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शिलालेख: कुछ दिलचस्प करो और एक दिलचस्प आत्मा बनो।
मैंने रॉम के डबल ग्रूव आईपी मुकदमे की गपशप के बारे में कुछ शब्द बोले, और पाया कि इसमें काफी रुचि रखने वाले मित्र हैं। कई आदान-प्रदानों और प्रश्नों का उत्तर एक-एक करके नहीं दिया जा सकता है। फिर चैट करते रहो.
दरअसल, इन ट्रेंच स्ट्रक्चर पेटेंट के बारे में बात करने के लिए बहुत कुछ नहीं है। जैसा कि हम सभी जानते हैं, कोई रास्ता नहीं है। यह कृमि की प्रारंभिक शुरुआत है, जो पिछले वर्षों में डोमेन नाम पंजीकरण को जब्त करने के समान है।हम सभी कुछ साल देर से आये हैं।
ये खाई संरचनाएँ सभी बुनियादी संरचनाएँ हैं। कभी-कभी यह एक प्रकार की विशेष सुंदरता की तरह दिखती है। यदि आप बारीकी से देखें, तो यह विशेष रूप से सममित है।इन संरचनाओं का क्रमपरिवर्तन और संयोजन बनाने और उन्हें त्रि-आयामी अंतरिक्ष में पुनः संयोजित करने की कल्पना करें... क्या यह दिलचस्प नहीं है!
इसीलिए यह हमेशा कहा जाता है कि तीन संरचनाएं, "इन्फ़िनॉन आधा पैकेज, रोमा डबल ट्रेंच, सुमितोमो ग्राउंडिंग डबल दफन" बुनियादी संरचनाएं हैं।क्या यह दिलचस्प नहीं है? ...दुर्भाग्य से, अंतरराष्ट्रीय पेटेंट कानून के अनुसार, क्रमपरिवर्तन और संयोजन काम नहीं करता है!अन्यथा, रोहम आसानी से डबल ट्रेंच के बगल में एक शॉटकी डायोड को एकीकृत कर सकता है, इसलिए हमें इतनी मुश्किल से अदालत में जाने की जरूरत नहीं है!
यह मुक़दमा अंतहीन लगता है. यह भी पूरी तरह से साबित करता है कि सिलिकॉन कार्बाइड ट्रेंच संरचना का वास्तव में उपयोगी पेटेंट आईपी कितना दुर्लभ है!खासकर, अब सिलिकॉन कार्बाइड उपकरणों की संख्या बढ़ती जा रही है। कई मूल सिलिकॉन IGBT और CoolMOS को सिलिकॉन कार्बाइड डायोड और प्लेनर MOSFET में बदल दिया जाता है, और ये उत्पाद मूल रूप से कुछ ही मिनटों में तैयार हो जाते हैं।इस मामले में, सिलिकॉन कार्बाइड ट्रेंच संरचना का आईपी कीमती है!
मैं एक बार एक व्यवसाय शुरू करना चाहता था। विशेष रूप से शोट्की स्ट्रीट में एक स्कूल चलाने के बाद, मुझे लगता है कि चूंकि मैं लेआउट डिजाइन से लेकर प्रक्रिया एकीकरण और विकास तक लगभग सभी काम खुद ही पूरा कर सकता हूं, इसलिए मुझे प्रयास करने के लिए कुछ पैसे मिल सकते हैं!प्रत्येक संरचना के विकास इतिहास और पेटेंट को थोड़ा पढ़ने के बाद, हमने पाया कि विशेष SiC के संरचना विकास और सिलिकॉन IGBT की सातवीं पीढ़ी की संरचना और प्रौद्योगिकी विकास के बीच कई समानताएं हैं!
आश्चर्य की बात है, कई संरचना और प्रक्रिया आईपी का स्रोत वास्तव में जीई में है!मैंने एक बार सोचा था कि प्लानर एमओएस में कोई पेटेंट समस्या नहीं है, लेकिन अब मुझे यकीन नहीं है। मुझे नहीं पता कि जीई और जापानी समूहों के उन सभी पेटेंटों को पढ़ने का समय कब है!
इसके अलावा, जापान एक समूह लड़ाई है, जो पेटेंट लेआउट का पूरक है। बहुत उपयोगी!उदाहरण के लिए, मैं सोचता था कि इन्फिनियन हाफ-पैकेज और रोहम डबल-ट्रेंच की तुलना में, वास्तव में सुमितोमो के ग्राउंडेड डबल-दफन आईपी में कुछ सामग्री और पाउडर जोड़ना ट्रेंच संरचना वाले आईपी के लिए एक अच्छी सफलता होगी। अभी भी बहुत कुछ करना बाकी है. और भविष्य में, यह इन्फेनियन हाफ बैग और डबल ग्रूव जितना स्पष्ट और मुकदमा चलाने में आसान नहीं होगा।हालाँकि, पिछले दो वर्षों में, जब रोहम एक मुकदमे में लगे हुए थे, यह पाया गया कि जापानी डेंसो फ़ूजी रोमटोयोटा कंपनियां पेटेंट के लिए जोर-शोर से काम कर रही थीं, मूल संरचनाओं पर बेतहाशा कढ़ाई कर रही थीं, दोषों की जाँच कर रही थीं और लीक पकड़ रही थीं। यह खाई में कुछ और ऊंची इमारतें बनाने की कोशिश करने जैसा है। उदाहरण के लिए, ग्राउंडिंग डबल-बरीइंग संरचना के सत्रह या आठ प्रकार और संयोजन हैं।
इस साल सितंबर में, मैंने सुना कि सानन भी सिलिकॉन कार्बाइड ट्रेंच MOSFET विकसित करना चाहता है, लेकिन ट्रेंच संरचना का पेटेंट टाला नहीं जा सका। आखिरकार, मैंने पहले एक बनाने का फैसला किया। इसलिए मैंने सीधे बीजिंग इंस्टीट्यूट ऑफ माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स से एक डॉक्टर को भर्ती किया, और ट्रेंच संरचना की नकल करना शुरू कर दिया।
यह बहुत दूर नहीं है. मैं सिर्फ जीई के बारे में बात करना चाहता था। यह असली सिलिकॉन कार्बाइड आईपी मैग्नेट है। हालाँकि, सिलिकॉन कार्बाइड उपकरण GE के लिए एक छोटा व्यवसाय है, और GE की इसमें बहुत कम रुचि है। यहां तक कि मुनाफाखोर चिकित्सा उपकरण जीई भी कोई कारण बताने में बहुत आलसी है। यह बताना कठिन है कि अब GE की स्थिति क्या है।
जीई पिछले दो सप्ताह में विभाजित हो रहा है। शायद वितरण के बाद, GE POWER धीरे-धीरे एक छोटा व्यवसाय शुरू कर सकता है, या सिलिकॉन कार्बाइड उपकरण।आख़िरकार, अब हमें डिनर के लिए डच जाना होगा।
GE को उच्च-शक्ति उपकरणों में रुचि होनी चाहिए। अलग होने के बाद, विनिवेश और पुनः सूचीबद्ध करना आवश्यक हो सकता है। SiC एक मूल्यवान उपकरण है! इसे हाल ही में चीन के विकास के लिए GE POWER के उत्साहपूर्ण प्रचार को देखकर देखा जा सकता है।
यदि जीई पावर वास्तव में स्वतंत्र होना शुरू कर देता है और अलग से सूचीबद्ध होना चाहता है, तो पावर चिप्स और एसआईसी पावर डिवाइस नई शुरुआत के लिए एक अच्छा पोर्ट होना चाहिए।
जीई पावर के लिए समय बिल्कुल सही है।जैसा कि होता है, सिलिकॉन कार्बाइड अत्यधिक गर्म होता है, और सभी खिलाड़ी विशेष रूप से समृद्ध होते हैं।शायद जीई पावर क्वालकॉम की तरह लीक की कटाई शुरू कर सकता है और पावर का आईपी प्रदाता बन सकता है।
एक सदी पुराने उद्यम के लिए,अलगाव की कहानी अभी शुरू हुई है, और भविष्य शानदार होगा, कौन जानता है!
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