1. Parámetros básicos del producto

1.1 Valores máximos absolutos a una temperatura de la carcasa de 25 grados Celsius

1. La tensión de ruptura entre drenador y fuente es de 650 voltios.
2. La corriente de drenaje continua alcanza los 10 amperios a una temperatura de la carcasa de 25 grados Celsius y los 6.3 amperios a una temperatura de la carcasa de 100 grados Celsius.
3. La corriente de drenaje pulsada máxima es de 40 amperios.
4. La tensión máxima permitida entre la puerta y la fuente es de más y menos 30 voltios.
5. La energía de una avalancha de pulso único es de 427 milijulios, y la energía de una avalancha repetitiva es de 43 milijulios.
6. La disipación de potencia total máxima es de 41.8 vatios. Por encima de los 25 grados Celsius de temperatura de la carcasa, la disipación de potencia se reducirá en 0.33 vatios por cada grado Celsius de aumento de temperatura.
7. La temperatura de funcionamiento de la unión oscila entre -55 °C y 150 °C. La temperatura de almacenamiento oscila entre -55 °C y 150 °C. La temperatura máxima permitida para soldar los pines es de 300 °C.

1.2 Características eléctricas clave a una temperatura de unión de 25 grados Celsius

1. El voltaje umbral de la compuerta oscila entre 2.5 voltios y 4.5 voltios.
2. La resistencia máxima entre drenador y fuente en estado activo es de 0.94 ohmios.
3. La carga total típica de la compuerta es de 35 nanoculombios.
4. La capacitancia típica de transferencia inversa es de 22 picofaradios.
5. La tensión directa máxima del diodo intrínseco integrado es de 1.5 voltios.
6. El tiempo típico de recuperación inversa del diodo intrínseco es de 511 nanosegundos.
7. En cuanto a los parámetros de resistencia térmica, la resistencia térmica máxima entre la unión y la carcasa es de 2.99 grados Celsius por vatio, y la resistencia térmica máxima entre la unión y el ambiente es de 47.21 grados Celsius por vatio.

1.3 Información sobre el paquete y el pedido

1. El dispositivo utiliza un encapsulado TO-220F. El pin 1 corresponde a la puerta, el pin 2 al drenador y el pin 3 a la fuente.
2. La marca del dispositivo impresa en el cuerpo del componente es SL10N65F.
3. Se suministra en envase tubular. El peso típico del dispositivo es de 2.2 gramos. Este modelo no está libre de halógenos.

2. Características principales del producto

1. Una baja carga total en la puerta reduce la pérdida de potencia en los circuitos de control y facilita el diseño de circuitos de control de alta frecuencia.
2. La baja capacitancia de transferencia inversa mitiga la interferencia de conmutación causada por el efecto Miller.
3. Su rápida respuesta de conmutación se adapta a diversas condiciones de funcionamiento de alta frecuencia.
4. Todos los dispositivos se someten a pruebas de avalancha y ofrecen una capacidad fiable para condiciones de conmutación inductiva sin sujeción.
5. Su excelente inmunidad a las fluctuaciones bruscas de voltaje reduce el riesgo de un encendido falso provocado por dichas fluctuaciones.
6. El producto cumple con las normas medioambientales RoHS.
   

3. Principales campos de aplicación

1. Fuentes de alimentación conmutadas de alta eficiencia
2. Balastos electrónicos para lámparas basados ​​en topología de medio puente.
3. Fuentes de alimentación LED
4. Otros circuitos electrónicos de potencia de alta frecuencia que requieren MOSFET de canal N de alto voltaje.

4. Sugerencias para el diseño de ingeniería

1. Transferencia térmicaEste dispositivo presenta una alta resistencia térmica entre la unión y el ambiente. Se requiere un disipador de calor en condiciones de alta potencia. La refrigeración natural mediante el componente sin disipador no es aceptable. La corriente continua admisible disminuye a medida que aumenta la temperatura de la carcasa. La reducción de corriente se realizará en función de la temperatura real de la carcasa durante el funcionamiento del equipo.
2. Circuito de accionamiento de puertaLa tensión umbral de la compuerta se encuentra entre 2.5 y 4.5 voltios. Se recomienda una tensión de excitación de 10 voltios para lograr la resistencia nominal en estado activo. Se debe disponer una resistencia de compuerta adecuada en el bucle de excitación para suprimir picos de tensión, evitar encendidos falsos y compensar las pérdidas por conmutación. La tensión entre compuerta y fuente no debe exceder los ±30 voltios para evitar daños por ruptura en la capa de óxido de la compuerta.
3. Carga inductiva y condiciones de avalanchaAunque el dispositivo puede soportar esfuerzos de avalancha, la energía real de avalancha, tanto de pulso único como repetitiva, no debe exceder los valores nominales especificados en la hoja de datos. Para circuitos con cargas inductivas, se debe evaluar completamente el esfuerzo de impacto producido por la conmutación inductiva sin sujeción.
4. Notas de aplicación para el diodo corporalEl dispositivo integra un diodo fuente-drenador, pero su tiempo de recuperación inversa es relativamente largo. Si el circuito es sensible a las pérdidas por recuperación en circuito abierto, se recomienda añadir un diodo externo de recuperación rápida.
5. Diseño de margen de tensión y corrienteLa tensión y la corriente de funcionamiento prácticas deben mantenerse por debajo de los valores máximos absolutos del dispositivo, con un margen de seguridad suficiente. La resistencia en estado activo aumenta con la temperatura de la unión, lo que provoca mayores pérdidas por conducción en condiciones de alta temperatura. Este factor debe tenerse en cuenta en la fase de diseño.
6. Control del proceso de soldaduraLa temperatura de soldadura de los pines no debe exceder los 300 grados Celsius. Es necesario controlar adecuadamente la duración de la soldadura para evitar daños internos en el chip causados ​​por el calor excesivo.
   

5 Resumen del producto

El SL10N65F es un MOSFET de potencia de canal N con una tensión de ruptura de 650 voltios y una corriente nominal de 10 amperios, alojado en un encapsulado TO-220F. Ofrece un equilibrio entre tensión nominal, capacidad de conducción de corriente y rendimiento de conmutación de alta frecuencia, y ha superado la verificación completa de fiabilidad ante avalanchas. Es adecuado para fuentes de alimentación conmutadas de alta tensión de media y baja potencia, fuentes de alimentación para LED, rectificadores electrónicos y otros equipos. En la práctica, se debe prestar atención a la reducción de potencia térmica, la configuración de los parámetros de control de puerta y la evaluación de la tensión de avalancha para cargas inductivas. También es necesario considerar la característica de recuperación inversa del diodo interno. Se debe reservar un margen de seguridad eléctrica adecuado para garantizar un funcionamiento estable y a largo plazo del sistema.

Acerca de Slkor:

Slkor tiene oficinas de investigación y desarrollo en Busan, Corea del Sur, Beijing, China y Suzhou, China. La mayor parte de la fabricación, el empaquetado y las pruebas de obleas se llevan a cabo en China. La empresa emplea y colabora con personas y organizaciones de todo el mundo, con un laboratorio para pruebas de rendimiento y confiabilidad de productos y un almacén central ubicado en su sede en Shenzhen. Slkor ha presentado más de cien patentes de invención, ofrece más de 2,000 modelos de productos y atiende a más de diez mil clientes en todo el mundo. Sus productos se exportan a países y regiones como Europa, América, el sudeste asiático y Oriente Medio, lo que la convierte en una de las empresas de semiconductores de más rápido crecimiento en los últimos años. Con sistemas de gestión bien establecidos y flujos de trabajo optimizados, Slkor ha mejorado rápidamente el conocimiento y la reputación de la marca.SLKOR"marca a través de su excelente calidad y servicios estandarizados. Su gama de productos incluye tres series principales: diodos, transistores y dispositivos de potencia, con la reciente introducción de nuevos productos como elementos Hall y dispositivos analógicos, ampliando su presencia en sensores, microcontroladores Risc-v y otras categorías de productos.