Главная Решения Ежедневное событие Интересный набор IP-историй SIC MOSFET — полусумка Bingfeeling, Ромм Шуанлоу, территория жильцов и ge кто лежит

Интересный набор IP-историй SIC MOSFET — полусумка Bingfeeling, Ромм Шуанлоу, территория жильцов и ge кто лежит

2022-03-17 182

Учебные заметки любителя чипов из карбида кремния. Сборник литературы, новости отрасли, случайные достижения, непринужденный стиль. Официальный аккаунт WeChat предназначен только для личных учебных заметок и предназначен только для личных хобби и не преследует каких-либо коммерческих целей. Прошу прощения, если в тексте есть неправильные цитаты. Хобби некоторых людей — выращивание цветов и травы, пение и рыбалка, а другим нравится вести блог в Твиттере в Тик Ток. В последние годы мне нравится время от времени читать книги и чистить бумагу по выходным, чтобы увидеть развитие передовых материалов и технологий устройств.

Надпись: Делай что-нибудь интересное и будь интересной душой.

Я рассказал несколько слов о сплетнях о судебном процессе Ромма по поводу двойной интеллектуальной собственности и обнаружил, что у меня немало заинтересованных друзей. На многие обмены мнениями и вопросы невозможно ответить один за другим. Тогда продолжайте общение.

На самом деле, об этих патентах на траншейные конструкции говорить особенно нечего. Как мы все знаем, пути нет. Это ранний запуск червя, который аналогичен захвату регистрации доменного имени в предыдущие годы.Мы все опоздали на несколько лет.

Все эти траншейные конструкции являются базовыми. Иногда это выглядит какой-то особенной красотой. Если присмотреться, то он особенно симметричен.Представьте себе перестановку и комбинацию этих структур и рекомбинирование их в трехмерном пространстве… разве это не интересно!

Вот почему всегда говорят, что три структуры: «полупакет Infineon, двойная траншея Roma, двойное заглубление заземления Sumitomo» являются базовыми структурами.Разве это не интересно? ...К сожалению, согласно международному патентному праву, перестановка и комбинация не работают!В противном случае Ром может легко интегрировать диод Шоттки рядом с двойной траншеей, так что нам не придется так сильно обращаться в суд!

Этот судебный процесс кажется бесконечным. Это также полностью доказывает со стороны, насколько редким является действительно полезный патент ИС на траншейную структуру из карбида кремния!В частности, сейчас появляется всё больше устройств на основе карбида кремния. Многие оригинальные кремниевые IGBT и CoolMOS-транзисторы преобразуются в карбид-кремниевые диоды и планарные МОП-транзисторы, и эти изделия производятся практически за считанные минуты.В этом случае IP траншейной структуры из карбида кремния имеет большое значение!

Когда-то я хотел начать бизнес. Я думаю, особенно после того, как возглавил школу на Шоттки-стрит, поскольку я почти могу выполнить всю работу, от дизайна макета до интеграции и разработки процессов, я смогу найти немного денег, чтобы попробовать!Немного почитав историю разработки и патентообладателя каждой структуры, мы обнаружили, что существует много сходств между разработкой структуры специального SiC и разработкой структуры и технологии седьмого поколения кремниевых IGBT!

Удивительно, но источник многих структурных и технологических IP-адресов на самом деле находится в GE!Когда-то я думал, что в планарной МОП нет патентной проблемы, но теперь я не уверен. Я не знаю, когда придет время прочитать все эти патенты GE и японских групп!

Более того, Япония — это групповая битва, дополняющая патентную схему. Очень полезно!Например, я раньше думал, что по сравнению с полупакетом Infineon и двойной траншеей Rohm добавление некоторых материалов и порошка к заземленной двойной заглубленной IP Sumitomo будет хорошим прорывом для IP с траншейной структурой. Еще многое предстоит сделать. И в будущем это не будет так бросаться в глаза, и на него будет не так легко подать в суд, как на полусумку Infenion и двойную канавку.Однако за последние два года, пока Ром занимался судебным процессом, выяснилось, что японские компании Denso Fuji RomToyota рвутся за патентами, бешено вышивают оригинальные конструкции, проверяют на наличие дефектов и отлавливают утечки. Это все равно что пытаться построить в канаве еще несколько высоких зданий. Например, существует семнадцать или восемь вариантов и комбинаций заземляющей двухзаглубляющей конструкции.

В сентябре этого года я услышал, что Санан также хотел начать разработку траншейного МОП-транзистора из карбида кремния, но патента на траншейную структуру избежать не удалось. Наконец, я просто решил сделать его первым. Поэтому я нанял врача прямо из Пекинского института микроэлектроники и начал имитировать структуру траншеи.

Это не очень далеко. Я просто хотел поговорить о GE. Это настоящий IP-магнат из карбида кремния. Однако устройства из карбида кремния — это небольшой бизнес для GE, и GE не проявляет особого интереса. Даже GE, спекулирующая на медицинском оборудовании, слишком ленива, чтобы понять причину. Трудно сказать, какова сейчас ситуация с GE.

GE распалась в последние две недели. Возможно, после распределения GE POWER сможет медленно начать малый бизнес или устройства из карбида кремния.В конце концов, теперь нам нужно пойти на ужин в Голландию.

GE должна быть заинтересована в устройствах высокой мощности. После разделения может возникнуть необходимость в продаже и повторном листинге. SiC — ценный инструмент! В этом можно убедиться, взглянув на недавнюю энергичную поддержку GE POWER развития Китая.

Если GE POWER действительно станет независимой и будет стремиться к тому, чтобы ее котировали отдельно, тогда силовые чипы и устройства SiC Power должны стать хорошим портом для нового старта.

Время для GE POWER как раз подходящее.Так уж получилось, что карбид кремния очень горячий, и все игроки особенно богаты.Возможно, GE POWER сможет начать собирать урожай лука-порея, как Qualcomm, и стать IP-провайдером POWER.

Для предприятия с вековой историей,История разлуки только началась, и будущее будет блестящим, кто знает!

Отказ от ответственности: Эта статья воспроизведена из «Заметок по обучению чипам из карбида кремния». Эта статья отражает только личную точку зрения автора и не отражает точку зрения Sacco Micro и отрасли. Он предназначен только для перепечатки и распространения в целях защиты прав интеллектуальной собственности. При перепечатке просьба указывать первоисточник и автора. Если есть какие-либо нарушения, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы удалить их.

Тел. компании: +86-0755-83044319
Факс/факс:+86-0755-83975897
Почта: 1615456225@qq.com
QQ: 332496225 Менеджер Цю
Адрес: комната 809, блок C, здание Zhantao Technology Building, проспект Минчжи № 1079, новый район Лунхуа, Шэньчжэнь.

Помогите поделиться заменой питания, решением BMS для интеллектуальных литиевых батарей на базе GD32E230.

Прогресс исследований ключевых материалов и структурного проектирования силовой электронной упаковки