長期以來，台積電在晶片代工領域一直佔據主導地位。無論在代工技術還是代工規模方面，它都是領先的競爭對手。然而，最近網路開始出現「晶片代工市場格局發生變化」以及「三星將取代台積電」等訊息。

原因是三星在不久前舉行的 IEEE ISSCC 國際固態電路會議上展示了世界上第一款 3nm 晶片。

此外，三星展示的晶片不僅採用了最先進的製程技術，還進一步升級了台積電的GAAFET（環柵場效電晶體）技術。

簡而言之，台積電和三星目前在生產5nm晶片時採用的是FinFET（鰭式場效電晶體）技術。三星3nm晶片中使用的GAAFET技術被認為是下一代FinFET技術。

這項技術的優勢在於其優異的結構，​​採用 FinFET 技術的晶片可以容納更多的電晶體。

GAAFET技術不僅保留了FinFET技術的優勢，而且對晶片上的電晶體進行排序和調整，從而最大限度地利用能量。這實現了節能降溫的效果。

根據三星官方數據，採用 GAAFET 技術的 3nm 晶片比採用 FinFET 技術的 3nm 晶片功耗降低 50%，效能提高 30%。

如果三星提供的數據屬實，那麼採用GAAFET技術的三星3nm晶片性能必將優於同期台積電晶片。三星超越台積電，成為全球第一大晶片代工廠的目標，或許在未來兩年內實現。

然而，台積電並非沒有後備力量。眾所周知，台積電一直以其在市場上的卓越技術而自豪。面對這次來自三星的強勁挑戰，台積電也開始加快步伐，對其晶片技術進行升級改造。

根據台灣媒體通報，台積電將與日本晶片產業聯手，共同推動2nm晶片的研發。儘管日本沒有先進的晶圓代工廠，但在先進技術的上游領域卻佔據著舉足輕重的地位。

以國內用戶最熟悉的EUV光刻機為例。眾所周知，ASML是世界上唯一一家有能力生產EUV光刻機的公司。但很多人不知道的是，ASML缺乏日本公司的協助，因此無法獨立製造EUV微影機。

日本企業在極紫外光刻機製造的諸多環節中扮演重要角色。日本東京電子株式會社佔了光刻機塗佈和顯影設備市場100%的份額。日本雷射科技株式會社也是全球唯一一家能夠生產極紫外光刻掩模偵測設備的廠商。在光阻銷售方面，日本廠商也擁有遙遙領先的市場佔有率。

對於台積電而言，依托日本半導體產業深厚的技術基礎，新技術研發只需付出一半的努力就能達到更大的成效。日本也期待與台積電合作。事實上，早在2020年，日本就已向台積電伸出橄欖枝，邀請台積電在日本建造一座先進的晶片製造工廠。

此外，日本也召集了東京電子、佳能和SCREEN等本土晶片設備巨頭組成研發團隊，計劃在今年年中建立2nm之後的下一代半導體製造技術，並要求這些公司建立測試生產線，以開發相關的精細電加工和清洗技術。可以說，日本已為此次合作做好了充分準備。

根據台積電先前公佈的消息，台積電將在2nm製程中採用MBCFET（多橋溝道場效電晶體）技術，該技術也屬於GAAFET技術的一種。這項製程將於2023年進行小批量試生產，並於2024年普及。其性能優於三星的3nm GAAFET技術。

除了三星和台積電之外，另一家晶片巨頭英特爾也對晶片代工市場虎視眈眈。然而，短期來看，英特爾的實力仍遠遜於三星和台積電。

未來五到十年，三星與台積電之間的密切對話將成為晶片代工市場最常見的景象。