1. Podstawowe parametry produktu

1.1 Maksymalne wartości bezwzględne przy temperaturze obudowy 25 stopni Celsjusza

1. Napięcie przebicia dren-źródło wynosi 650 woltów.
2. Ciągły prąd rozładowania osiąga 10 amperów przy temperaturze obudowy wynoszącej 25 stopni Celsjusza i 6.3 ampera przy temperaturze obudowy wynoszącej 100 stopni Celsjusza.
3. Maksymalny impulsowy prąd odprowadzany wynosi 40 amperów.
4. Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło wynosi plus i minus 30 woltów.
5. Energia pojedynczego impulsu lawinowego wynosi 427 milidżulów, a energia powtarzalnego impulsu lawinowego wynosi 43 milidżule.
6. Maksymalna całkowita moc rozpraszana wynosi 41.8 W. Powyżej temperatury obudowy 25 stopni Celsjusza moc rozpraszana będzie zmniejszana o 0.33 W na każdy jeden stopień Celsjusza wzrostu temperatury.
7. Zakres temperatur roboczych złącza wynosi od minus 55 do 150 stopni Celsjusza. Zakres temperatur przechowywania wynosi od minus 55 do 150 stopni Celsjusza. Maksymalna dopuszczalna temperatura lutowania pinów wynosi 300 stopni Celsjusza.

1.2 Kluczowe charakterystyki elektryczne przy temperaturze złącza 25 stopni Celsjusza

1. Zakres napięcia progowego bramki wynosi od 2.5 V do 4.5 V.
2. Maksymalna rezystancja w stanie włączenia dren-źródło wynosi 0.94 oma.
3. Typowy całkowity ładunek bramki wynosi 35 nanokulombów.
4. Typowa pojemność transferu zwrotnego wynosi 22 pikofaradów.
5. Maksymalne napięcie przewodzenia wbudowanej diody wynosi 1.5 V.
6. Typowy czas odwrotnego powrotu diody wewnętrznej wynosi 511 nanosekund.
7. Jeśli chodzi o parametry oporu cieplnego, maksymalny opór cieplny między złączem a obudową wynosi 2.99 stopnia Celsjusza na wat, a maksymalny opór cieplny między złączem a otoczeniem wynosi 47.21 stopnia Celsjusza na wat.

1.3 Informacje o opakowaniu i zamówieniu

1. Urządzenie jest wykonane w obudowie TO-220F. Pin 1 oznacza bramkę, pin 2 oznacza dren, a pin 3 oznacza źródło.
2. Oznaczenie urządzenia wydrukowane na obudowie komponentu to SL10N65F.
3. Jest dostarczany w tubie. Typowa waga urządzenia to 2.2 grama. Ten model nie jest bezhalogenowy.

2. Główne cechy produktu

1. Niski całkowity ładunek bramki zmniejsza straty mocy w obwodach sterujących i ułatwia projektowanie obwodów sterujących o wysokiej częstotliwości.
2. Niska pojemność przenoszenia zwrotnego łagodzi zakłócenia przełączania spowodowane efektem Millera.
3. Szybka reakcja przełączania dostosowana do różnych warunków pracy o wysokiej częstotliwości.
4. Wszystkie urządzenia przechodzą testy lawinowe i oferują niezawodną pracę w warunkach niezakłóconego przełączania indukcyjnego.
5. Doskonała odporność na nagłe skoki napięcia zmniejsza ryzyko przypadkowego włączenia spowodowanego skokami napięcia.
6. Produkt spełnia normy środowiskowe RoHS.
   

3. Główne obszary zastosowań

1. Wysokowydajne zasilacze impulsowe
2. Elektroniczne stateczniki lamp oparte na topologii półmostkowej
3. Zasilacze LED
4. Inne obwody elektroniki mocy o wysokiej częstotliwości wymagające tranzystorów MOSFET z kanałem N o wysokim napięciu

4. Sugestie dotyczące projektowania inżynierskiego

1. Zarządzanie termiczne: To urządzenie charakteryzuje się wysoką rezystancją termiczną złącza do otoczenia. W warunkach pracy o dużej mocy należy zamontować radiator. Naturalne chłodzenie wyłącznie gołymi elementami jest niedopuszczalne. Dopuszczalny prąd ciągły maleje wraz ze wzrostem temperatury obudowy. Obniżenie prądu należy przeprowadzić zgodnie z rzeczywistą temperaturą obudowy podczas pracy urządzenia.
2. Obwód napędu bramyNapięcie progowe bramki mieści się w zakresie od 2.5 V do 4.5 V. Zalecane jest napięcie sterujące 10 V, aby uzyskać nominalną rezystancję w stanie włączenia. W pętli sterującej należy zapewnić odpowiednią rezystancję bramki, aby tłumić skoki napięcia, zapobiegać fałszywemu włączaniu i równoważyć straty przełączania. Napięcie bramka-źródło nie może przekraczać plus/minus 30 V, aby uniknąć uszkodzenia warstwy tlenku bramki przez przebicie.
3. Obciążenie indukcyjne i warunki lawinoweChociaż urządzenie może wytrzymać naprężenia lawinowe, rzeczywista energia pojedynczego impulsu i powtarzalnego zbocza lawinowego nie może przekraczać wartości znamionowych określonych w karcie katalogowej. W przypadku obwodów z obciążeniami indukcyjnymi, należy w pełni oszacować naprężenia udarowe wywołane przez nieobciążone przełączanie indukcyjne.
4. Notatki aplikacyjne dotyczące diody korpusowej: Wewnątrz urządzenia zintegrowano diodę typu źródło-dren, jednak jej czas odzyskiwania stanu odwrotnego jest stosunkowo długi. Jeśli układ jest wrażliwy na straty w wyniku swobodnego odzyskiwania stanu, zaleca się zastosowanie dodatkowej, zewnętrznej diody szybkiego odzyskiwania.
5. Projektowanie marginesu napięcia i prądu:Praktyczne napięcie i prąd roboczy powinny być niższe od bezwzględnych maksymalnych wartości znamionowych urządzenia, z zachowaniem odpowiedniego marginesu bezpieczeństwa. Rezystancja w stanie przewodzenia rośnie wraz ze wzrostem temperatury złącza, co powoduje większe straty przewodzenia w warunkach wysokich temperatur. Czynnik ten należy uwzględnić na etapie projektowania.
6. Kontrola procesu lutowaniaTemperatura lutowania pinów nie powinna przekraczać 300 stopni Celsjusza. Czas lutowania wymaga odpowiedniej kontroli, aby zapobiec uszkodzeniu układu scalonego przez nadmierne ciepło.
   

5. Podsumowanie produktu

SL10N65F to tranzystor MOSFET mocy z kanałem N o napięciu przebicia 650 V i prądzie znamionowym 10 A, umieszczony w obudowie TO-220F. Łączy on w sobie napięcie znamionowe, obciążalność prądową i parametry przełączania przy wysokiej częstotliwości, a także przeszedł pełną weryfikację niezawodności lawinowej. Nadaje się do zasilaczy impulsowych wysokiego napięcia średniej i małej mocy, zasilaczy LED, prostowników elektronicznych i innych urządzeń. W praktyce inżynierskiej należy zwrócić uwagę na obniżenie parametrów znamionowych pod wpływem temperatury, konfigurację parametrów sterowania bramką oraz ocenę naprężeń lawinowych dla obciążeń indukcyjnych. Należy również uwzględnić charakterystykę powrotu diody wewnętrznej. Należy zachować odpowiedni margines bezpieczeństwa elektrycznego, aby zapewnić długotrwałą i stabilną pracę systemu.

O Slkor:

Slkor ma biura badawczo-rozwojowe w Busan w Korei Południowej, Pekinie w Chinach i Suzhou w Chinach. Większość produkcji, pakowania i testowania płytek odbywa się w Chinach. Firma zatrudnia i współpracuje z osobami i organizacjami na całym świecie, posiadając laboratorium do testowania wydajności i niezawodności produktów oraz centralny magazyn w swojej siedzibie w Shenzhen. Slkor złożył ponad sto wniosków patentowych na wynalazki, oferuje ponad 2,000 modeli produktów i obsługuje ponad dziesięć tysięcy klientów na całym świecie. Jej produkty są eksportowane do krajów i regionów, w tym do Europy, obu Ameryk, Azji Południowo-Wschodniej i Bliskiego Wschodu, co czyni ją jedną z najszybciej rozwijających się firm półprzewodnikowych w ostatnich latach. Dzięki dobrze ugruntowanym systemom zarządzania i usprawnionym przepływom pracy Slkor szybko zwiększył świadomość marki i reputację swoich „SLKOR" marki dzięki wyjątkowej jakości i ustandaryzowanym usługom. Oferta produktów obejmuje trzy główne serie: diodas, tranzystory i urządzenia mocy, wraz z niedawnym wprowadzeniem nowych produktów, takich jak elementy Halla i urządzenia analogowe, rozszerzając swoją obecność w czujnikach, mikrokontrolerach Risc-v i innych kategoriach produktów.