1. Parâmetros Essenciais do Produto

1.1 Classificações máximas absolutas a uma temperatura da caixa de 25 graus Celsius

1. A tensão de ruptura entre dreno e fonte é de 650 volts.
2. A corrente de dreno contínua atinge 10 amperes a uma temperatura da carcaça de 25 graus Celsius e 6.3 amperes a uma temperatura da carcaça de 100 graus Celsius.
3. A corrente máxima de dreno pulsado é de 40 amperes.
4. A tensão máxima permitida entre porta e fonte é de mais ou menos 30 volts.
5. A energia de uma avalanche de pulso único é de 427 milijoules, e a energia de uma avalanche repetitiva é de 43 milijoules.
6. A dissipação máxima de potência total é de 41.8 watts. Acima de 25 graus Celsius de temperatura da carcaça, a dissipação de potência deve ser reduzida em 0.33 watts para cada aumento de um grau Celsius na temperatura.
7. A temperatura de junção em operação varia de -55 °C a 150 °C. A temperatura de armazenamento varia de -55 °C a 150 °C. A temperatura máxima permitida para soldagem dos pinos é de 300 °C.

1.2 Principais características elétricas à temperatura de junção de 25 graus Celsius

1. A tensão de limiar do gate varia de 2.5 volts a 4.5 volts.
2. A resistência máxima entre dreno e fonte no estado ligado é de 0.94 ohms.
3. A carga total típica do gate é de 35 nanocoulombs.
4. A capacitância típica de transferência reversa é de 22 picofarads.
5. A tensão direta máxima do diodo de corpo integrado é de 1.5 volts.
6. O tempo típico de recuperação reversa do diodo de corpo é de 511 nanossegundos.
7. Em relação aos parâmetros de resistência térmica, a resistência térmica máxima da junção à carcaça é de 2.99 graus Celsius por watt, e a resistência térmica máxima da junção ao ambiente é de 47.21 graus Celsius por watt.

1.3 Informações sobre a embalagem e o pedido

1. O dispositivo utiliza a embalagem TO-220F. O pino 1 refere-se ao gate, o pino 2 ao dreno e o pino 3 à fonte.
2. A marcação do dispositivo impressa no corpo do componente é SL10N65F.
3. É fornecido em embalagem tubular. O peso típico do dispositivo é de 2.2 gramas. Este modelo não é livre de halogênios.

2. Principais características do produto

1. Uma baixa carga total de porta reduz a perda de energia nos circuitos de acionamento e facilita o projeto de circuitos de acionamento de alta frequência.
2. A baixa capacitância de transferência reversa atenua a interferência de comutação causada pelo efeito Miller.
3. A resposta de comutação rápida é adequada para diversas condições de operação em alta frequência.
4. Todos os dispositivos são submetidos a testes de avalanche e oferecem capacidade confiável para condições de comutação indutiva sem fixação.
5. A excelente imunidade a transientes de tensão abruptos reduz o risco de acionamentos falsos desencadeados por esses transientes.
6. O produto está em conformidade com as normas ambientais RoHS.
   

3. Principais campos de aplicação

1. Fontes de alimentação comutadas de alta eficiência
2. Reatores eletrônicos para lâmpadas baseados na topologia de meia-ponte
3. Fontes de alimentação LED
4. Outros circuitos eletrônicos de potência de alta frequência que requerem MOSFETs de canal N de alta tensão

4. Sugestões para Projeto de Engenharia

1. Gerenciamento termalEste dispositivo apresenta alta resistência térmica entre a junção e o ambiente. Um dissipador de calor deve ser instalado em condições de operação de alta potência. O resfriamento natural apenas pelo componente exposto não é aceitável. A corrente contínua admissível diminui com o aumento da temperatura da carcaça. A redução da corrente nominal deve ser realizada de acordo com a temperatura real da carcaça durante a operação do equipamento.
2. Circuito de movimentação do portãoA tensão de limiar do gate situa-se entre 2.5 volts e 4.5 volts. Recomenda-se uma tensão de acionamento de 10 volts para atingir a resistência nominal no estado ligado. Deve-se utilizar uma resistência de gate adequada no circuito de acionamento para suprimir picos de tensão, evitar acionamentos falsos e compensar as perdas de comutação. A tensão entre gate e source não deve exceder ±30 volts, para evitar danos por ruptura na camada de óxido do gate.
3. Carga indutiva e condições de avalancheEmbora o dispositivo possa suportar tensões de avalanche, a energia real de avalanche de pulso único e repetitiva não deve exceder os valores nominais especificados na folha de dados. Para circuitos com cargas indutivas, a tensão de impacto causada pela comutação indutiva sem proteção deve ser totalmente avaliada.
4. Notas de aplicação para diodo de corpoUm diodo de corpo entre fonte e dreno está integrado ao dispositivo, porém seu tempo de recuperação reversa é relativamente longo. Se o circuito for sensível a perdas por recuperação em regime permanente, recomenda-se um diodo externo adicional de recuperação rápida.
5. Projeto de margem de tensão e correnteA tensão e a corrente de operação práticas devem permanecer abaixo dos valores máximos absolutos do dispositivo, com margem de segurança suficiente. A resistência no estado ligado aumenta com o aumento da temperatura da junção, o que acarreta maiores perdas por condução em condições de alta temperatura. Esse fator deve ser considerado na fase de projeto.
6. Controle do Processo de SoldagemA temperatura de soldagem dos pinos não deve exceder 300 graus Celsius. A duração da soldagem precisa ser controlada adequadamente para evitar danos internos ao chip causados ​​pelo calor excessivo.
   

5. sumario de produtos

O SL10N65F é um MOSFET de potência de canal N com tensão de ruptura de 650 volts e corrente nominal de 10 amperes, encapsulado em um invólucro TO-220F. Ele oferece um equilíbrio entre tensão nominal, capacidade de condução de corrente e desempenho de chaveamento em alta frequência, tendo passado por testes completos de confiabilidade em avalanche. É adequado para fontes de alimentação chaveadas de alta tensão de média e baixa potência, fontes de alimentação para LEDs, retificadores eletrônicos e outros equipamentos. Na prática de engenharia, deve-se atentar para a redução de potência térmica, a configuração dos parâmetros de acionamento do gate e a avaliação do estresse por avalanche para cargas indutivas. A característica de recuperação reversa do diodo de corpo interno também precisa ser considerada. Uma margem de segurança elétrica adequada deve ser reservada para garantir a operação estável e de longo prazo do sistema.

Sobre Slkor:

A Slkor tem escritórios de pesquisa e desenvolvimento em Busan, Coreia do Sul, Pequim, China e Suzhou, China. A maior parte da fabricação, embalagem e testes de wafers são realizados na China. A empresa emprega e colabora com indivíduos e organizações em todo o mundo, com um laboratório para testes de desempenho e confiabilidade de produtos e um depósito central localizado em sua sede em Shenzhen. A Slkor entrou com mais de cem patentes de invenção, oferece mais de 2,000 modelos de produtos e atende a mais de dez mil clientes globalmente. Seus produtos são exportados para países e regiões, incluindo Europa, Américas, Sudeste Asiático e Oriente Médio, tornando-a uma das empresas de semicondutores de rápido crescimento nos últimos anos. Com sistemas de gerenciamento bem estabelecidos e fluxos de trabalho simplificados, a Slkor aumentou rapidamente o reconhecimento da marca e a reputação de seus "SLKOR"marca através de sua excelente qualidade e serviços padronizados. Sua gama de produtos inclui três séries principais: diodos, transistores e dispositivos de potência, com lançamentos recentes de novos produtos, como elementos Hall e dispositivos analógicos, expandindo sua presença em sensores, microcontroladores Risc-v e outras categorias de produtos.