Startseite Lösungen Tägliches Highlight Die interessante IP-Story von SIC MOSFET – Bingfeeling Half-Bag, Romm Shuanglou, Anwohnergelände und Ge Who im Liegen

Die interessante IP-Story von SIC MOSFET – Bingfeeling Half-Bag, Romm Shuanglou, Anwohnergelände und Ge Who im Liegen

2022-03-17 182

Studiennotizen eines Amateurs von Siliziumkarbid-Chips. Literaturzusammenstellung, Branchennews, gelegentliche Gewinne, uneingeschränkter Stil. Das offizielle WeChat-Konto gehört zu persönlichen Lernnotizen, dient nur persönlichen Hobbys und hat keinen kommerziellen Zweck. Bitte entschuldigen Sie, wenn im Text unregelmäßige Zitate vorkommen. Die Hobbys einiger Menschen sind das Züchten von Blumen und Gras, Singen und Angeln, während andere gerne Twiter-Blogs in Tik Tok schreiben. In den letzten Jahren lese ich am Wochenende gelegentlich gerne Bücher und streiche Papier, um die Entwicklung modernster Materialien und Gerätetechnologien zu verfolgen.

Inschrift: Mach etwas Interessantes und sei eine interessante Seele.

Ich habe ein paar Worte über den Klatsch über Romms Double-Groove-IP-Klage gesagt und festgestellt, dass es eine ganze Reihe interessierter Freunde gibt. Viele Gespräche und Fragen können nicht einzeln beantwortet werden. Dann chatten Sie weiter.

Über diese Grabenstrukturpatente gibt es eigentlich nicht viel zu reden. Wie wir alle wissen, gibt es keine Möglichkeit. Dies ist der frühe Beginn des Wurms, der mit der Beschlagnahmung der Registrierung von Domainnamen in früheren Jahren vergleichbar ist.Wir sind alle ein paar Jahre zu spät dran.

Bei diesen Grabenstrukturen handelt es sich allesamt um Grundstrukturen. Manchmal sieht es wie eine besondere Schönheit aus. Wenn man genau hinschaut, ist es besonders symmetrisch.Stellen Sie sich vor, eine Permutation und Kombination dieser Strukturen vorzunehmen und sie im dreidimensionalen Raum neu zu kombinieren … ist das nicht interessant?

Aus diesem Grund wird immer gesagt, dass die drei Strukturen „Infineon-Halbpaket, Roma-Doppelgraben, Sumitomo-Erdung doppelt vergraben“ die Grundstrukturen sind.Ist es nicht interessant? ...Permutation und Kombination funktionieren laut internationalem Patentrecht leider nicht!Ansonsten kann Rohm problemlos eine Schottky-Diode neben dem Doppelgraben integrieren, sodass wir nicht so hart vor Gericht gehen müssen!

Diese Klage scheint endlos zu sein. Dies beweist auch ganz nebenbei, wie selten das wirklich nützliche Patent-IP der Siliziumkarbid-Grabenstruktur ist!Insbesondere gibt es mittlerweile immer mehr Siliziumkarbid-Bauelemente. Viele der ursprünglichen Silizium-IGBTs und CoolMOS werden in Siliziumkarbid-Dioden und planare MOSFETs umgewandelt, und die Produkte lassen sich praktisch innerhalb weniger Minuten herstellen.In diesem Fall ist das geistige Eigentum der Siliziumkarbid-Grabenstruktur wertvoll!

Ich wollte einmal ein Unternehmen gründen. Besonders nachdem ich eine Schule in der Schottky Street geleitet habe, denke ich, dass ich etwas Geld zum Ausprobieren finden kann, da ich fast die gesamte Arbeit vom Layoutentwurf bis zur Prozessintegration und -entwicklung selbst erledigen kann!Nachdem wir uns ein wenig mit der Entwicklungsgeschichte und den Patentinhabern jeder Struktur befasst hatten, stellten wir fest, dass es viele Ähnlichkeiten zwischen der Strukturentwicklung von speziellem SiC und der Struktur- und Technologieentwicklung der siebten Generation von Silizium-IGBT gibt!

Überraschenderweise liegt die Quelle vieler Struktur- und Prozess-IP tatsächlich bei GE!Ich dachte einmal, dass es bei planarem MOS kein Patentproblem gibt, aber jetzt bin ich mir nicht sicher. Ich weiß nicht, wann es Zeit ist, all diese Patente von GE und japanischen Konzernen zu lesen!

Darüber hinaus ist Japan ein Gruppenkampf, der das Patentlayout ergänzt. Sehr hilfreich!Früher dachte ich zum Beispiel, dass es im Vergleich zu Infineons Halbpaket und Rohm-Doppelgraben tatsächlich einen guten Durchbruch für IP mit Grabenstruktur bedeuten würde, dem geerdeten, doppelt vergrabenen IP von Sumitomo einige Materialien und Pulver hinzuzufügen. Es gibt noch viel zu tun. Und in Zukunft wird es nicht mehr so auffällig und leicht zu verklagen sein wie Infenion Half Bag und Double Groove.Doch während Rohm in den letzten zwei Jahren in einen Rechtsstreit verwickelt war, stellte sich heraus, dass die japanischen Denso Fuji RomToyota-Unternehmen nach Patenten brüllten, wie wild an den Originalstrukturen herumstickten, auf Mängel prüften und Lecks aufholten. Es ist, als würde man versuchen, noch ein paar hohe Gebäude in den Graben zu bauen. Beispielsweise gibt es siebzehn bzw. acht Varianten und Kombinationen der erdenden Doppelvergrabungskonstruktion.

Im September dieses Jahres hörte ich, dass Sanan ebenfalls mit der Entwicklung von Siliziumkarbid-Trench-MOSFETs beginnen wollte, aber das Patent für die Trench-Struktur ließ sich nicht vermeiden. Schließlich entschied ich mich einfach, zuerst einen zu bauen. Also rekrutierte ich direkt einen Arzt vom Beijing Institute of Microelectronics und begann, die Grabenstruktur nachzuahmen.

Es ist nicht sehr weit. Ich wollte nur über GE sprechen. Dies ist der wahre Siliziumkarbid-IP-Magnat. Allerdings sind Siliziumkarbid-Geräte für GE ein kleines Geschäft, und GE hat kaum Interesse. Sogar GE, der profitgierige Medizintechnikhersteller, ist zu faul, einen Grund dafür zu nennen. Es ist schwer zu sagen, wie die Situation von GE derzeit ist.

GE trennt sich in den letzten zwei Wochen. Vielleicht kann GE POWER nach der Verteilung langsam ein kleines Unternehmen oder Siliziumkarbid-Geräte gründen.Schließlich müssen wir jetzt zum Abendessen holländisch essen.

GE dürfte an Hochleistungsgeräten interessiert sein. Nach der Trennung kann eine Veräußerung und erneute Börsennotierung erforderlich sein. SiC ist ein wertvolles Werkzeug! Dies wird deutlich, wenn man sich die enthusiastische Förderung der Entwicklung Chinas durch GE POWER in letzter Zeit ansieht.

Wenn GE POWER wirklich unabhängig wird und eine gesonderte Auflistung anstrebt, sollten Power-Chips und SiC-Power-Geräte ein guter Ausgangspunkt für einen Neuanfang sein.

Für GE POWER ist der Zeitpunkt genau richtig.Tatsächlich ist Siliziumkarbid extrem heiß und alle Spieler sind besonders reich.Vielleicht kann GE POWER wie Qualcomm mit der Lauchernte beginnen und ein IP-Anbieter von POWER werden.

Für ein jahrhundertealtes UnternehmenDie Geschichte der Trennung hat gerade erst begonnen und die Zukunft wird brillant sein, wer weiß!

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