1. Paramètres de base du produit

1.1 Valeurs maximales absolues à une température de boîtier de 25 degrés Celsius

1. La tension de claquage drain-source est de 650 volts.
2. Le courant de drain continu atteint 10 ampères à une température de boîtier de 25 degrés Celsius et 6.3 ampères à une température de boîtier de 100 degrés Celsius.
3. Le courant de drain pulsé maximal est de 40 ampères.
4. La tension grille-source maximale admissible est de plus ou moins 30 volts.
5. L'énergie d'une avalanche à impulsion unique est de 427 millijoules, et l'énergie d'une avalanche répétitive est de 43 millijoules.
6. La puissance dissipée maximale est de 41.8 watts. Au-delà de 25 degrés Celsius, la puissance dissipée est réduite de 0.33 watt par degré Celsius supplémentaire.
7. La température de jonction en fonctionnement est comprise entre -55 °C et 150 °C. La température de stockage est comprise entre -55 °C et 150 °C. La température maximale admissible pour le soudage des broches est de 300 °C.

1.2 Principales caractéristiques électriques à une température de jonction de 25 degrés Celsius

1. La tension de seuil de la grille se situe entre 2.5 volts et 4.5 volts.
2. La résistance maximale drain-source à l'état passant est de 0.94 ohms.
3. La charge totale typique de la grille est de 35 nanocoulombs.
4. La capacité de transfert inverse typique est de 22 picofarads.
5. La tension directe maximale de la diode intégrée est de 1.5 volt.
6. Le temps de récupération inverse typique de la diode de corps est de 511 nanosecondes.
7. En ce qui concerne les paramètres de résistance thermique, la résistance thermique maximale jonction-boîtier est de 2.99 degrés Celsius par watt, et la résistance thermique maximale jonction-ambiant est de 47.21 degrés Celsius par watt.

1.3 Informations sur l'emballage et la commande

1. Ce composant utilise un boîtier TO-220F. La broche 1 correspond à la grille, la broche 2 au drain et la broche 3 à la source.
2. Le marquage imprimé sur le corps du composant est SL10N65F.
3. Il est conditionné en tube. Son poids moyen est de 2.2 grammes. Ce modèle contient des halogènes.

2. Principales caractéristiques du produit

1. Une faible charge totale de grille réduit les pertes de puissance dans les circuits de commande et facilite la conception de circuits de commande haute fréquence.
2. Une faible capacité de transfert inverse atténue les interférences de commutation causées par l'effet Miller.
3. La rapidité de la commutation convient à diverses conditions de fonctionnement à haute fréquence.
4. Tous les appareils sont soumis à des tests d'avalanche et offrent une fiabilité optimale dans des conditions de commutation inductive non bridées.
5. L'excellente immunité aux brusques variations de tension réduit le risque de déclenchement intempestif par ces variations.
6. Ce produit est conforme aux normes environnementales RoHS.
   

3 Principaux domaines d'application

1. Alimentations à découpage à haut rendement
2. Ballasts électroniques pour lampes basés sur une topologie en demi-pont
3. Alimentations LED
4. Autres circuits électroniques de puissance haute fréquence nécessitant des MOSFET à canal N haute tension

4. Suggestions pour la conception technique

1. Gestion thermiqueCe composant présente une résistance thermique jonction-ambiante élevée. Un dissipateur thermique doit être installé en conditions de fonctionnement à forte puissance. Le refroidissement naturel par le seul composant nu n'est pas acceptable. Le courant continu admissible diminue avec l'augmentation de la température du boîtier. Une réduction du courant doit être appliquée en fonction de la température réelle du boîtier pendant le fonctionnement de l'équipement.
2. Circuit d'entraînement de porteLa tension de seuil de grille se situe entre 2.5 et 4.5 volts. Une tension de commande de 10 volts est recommandée pour obtenir la résistance à l'état passant nominale. Une résistance de grille appropriée doit être prévue dans la boucle de commande afin de supprimer les pics de tension, d'éviter les amorçages intempestifs et d'équilibrer les pertes par commutation. La tension grille-source ne doit pas dépasser ±30 volts afin d'éviter la dégradation de la couche d'oxyde de grille.
3. Conditions de charge inductive et d'avalancheBien que le dispositif puisse supporter les contraintes d'avalanche, l'énergie réelle des avalanches, qu'elles soient ponctuelles ou répétitives, ne doit pas dépasser les valeurs nominales spécifiées dans la fiche technique. Pour les circuits comportant des charges inductives, les contraintes d'impact dues à la commutation inductive non écrêtée doivent être pleinement évaluées.
4. Notes d'application pour la diode de corpsUne diode de substrat source-drain est intégrée au composant, mais son temps de recouvrement inverse est relativement long. Si le circuit est sensible aux pertes par effet Joule, l'ajout d'une diode de recouvrement rapide externe est recommandé.
5. Conception des marges de tension et de courantLa tension et le courant de fonctionnement doivent rester inférieurs aux valeurs maximales absolues du composant, avec une marge de sécurité suffisante. La résistance à l'état passant augmente avec la température de jonction, ce qui entraîne des pertes par conduction plus importantes à haute température. Ce facteur doit être pris en compte lors de la conception.
6. Contrôle du processus de brasageLa température de soudage des broches ne doit pas dépasser 300 degrés Celsius. La durée du soudage doit être correctement contrôlée afin d'éviter tout dommage interne à la puce dû à une chaleur excessive.
   

5. Informations sur le produit

Le SL10N65F est un MOSFET de puissance à canal N, avec une tension de claquage de 650 V et un courant nominal de 10 A, encapsulé dans un boîtier TO-220F. Il offre un bon équilibre entre tension nominale, capacité de transport de courant et performances de commutation haute fréquence, et a subi avec succès des tests de fiabilité en avalanche. Il convient aux alimentations à découpage haute tension de moyenne et basse puissance, aux alimentations pour LED, aux redresseurs électroniques et autres équipements. En pratique, il est essentiel de prendre en compte la réduction de puissance thermique, la configuration des paramètres de commande de grille et l'évaluation des contraintes d'avalanche pour les charges inductives. La caractéristique de recouvrement inverse de la diode de substrat doit également être considérée. Une marge de sécurité électrique suffisante doit être prévue pour garantir un fonctionnement stable et durable du système.

À propos de Slkor :

Slkor possède des bureaux de recherche et développement à Busan, en Corée du Sud, à Pékin, en Chine, et à Suzhou, en Chine. La plupart des opérations de fabrication, de conditionnement et de test des plaquettes sont effectuées en Chine. L'entreprise emploie et collabore avec des particuliers et des organisations du monde entier, avec un laboratoire de test des performances et de la fiabilité des produits et un entrepôt central situé à son siège social à Shenzhen. Slkor a déposé plus d'une centaine de brevets d'invention, propose plus de 2,000 XNUMX modèles de produits et sert plus de dix mille clients dans le monde. Ses produits sont exportés vers des pays et des régions tels que l'Europe, les Amériques, l'Asie du Sud-Est et le Moyen-Orient, ce qui en fait l'une des sociétés de semi-conducteurs à la croissance la plus rapide ces dernières années. Grâce à des systèmes de gestion bien établis et à des flux de travail rationalisés, Slkor a rapidement amélioré la notoriété de sa marque et la réputation de ses produits.SLKOR" par sa qualité exceptionnelle et ses services standardisés. Sa gamme de produits comprend trois grandes séries : diodes, transistors et dispositifs de puissance, avec l'introduction récente de nouveaux produits tels que des éléments Hall et des dispositifs analogiques, élargissant sa présence dans les capteurs, les microcontrôleurs Risc-v et d'autres catégories de produits.