요소는 설계 단계에서 고려해야 합니다.
  6. 납땜 공정 제어핀 납땜 온도는 섭씨 300도를 초과해서는 안 됩니다. 과도한 열로 인한 칩 내부 손상을 방지하기 위해 납땜 시간을 적절히 조절해야 합니다.

5. 제품개요

SL10N65F는 TO-220F 패키지에 담긴 N채널 파워 MOSFET으로, 항복 전압 650V, 정격 전류 10A를 갖습니다. 전압 정격, 전류 용량 및 고주파 스위칭 성능의 균형을 잘 맞추었으며, 완벽한 애벌랜치 신뢰성 검증을 통과했습니다. 중저전력 고전압 스위칭 모드 전원 공급 장치, LED 전원 공급 장치, 전자 정류기 및 기타 장비에 적합합니다. 실제 사용 시에는 열 디레이팅, 게이트 구동 파라미터 설정 및 유도 부하에 대한 애벌랜치 스트레스 평가에 주의해야 합니다. 내부 바디 다이오드의 역회복 특성 또한 고려해야 합니다. 장기적이고 안정적인 시스템 작동을 위해 충분한 전기적 안전 여유를 확보해야 합니다.

슬코르(Slkor) 소개:

Slkor는 한국 부산, 중국 베이징, 중국 수저우에 연구개발 사무실을 두고 있습니다. 웨이퍼 제조, 패키징 및 테스트의 대부분은 중국 내에서 수행됩니다. 이 회사는 전 세계적으로 개인 및 조직을 고용하고 협력하며, 제품 성능 및 신뢰성 테스트를 위한 실험실과 본사가 선전에 있는 중앙 창고에 있습니다. Slkor는 2,000개가 넘는 발명 특허를 출원했고, XNUMX개가 넘는 제품 모델을 제공하며, 전 세계적으로 XNUMX만 명이 넘는 고객에게 서비스를 제공합니다. 이 회사의 제품은 유럽, 아메리카, 동남아시아, 중동을 포함한 국가와 지역으로 수출되어 최근 몇 년 동안 빠르게 성장하는 반도체 회사 중 하나가 되었습니다. 잘 정립된 관리 시스템과 간소화된 워크플로를 통해 Slkor는 "SLKOR"뛰어난 품질과 표준화된 서비스를 통해 브랜드. 제품 범위에는 세 가지 주요 시리즈가 포함됩니다. 다이오드s, 트랜지스터 및 전력 장치를 비롯하여 최근 홀 요소 및 아날로그 장치와 같은 신제품이 출시되면서 센서, Risc-v 마이크로컨트롤러 및 기타 제품 카테고리로 입지가 확대되었습니다.


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