1. Parametri principali del prodotto

1.1 Valori massimi assoluti a una temperatura della cassa di 25 gradi Celsius

1. La tensione di rottura drain-source è di 650 volt.
2. La corrente di drain continua raggiunge i 10 ampere a una temperatura dell'involucro di 25 gradi Celsius e i 6.3 ampere a una temperatura dell'involucro di 100 gradi Celsius.
3. La corrente di drain pulsata massima è di 40 ampere.
4. La tensione massima consentita tra gate e source è di più o meno 30 volt.
5. L'energia di una singola valanga è di 427 millijoule, mentre l'energia di una valanga ripetuta è di 43 millijoule.
6. La dissipazione di potenza totale massima è di 41.8 watt. Al di sopra di una temperatura dell'involucro di 25 gradi Celsius, la dissipazione di potenza si riduce di 0.33 watt per ogni grado Celsius di aumento della temperatura.
7. La temperatura di giunzione operativa varia da -55 gradi Celsius a 150 gradi Celsius. La temperatura di stoccaggio varia da -55 gradi Celsius a 150 gradi Celsius. La temperatura massima consentita per la saldatura dei pin è di 300 gradi Celsius.

1.2 Caratteristiche elettriche principali alla temperatura di giunzione di 25 gradi Celsius

1. La tensione di soglia del gate varia da 2.5 volt a 4.5 volt.
2. La resistenza massima tra drain e source nello stato di conduzione è di 0.94 ohm.
3. La carica totale tipica del gate è di 35 nanocoulomb.
4. La capacità di trasferimento inverso tipica è di 22 picofarad.
5. La tensione diretta massima del diodo integrato nel corpo è di 1.5 volt.
6. Il tempo di recupero inverso tipico del diodo intrinseco è di 511 nanosecondi.
7. Per quanto riguarda i parametri di resistenza termica, la resistenza termica massima giunzione-involucro è di 2.99 gradi Celsius per watt, e la resistenza termica massima giunzione-ambiente è di 47.21 gradi Celsius per watt.

1.3 Informazioni su imballaggio e ordine

1. Il dispositivo adotta un contenitore TO-220F. Il pin 1 si riferisce al gate, il pin 2 al drain e il pin 3 al source.
2. La sigla stampata sul corpo del componente è SL10N65F.
3. Viene fornito in una confezione tubolare. Il peso tipico del dispositivo è di 2.2 grammi. Questo modello non è privo di alogeni.

2. Caratteristiche principali del prodotto

1. Una bassa carica totale del gate riduce la perdita di potenza nei circuiti di pilotaggio e facilita la progettazione di circuiti di pilotaggio ad alta frequenza.
2. La bassa capacità di trasferimento inverso attenua le interferenze di commutazione causate dall'effetto Miller.
3. La rapida risposta di commutazione si adatta a diverse condizioni operative ad alta frequenza.
4. Tutti i dispositivi vengono sottoposti a test di valanga e offrono una capacità affidabile per condizioni di commutazione induttiva non bloccate.
5. L'eccellente immunità alle variazioni improvvise di tensione riduce il rischio di accensioni accidentali causate da tali variazioni.
6. Il prodotto è conforme agli standard ambientali RoHS.
   

3. Principali campi di applicazione

1. Alimentatori switching ad alta efficienza
2. Reattori elettronici per lampade basati su topologia a semiponte
3. Alimentatori LED
4. Altri circuiti elettronici di potenza ad alta frequenza che richiedono MOSFET a canale N ad alta tensione

4. Suggerimenti per la progettazione ingegneristica

1. Gestione termicaQuesto dispositivo presenta un'elevata resistenza termica giunzione-ambiente. In condizioni operative ad alta potenza, è necessario installare un dissipatore di calore. Il raffreddamento naturale tramite il solo componente nudo non è accettabile. La corrente continua ammissibile diminuisce all'aumentare della temperatura dell'involucro. La riduzione della corrente deve essere effettuata in base alla temperatura effettiva dell'involucro durante il funzionamento dell'apparecchiatura.
2. Circuito Gate DriveLa tensione di soglia del gate è compresa tra 2.5 volt e 4.5 volt. Si raccomanda una tensione di pilotaggio di 10 volt per ottenere la resistenza nominale nello stato di conduzione. Nel circuito di pilotaggio deve essere predisposta un'adeguata resistenza di gate per sopprimere i picchi di tensione, prevenire accensioni indesiderate e bilanciare le perdite di commutazione. La tensione gate-source non deve superare i ±30 volt, per evitare danni da rottura allo strato di ossido del gate.
3. Carico induttivo e condizioni di valangaSebbene il dispositivo possa resistere a sollecitazioni da valanga, l'energia effettiva da valanga, sia a impulso singolo che ripetitiva, non deve superare i valori nominali specificati nella scheda tecnica. Per i circuiti con carichi induttivi, le sollecitazioni da impatto causate dalla commutazione induttiva non bloccata devono essere valutate in modo completo.
4. Note applicative per il diodo corporeo: All'interno del dispositivo è integrato un diodo source-drain, tuttavia il suo tempo di recupero inverso è relativamente lungo. Se il circuito è sensibile alle perdite di recupero dovute al ricircolo dei gas, si consiglia l'aggiunta di un diodo di recupero rapido esterno.
5. Progettazione del margine di tensione e correnteLa tensione e la corrente di esercizio effettive devono rimanere al di sotto dei valori massimi assoluti del dispositivo, con un margine di sicurezza sufficiente. La resistenza di conduzione aumenta con l'aumentare della temperatura di giunzione, il che comporta maggiori perdite di conduzione in condizioni di alta temperatura. Questo fattore deve essere considerato in fase di progettazione.
6. Controllo del processo di saldaturaLa temperatura di saldatura dei pin non deve superare i 300 gradi Celsius. La durata della saldatura deve essere controllata con attenzione per evitare danni interni al chip causati da un calore eccessivo.
   

5. Riepilogo del prodotto

SL10N65F è un MOSFET di potenza a canale N con tensione di rottura di 650 volt e corrente nominale di 10 ampere, alloggiato in un contenitore TO-220F. Offre un buon equilibrio tra tensione nominale, capacità di trasporto di corrente e prestazioni di commutazione ad alta frequenza, ed è stato sottoposto a una completa verifica di affidabilità a valanga. È adatto per alimentatori switching ad alta tensione di media e bassa potenza, alimentatori per LED, raddrizzatori elettronici e altre apparecchiature. In ambito ingegneristico, è necessario prestare attenzione al declassamento termico, alla configurazione dei parametri di pilotaggio del gate e alla valutazione dello stress da valanga per carichi induttivi. Occorre inoltre considerare la caratteristica di recupero inverso del diodo interno. È necessario riservare un adeguato margine di sicurezza elettrica per garantire un funzionamento stabile e duraturo del sistema.

Informazioni su Slkor:

Slkor ha uffici di ricerca e sviluppo a Busan, Corea del Sud, Pechino, Cina e Suzhou, Cina. La maggior parte della produzione, del confezionamento e dei test dei wafer viene effettuata in Cina. L'azienda impiega e collabora con individui e organizzazioni in tutto il mondo, con un laboratorio per i test di affidabilità e prestazioni dei prodotti e un magazzino centrale situato presso la sede centrale di Shenzhen. Slkor ha depositato oltre un centinaio di brevetti di invenzione, offre oltre 2,000 modelli di prodotti e serve oltre diecimila clienti in tutto il mondo. I suoi prodotti vengono esportati in paesi e regioni tra cui Europa, Americhe, Asia sud-orientale e Medio Oriente, rendendola una delle aziende di semiconduttori in rapida crescita negli ultimi anni. Con sistemi di gestione consolidati e flussi di lavoro semplificati, Slkor ha rapidamente migliorato la consapevolezza del marchio e la reputazione del suo "SLKOR" grazie alla sua eccezionale qualità e ai servizi standardizzati. La sua gamma di prodotti comprende tre serie principali: diodos, transistor e dispositivi di potenza, con la recente introduzione di nuovi prodotti come elementi Hall e dispositivi analogici, espandendo la sua presenza in sensori, microcontrollori Risc-v e altre categorie di prodotti.