Beranda Solusi Sorotan Harian Kumpulan cerita IP menarik SIC MOSFET — Bingfeeling setengah tas, Romm Shuanglou, pekarangan warga, dan ge yang berbaring

Kumpulan cerita IP menarik SIC MOSFET — Bingfeeling setengah tas, Romm Shuanglou, pekarangan warga, dan ge yang berbaring

2022-03-17 182

Pelajari catatan seorang amatir chip silikon karbida. Koleksi literatur, berita industri, perolehan sesekali, gaya tidak dibatasi. Akun resmi WeChat milik catatan belajar pribadi, hanya untuk hobi pribadi, dan tidak melibatkan tujuan komersial apa pun. Mohon maaf jika ada kutipan yang tidak wajar dalam teks. Hobi beberapa orang adalah memelihara bunga dan rumput, menyanyi dan memancing, sementara yang lain suka menulis blog Twiter di Tik Tok. Dalam beberapa tahun terakhir, saya sesekali membaca buku dan menyikat kertas di akhir pekan untuk melihat perkembangan material dan teknologi perangkat mutakhir.

Prasasti: Lakukan sesuatu yang menarik dan jadilah jiwa yang menarik.

Saya berbicara beberapa patah kata tentang gosip gugatan IP alur ganda Romm, dan menemukan bahwa ada cukup banyak teman yang tertarik. Banyak pertukaran dan pertanyaan yang tidak dapat dijawab satu per satu. Kemudian teruslah mengobrol.

Sebenarnya tidak banyak yang bisa dibicarakan tentang paten struktur parit ini. Seperti yang kita semua tahu, tidak mungkin. Ini adalah permulaan awal dari worm, yang mirip dengan penyitaan registrasi nama domain di tahun-tahun sebelumnya.Kita semua terlambat beberapa tahun.

Semua struktur parit ini merupakan struktur dasar. Terkadang itu terlihat seperti keindahan yang istimewa. Jika Anda perhatikan lebih dekat, ini sangat simetris.Bayangkan membuat permutasi dan kombinasi struktur-struktur ini dan menggabungkannya kembali dalam ruang tiga dimensi… menarik bukan!

Itu sebabnya selalu dikatakan bahwa tiga struktur, "Paket setengah Infineon, parit ganda Roma, grounding ganda terkubur Sumitomo" adalah struktur dasar.Bukankah itu menarik? ...Sayangnya, menurut hukum paten internasional, permutasi dan kombinasi tidak bisa dilakukan!Jika tidak, Rohm dapat dengan mudah mengintegrasikan dioda Schottky di sebelah parit ganda, jadi kita tidak perlu bersusah payah ke pengadilan!

Gugatan ini sepertinya tidak ada habisnya. Ini juga sepenuhnya membuktikan dari samping betapa langkanya IP paten struktur parit silikon karbida yang sangat berguna!Terlebih lagi, kini semakin banyak perangkat silikon karbida. Banyak IGBT dan CoolMOS silikon asli diubah menjadi dioda silikon karbida dan MOSFET planar, dan produk-produk tersebut pada dasarnya diproduksi dalam hitungan menit.Dalam hal ini, IP struktur parit silikon karbida sangat berharga!

Saya pernah ingin memulai bisnis. Terutama setelah menjalankan sekolah di Schottky Street, saya rasa karena saya hampir dapat menyelesaikan semua pekerjaan mulai dari desain tata letak hingga integrasi proses dan pengembangan sendiri, saya dapat menemukan sejumlah uang untuk dicoba!Setelah membaca sedikit sejarah pengembangan dan hak paten masing-masing struktur, kami menemukan bahwa ada banyak kesamaan antara pengembangan struktur SiC khusus dan pengembangan struktur serta teknologi IGBT silikon generasi ketujuh!

Anehnya, sumber dari banyak struktur dan proses IP sebenarnya ada di GE!Saya pernah mengira tidak ada masalah paten di planar MOS, tapi sekarang saya tidak yakin. Saya tidak tahu kapan waktunya membaca semua paten GE dan grup Jepang!

Terlebih lagi, Jepang adalah pertarungan kelompok, yang saling melengkapi dengan tata letak paten. Sangat berguna!Sebagai contoh, saya dulu berpikir bahwa dibandingkan dengan paket setengah Infineon dan parit ganda Rohm, sebenarnya menambahkan beberapa bahan dan bubuk ke IP terkubur ganda Sumitomo akan menjadi terobosan yang baik untuk IP dengan struktur parit. Masih banyak yang harus dilakukan. Dan di masa depan, tidak akan terlalu mencolok dan mudah untuk dituntut seperti Infenion setengah kantong dan alur ganda.Namun, dalam dua tahun terakhir, ketika Rohm terlibat dalam tuntutan hukum, ditemukan bahwa perusahaan Jepang Denso Fuji RomToyota sedang mencari paten, menyulam dengan liar pada struktur aslinya, memeriksa cacat dan mencari kebocoran. Ini seperti mencoba membangun beberapa gedung tinggi lagi di dalam parit. Misalnya, ada tujuh belas atau delapan varian dan kombinasi struktur penguburan ganda yang membumi.

Pada bulan September tahun ini, saya mendengar bahwa Sanan juga ingin mulai mengembangkan MOSFET parit silikon karbida, tetapi paten struktur parit tidak dapat dihindari. Akhirnya, saya memutuskan untuk membuatnya terlebih dahulu. Jadi saya merekrut dokter langsung dari Institut Mikroelektronika Beijing, dan mulai meniru struktur parit tersebut.

Itu tidak terlalu jauh. Saya hanya ingin berbicara tentang GE. Ini adalah raja IP silikon karbida yang sebenarnya. Namun, perangkat silikon karbida adalah bisnis kecil bagi GE, dan GE kurang berminat. Bahkan GE, perusahaan peralatan medis yang mengambil untung, terlalu malas untuk mengambil alasan. Sulit untuk mengetahui bagaimana situasi GE saat ini.

GE berpisah dalam dua minggu terakhir. Mungkin setelah distribusinya, GE POWER bisa memulai usaha kecil-kecilan secara perlahan, atau perangkat silikon karbida.Lagi pula, sekarang kita harus pergi ke Belanda untuk makan malam.

GE seharusnya tertarik pada perangkat berdaya tinggi. Setelah pemisahan, mungkin perlu dilakukan divestasi dan pencatatan ulang. SiC adalah alat yang berharga! Hal ini terlihat dari antusiasnya GE POWER dalam mempromosikan pembangunan Tiongkok akhir-akhir ini.

Jika GE POWER benar-benar mulai mandiri dan ingin dicantumkan secara terpisah, maka chip daya dan perangkat SiC Power harus menjadi port yang baik untuk awal yang baru.

Waktunya tepat untuk GE POWER.Faktanya, silikon karbida sangat panas, dan semua pemainnya sangat kaya.Mungkin GE POWER bisa mulai memanen daun bawang seperti Qualcomm dan menjadi penyedia IP POWER.

Untuk perusahaan berusia satu abad,Kisah perpisahan baru saja dimulai, dan masa depan akan cemerlang, siapa tahu!

Penafian: Artikel ini direproduksi dari "Catatan Pembelajaran Chip Silikon Karbida". Artikel ini hanya mewakili pandangan pribadi penulis, dan tidak mewakili pandangan Sacco Micro dan industri. Ini hanya untuk dicetak ulang dan dibagikan untuk mendukung perlindungan hak kekayaan intelektual. Harap sebutkan sumber asli dan penulisnya saat mencetak ulang. Jika ada pelanggaran, silakan hubungi kami untuk menghapusnya.

Telp Perusahaan: +86-0755-83044319
Faks/faks:+86-0755-83975897
Surel: 1615456225@qq.com
QQ: 332496225 Manajer Qiu
Alamat: Kamar 809, Blok C, Gedung Teknologi Zhantao, No.1079 Minzhi Avenue, Distrik Baru Longhua, Shenzhen

sebelumnya

Membantu berbagi penggantian daya, solusi BMS baterai lithium pintar berdasarkan GD32E230

Selanjutnya

Kemajuan penelitian bahan utama pengemasan elektronik daya dan desain struktural