1. Kernproductparameters

1.1 Absolute maximale waarden bij een behuizingstemperatuur van 25 graden Celsius

1. De drain-source doorslagspanning bedraagt ​​650 volt.
2. De continue stroomafname bedraagt ​​10 ampère bij een behuizingstemperatuur van 25 graden Celsius en 6.3 ampère bij een behuizingstemperatuur van 100 graden Celsius.
3. De maximale gepulseerde drainstroom bedraagt ​​40 ampère.
4. De maximaal toegestane gate-source-spanning bedraagt ​​plus en min 30 volt.
5. De energie van een lawine met één enkele puls bedraagt ​​427 millijoule, en de energie van een lawine met herhaalde pulsen bedraagt ​​43 millijoule.
6. Het maximale totale vermogensverlies bedraagt ​​41.8 watt. Boven een behuizingstemperatuur van 25 graden Celsius wordt het vermogensverlies met 0.33 watt verminderd voor elke graad Celsius temperatuurstijging.
7. De bedrijfstemperatuur van de junctie varieert van -55 graden Celsius tot 150 graden Celsius. De opslagtemperatuur varieert van -55 graden Celsius tot 150 graden Celsius. De maximaal toegestane soldeertemperatuur voor de pinnen is 300 graden Celsius.

1.2 Belangrijkste elektrische eigenschappen bij een junctietemperatuur van 25 graden Celsius

1. De drempelspanning van de gate varieert van 2.5 volt tot 4.5 volt.
2. De maximale drain-source-weerstand in geleidende toestand bedraagt ​​0.94 ohm.
3. De typische totale poortlading bedraagt ​​35 nanocoulomb.
4. De typische omgekeerde overdrachtscapaciteit bedraagt ​​22 picofarads.
5. De maximale voorwaartse spanning van de ingebouwde diode bedraagt ​​1.5 volt.
6. De typische hersteltijd van de interne diode bedraagt ​​511 nanoseconden.
7. Wat de thermische weerstandsparameters betreft, bedraagt ​​de maximale thermische weerstand tussen junctie en behuizing 2.99 graden Celsius per watt, en de maximale thermische weerstand tussen junctie en omgeving 47.21 graden Celsius per watt.

1.3 Verpakkings- en bestelinformatie

1. Het apparaat maakt gebruik van een TO-220F-behuizing. Pin 1 is de gate, pin 2 de drain en pin 3 de source.
2. De apparaatmarkering die op de behuizing van het component is afgedrukt, is SL10N65F.
3. Het wordt geleverd in een tube. Het apparaat weegt doorgaans 2.2 gram. Dit model is niet halogeenvrij.

2. Belangrijkste productkenmerken

1. Een lage totale gate-lading vermindert het vermogensverlies in aansturingscircuits en vergemakkelijkt het ontwerp van hoogfrequente aansturingscircuits.
2. Een lage omgekeerde overdrachtscapaciteit vermindert schakelinterferentie veroorzaakt door het Miller-effect.
3. Snelle schakelrespons geschikt voor diverse hoogfrequente bedrijfsomstandigheden.
4. Alle apparaten ondergaan lawinetests en bieden betrouwbare prestaties bij inductieve schakelomstandigheden zonder klemming.
5. Uitstekende immuniteit tegen abrupte spanningspieken verlaagt het risico op onbedoeld inschakelen als gevolg van spanningspieken.
6. Het product voldoet aan de RoHS-milieunormen.
   

3. Belangrijkste toepassingsgebieden

1. Hoogrendements schakelende voedingen
2. Elektronische lampballasten gebaseerd op halfbrugtopologie
3. LED-voedingen
4. Andere hoogfrequente vermogenselektronicacircuits die hoogspannings-N-kanaals MOSFET's vereisen.

4. Suggesties voor technisch ontwerp

1. Thermisch beheerDit apparaat heeft een hoge thermische weerstand tussen de junctie en de omgeving. Bij gebruik met hoog vermogen moet een koelplaat worden gemonteerd. Natuurlijke koeling door het onbedekte component alleen is niet acceptabel. De toelaatbare continue stroom neemt af naarmate de behuizingstemperatuur stijgt. Stroomreductie moet worden uitgevoerd op basis van de werkelijke behuizingstemperatuur tijdens bedrijf van het apparaat.
2. Gate aandrijfcircuitDe drempelspanning van de gate ligt tussen 2.5 en 4.5 volt. Een stuurspanning van 10 volt wordt aanbevolen om de nominale geleidbaarheid te bereiken. Een geschikte gateweerstand moet in de aansturingslus worden opgenomen om spanningspieken te onderdrukken, ongewenste inschakelingen te voorkomen en schakelverliezen te compenseren. De gate-source-spanning mag niet hoger zijn dan plus of min 30 volt om schade aan de gate-oxidelaag te voorkomen.
3. Inductieve belasting en lawineomstandighedenHoewel het apparaat lawinebelasting kan weerstaan, mag de werkelijke lawine-energie bij een enkele puls en bij herhaalde puls de in het gegevensblad vermelde nominale waarden niet overschrijden. Voor circuits met inductieve belastingen moet de impactbelasting die wordt veroorzaakt door niet-geklemd inductief schakelen volledig worden geëvalueerd.
4. Toepassingsinstructies voor de behuizingsdiodeEen source-drain-bodydiode is in het apparaat geïntegreerd, maar de hersteltijd na uitschakeling is relatief lang. Als het circuit gevoelig is voor verlies door vrijloop, wordt een extra externe diode met snelle hersteltijd aanbevolen.
5. Spannings- en stroommargeontwerpDe praktische bedrijfsspanning en -stroom moeten onder de absolute maximumwaarden van het apparaat blijven, met een voldoende veiligheidsmarge. De geleidbaarheidsweerstand neemt toe met een stijgende junctietemperatuur, wat leidt tot hogere geleidingsverliezen bij hoge temperaturen. Met deze factor moet rekening worden gehouden in de ontwerpfase.
6. Controle van het soldeerprocesDe temperatuur tijdens het solderen van de pinnen mag niet hoger zijn dan 300 graden Celsius. De soldeertijd moet nauwlettend in de gaten worden gehouden om interne chipbeschadiging door overmatige hitte te voorkomen.
   

5. Productoverzicht

De SL10N65F is een N-kanaals vermogens-MOSFET met een doorslagspanning van 650 volt en een nominale stroom van 10 ampère, gehuisvest in een TO-220F-behuizing. Deze MOSFET biedt een goede balans tussen spanningsbereik, stroomvoerend vermogen en schakelprestaties bij hoge frequenties, en heeft de volledige lawinebetrouwbaarheidstest doorstaan. Hij is geschikt voor schakelende voedingen met middelhoog en laag vermogen, LED-voedingen, elektronische gelijkrichters en andere apparatuur. In de praktijk moet rekening worden gehouden met thermische derating, de configuratie van de gate-aansturingsparameters en de lawinebelastingstest voor inductieve belastingen. Ook de herstelkarakteristiek van de interne bodydiode moet in overweging worden genomen. Een adequate elektrische veiligheidsmarge moet worden aangehouden om een ​​langdurige en stabiele werking van het systeem te garanderen.

Over Slkor:

Slkor heeft onderzoeks- en ontwikkelingskantoren in Busan, Zuid-Korea, Beijing, China en Suzhou, China. De meeste waferproductie, verpakking en tests worden uitgevoerd in China. Het bedrijf heeft wereldwijd mensen en organisaties in dienst en werkt met hen samen, met een laboratorium voor productprestaties en betrouwbaarheidstesten en een centraal magazijn op het hoofdkantoor in Shenzhen. Slkor heeft meer dan honderd octrooien voor uitvindingen aangevraagd, biedt meer dan 2,000 productmodellen en bedient wereldwijd meer dan tienduizend klanten. De producten worden geëxporteerd naar landen en regio's, waaronder Europa, Noord- en Zuid-Amerika, Zuidoost-Azië en het Midden-Oosten, waardoor het een van de snelst groeiende halfgeleiderbedrijven van de afgelopen jaren is geworden. Met goed gevestigde managementsystemen en gestroomlijnde workflows heeft Slkor de naamsbekendheid en reputatie van zijn "SLKOR" merk door zijn uitstekende kwaliteit en gestandaardiseerde diensten. Het productassortiment omvat drie grote series: diodes, transistors en voedingsapparaten, met recente introducties van nieuwe producten zoals Hall-elementen en analoge apparaten, waardoor zijn aanwezigheid in sensoren, Risc-v-microcontrollers en andere productcategorieën wordt uitgebreid.