1. พารามิเตอร์หลักของผลิตภัณฑ์

1.1 พิกัดสูงสุดสัมบูรณ์ที่อุณหภูมิเคส 25 องศาเซลเซียส

1. แรงดันพังทลายระหว่างขั้วเดรนและซอร์สคือ 650 โวลต์
2. กระแสไฟระบายต่อเนื่องสูงสุดอยู่ที่ 10 แอมแปร์ที่อุณหภูมิตัวเครื่อง 25 องศาเซลเซียส และ 6.3 แอมแปร์ที่อุณหภูมิตัวเครื่อง 100 องศาเซลเซียส
3. กระแสไฟสูงสุดที่ไหลผ่านขั้วเดรนแบบพัลส์คือ 40 แอมแปร์
4. แรงดันเกต-ซอร์สสูงสุดที่อนุญาตคือบวกและลบ 30 โวลต์
5. พลังงานจากการเกิดหิมะถล่มแบบครั้งเดียวคือ 427 มิลลิจูล และพลังงานจากการเกิดหิมะถล่มแบบซ้ำๆ คือ 43 มิลลิจูล
6. กำลังไฟฟ้ารวมสูงสุดที่สามารถระบายได้คือ 41.8 วัตต์ เมื่ออุณหภูมิตัวเครื่องสูงกว่า 25 องศาเซลเซียส กำลังไฟฟ้าที่สามารถระบายได้จะลดลง 0.33 วัตต์ สำหรับทุกๆ หนึ่งองศาเซลเซียสที่เพิ่มขึ้น
7. อุณหภูมิใช้งานของจุดเชื่อมต่ออยู่ในช่วงตั้งแต่ -55 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส อุณหภูมิในการจัดเก็บอยู่ในช่วงตั้งแต่ -55 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส อุณหภูมิสูงสุดที่อนุญาตสำหรับการบัดกรีขาคือ 300 องศาเซลเซียส

1.2 คุณลักษณะทางไฟฟ้าที่สำคัญ ณ อุณหภูมิรอยต่อ 25 องศาเซลเซียส

1. แรงดันเกณฑ์ของเกตมีค่าตั้งแต่ 2.5 โวลต์ถึง 4.5 โวลต์
2. ค่าความต้านทานสูงสุดระหว่างขั้วเดรนและซอร์สขณะเปิดวงจรคือ 0.94 โอห์ม
3. โดยทั่วไป ประจุรวมของเกตจะอยู่ที่ 35 นาโนคูลอมบ์
4. ค่าความจุการถ่ายโอนย้อนกลับโดยทั่วไปอยู่ที่ 22 พิโคฟารัด
5. แรงดันไฟตรงสูงสุดของไดโอดภายในตัวเครื่องคือ 1.5 โวลต์
6. โดยทั่วไปแล้ว ไดโอดภายในตัวเครื่องจะใช้เวลาในการฟื้นตัวกลับสู่สภาวะปกติประมาณ 511 นาโนวินาที
7. สำหรับค่าพารามิเตอร์ความต้านทานความร้อน ความต้านทานความร้อนสูงสุดจากจุดเชื่อมต่อถึงตัวเครื่องคือ 2.99 องศาเซลเซียสต่อวัตต์ และความต้านทานความร้อนสูงสุดจากจุดเชื่อมต่อถึงสภาพแวดล้อมคือ 47.21 องศาเซลเซียสต่อวัตต์

1.3 ข้อมูลบรรจุภัณฑ์และการสั่งซื้อ

1. อุปกรณ์นี้ใช้แพ็คเกจ TO-220F โดยขาที่ 1 คือขาเกต ขาที่ 2 คือขาเดรน และขาที่ 3 คือขาซอร์ส
2. รหัสอุปกรณ์ที่พิมพ์อยู่บนตัวชิ้นส่วนคือ SL10N65F
3. ผลิตภัณฑ์นี้บรรจุในหลอดบรรจุภัณฑ์ น้ำหนักของอุปกรณ์โดยทั่วไปคือ 2.2 กรัม รุ่นนี้ไม่ใช่รุ่นที่ปราศจากฮาโลเจน

2. คุณสมบัติหลักของผลิตภัณฑ์

1. ประจุเกตโดยรวมที่ต่ำช่วยลดการสูญเสียพลังงานในวงจรขับ และช่วยให้การออกแบบวงจรขับความถี่สูงเป็นไปได้ง่ายขึ้น
2. ค่าความจุการถ่ายโอนย้อนกลับต่ำช่วยลดการรบกวนการสวิตช์ที่เกิดจากปรากฏการณ์มิลเลอร์
3. การตอบสนองการสลับที่รวดเร็วเหมาะสำหรับสภาวะการทำงานความถี่สูงต่างๆ
4. อุปกรณ์ทุกชิ้นผ่านการทดสอบการเกิดหิมะถล่มและมีความสามารถที่เชื่อถือได้สำหรับสภาวะการสวิตช์เหนี่ยวนำแบบไม่จำกัด
5. ความสามารถในการต้านทานต่อแรงดันไฟฟ้ากระชากอย่างดีเยี่ยม ช่วยลดความเสี่ยงของการเปิดเครื่องผิดพลาดที่เกิดจากแรงดันไฟฟ้ากระชาก
6. ผลิตภัณฑ์นี้เป็นไปตามมาตรฐานด้านสิ่งแวดล้อม RoHS
   

3. ขอบเขตการใช้งานหลัก

1. แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตช์โหมดประสิทธิภาพสูง
2. บัลลาสต์หลอดไฟอิเล็กทรอนิกส์ที่ใช้โทโพโลยีแบบฮาล์ฟบริดจ์
3. แหล่งจ่ายไฟ LED
4. วงจรอิเล็กทรอนิกส์กำลังความถี่สูงอื่นๆ ที่ต้องการ MOSFET ชนิด N-channel แรงดันสูง

4. ข้อเสนอแนะสำหรับการออกแบบทางวิศวกรรม

1. การจัดการความร้อนอุปกรณ์นี้มีค่าความต้านทานความร้อนจากจุดเชื่อมต่อถึงสภาพแวดล้อมสูง ต้องติดตั้งแผ่นระบายความร้อนเมื่อใช้งานในสภาวะที่มีกำลังไฟฟ้าสูง การระบายความร้อนตามธรรมชาติโดยใช้ชิ้นส่วนเปล่าๆ นั้นไม่เป็นที่ยอมรับ กระแสไฟฟ้าต่อเนื่องที่อนุญาตจะลดลงเมื่ออุณหภูมิของตัวเครื่องสูงขึ้น ควรปรับลดกระแสไฟฟ้าตามอุณหภูมิของตัวเครื่องจริงในระหว่างการทำงานของอุปกรณ์
2. วงจรขับเคลื่อนประตูแรงดันเกณฑ์ของเกตอยู่ระหว่าง 2.5 โวลต์ถึง 4.5 โวลต์ แนะนำให้ใช้แรงดันขับ 10 โวลต์เพื่อให้ได้ค่าความต้านทานขณะเปิดที่เหมาะสม ควรจัดให้มีความต้านทานเกตที่เหมาะสมในวงจรขับเพื่อลดแรงดันกระชาก ป้องกันการเปิดผิดพลาด และปรับสมดุลการสูญเสียจากการสวิตช์ แรงดันเกต-ซอร์สต้องไม่เกินบวกและลบ 30 โวลต์ เพื่อหลีกเลี่ยงความเสียหายจากการพังทลายของชั้นออกไซด์ของเกต
3. โหลดเหนี่ยวนำและสภาวะหิมะถล่มแม้ว่าอุปกรณ์จะสามารถทนต่อแรงกดดันจากการเกิดหิมะถล่มได้ แต่พลังงานจากการเกิดหิมะถล่มแบบพัลส์เดี่ยวและแบบซ้ำๆ จะต้องไม่เกินค่าที่กำหนดไว้ในเอกสารข้อมูล สำหรับวงจรที่มีโหลดแบบเหนี่ยวนำ จะต้องประเมินแรงกดดันจากการกระแทกที่เกิดจากการสวิตช์แบบเหนี่ยวนำที่ไม่ถูกหนีบอย่างครบถ้วน
4. หมายเหตุการใช้งานสำหรับไดโอดในร่างกาย: ไดโอดภายในตัวอุปกรณ์เป็นแบบต่อระหว่างแหล่งกำเนิดและขั้วระบาย แต่เวลาในการฟื้นตัวกลับค่อนข้างนาน หากวงจรมีความไวต่อการสูญเสียจากการฟื้นตัวแบบฟรีวีลลิ่ง แนะนำให้ใช้ไดโอดฟื้นตัวเร็วภายนอกเพิ่มเติม
5. การออกแบบระยะขอบแรงดันและกระแสไฟฟ้าแรงดันและกระแสไฟฟ้าที่ใช้งานจริงควรต่ำกว่าค่าสูงสุดที่กำหนดไว้สำหรับอุปกรณ์ โดยต้องมีระยะปลอดภัยที่เพียงพอ ความต้านทานขณะเปิดวงจรจะเพิ่มขึ้นตามอุณหภูมิของจุดเชื่อมต่อที่สูงขึ้น ซึ่งส่งผลให้เกิดการสูญเสียจากการนำไฟฟ้ามากขึ้นภายใต้สภาวะอุณหภูมิสูง ปัจจัยนี้ควรนำมาพิจารณาในขั้นตอนการออกแบบ
6. การควบคุมกระบวนการบัดกรีอุณหภูมิในการบัดกรีขาพินต้องไม่เกิน 300 องศาเซลเซียส ระยะเวลาในการบัดกรีต้องควบคุมอย่างเหมาะสมเพื่อป้องกันความเสียหายภายในชิปที่เกิดจากความร้อนสูงเกินไป
   

5. สรุปผลิตภัณฑ์

SL10N65F เป็น MOSFET กำลังสูงแบบ N-channel ที่มีแรงดันพังทลาย 650 โวลต์ และกระแสพิกัด 10 แอมป์ บรรจุในแพ็คเกจ TO-220F มีความสมดุลระหว่างพิกัดแรงดัน ความสามารถในการรับกระแส และประสิทธิภาพการสวิตช์ความถี่สูง และผ่านการทดสอบความน่าเชื่อถือแบบ Avalanche อย่างสมบูรณ์แล้ว เหมาะสำหรับแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตช์โหมดแรงดันสูงกำลังปานกลางและต่ำ แหล่งจ่ายไฟ LED วงจรเรียงกระแสอิเล็กทรอนิกส์ และอุปกรณ์อื่นๆ ในทางปฏิบัติทางวิศวกรรม ควรให้ความสำคัญกับการลดกำลังเนื่องจากความร้อน การกำหนดค่าพารามิเตอร์การขับเกต และการประเมินความเครียดแบบ Avalanche สำหรับโหลดแบบเหนี่ยวนำ นอกจากนี้ยังต้องพิจารณาคุณลักษณะการฟื้นตัวย้อนกลับของไดโอดภายในด้วย ควรเว้นระยะปลอดภัยทางไฟฟ้าที่เพียงพอเพื่อให้มั่นใจถึงการทำงานของระบบที่เสถียรในระยะยาว

เกี่ยวกับสลกอร์：

Slkor มีสำนักงานวิจัยและพัฒนาในเมืองปูซาน ประเทศเกาหลีใต้ ปักกิ่ง ประเทศจีน และซูโจว ประเทศจีน การผลิต บรรจุภัณฑ์ และการทดสอบเวเฟอร์ส่วนใหญ่ดำเนินการในประเทศจีน บริษัทจ้างงานและทำงานร่วมกับบุคคลและองค์กรต่างๆ ทั่วโลก โดยมีห้องปฏิบัติการสำหรับการทดสอบประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถือของผลิตภัณฑ์ และคลังสินค้ากลางตั้งอยู่ที่สำนักงานใหญ่ในเมืองเซินเจิ้น Slkor ได้ยื่นขอสิทธิบัตรสิ่งประดิษฐ์มากกว่าร้อยฉบับ นำเสนอผลิตภัณฑ์มากกว่า 2,000 รุ่น และให้บริการลูกค้ามากกว่าหมื่นรายทั่วโลก ผลิตภัณฑ์ของบริษัทถูกส่งออกไปยังประเทศและภูมิภาคต่างๆ รวมถึงยุโรป อเมริกา เอเชียตะวันออกเฉียงใต้ และตะวันออกกลาง ทำให้เป็นหนึ่งในบริษัทเซมิคอนดักเตอร์ที่เติบโตอย่างรวดเร็วในช่วงไม่กี่ปีที่ผ่านมา ด้วยระบบการจัดการที่ได้รับการยอมรับและเวิร์กโฟลว์ที่มีประสิทธิภาพ Slkor จึงสามารถเพิ่มการรับรู้และชื่อเสียงของแบรนด์ได้อย่างรวดเร็วSLKOR" แบรนด์ด้วยคุณภาพที่โดดเด่นและบริการที่ได้มาตรฐาน กลุ่มผลิตภัณฑ์ประกอบด้วย 3 ซีรี่ส์หลัก: ไดโอดทรานซิสเตอร์ และอุปกรณ์จ่ายไฟ พร้อมด้วยการเปิดตัวผลิตภัณฑ์ใหม่เมื่อเร็ว ๆ นี้ เช่น องค์ประกอบ Hall และอุปกรณ์อะนาล็อก ซึ่งขยายการแสดงตนในเซ็นเซอร์ ไมโครคอนโทรลเลอร์ Risc-v และหมวดหมู่ผลิตภัณฑ์อื่น ๆ