ホームソリューション今日のハイライト SIC MOSFET の興味深い IP ストーリーセット — Bingfeeling ハーフバッグ、Romm Shuanglou、住民の敷地、および横たわる ge

SIC MOSFET の興味深い IP ストーリーセット — Bingfeeling ハーフバッグ、Romm Shuanglou、住民の敷地、および横たわる ge

2022-03-17 182

炭化ケイ素チップの素人の勉強メモ。文献の照合、業界ニュース、時折得られる情報、制約のないスタイル。 WeChat公式アカウントは個人的な学習メモに属し、個人的な趣味のみに使用されており、商業目的は一切含まれません。文中に不規則な引用があった場合はご容赦ください。花や草を育てたり、歌ったり、釣りをしたりするのが趣味の人もいれば、Tik Tok で Twitter ブログを書くのが好きな人もいます。最近は週末に時々本を読んだり、毛筆を読んだりして、最先端の材料やデバイス技術の発展を見るのが好きです。

碑文: 何か面白いことをして、面白い魂になってください。

ロム氏の二重溝知財訴訟のゴシップについて少し話したところ、興味を持っている友人がかなりいることがわかった。多くのやりとりや質問には一つ一つ答えることができません。それからチャットを続けてください。

実は、これらのトレンチ構造の特許についてはあまり語られることがありません。誰もが知っているように、方法はありません。これはワームの初期段階であり、以前のドメイン名登録の奪取に似ています。私たちは皆、数年遅れています。

これらのトレンチ構造はいずれも基本的な構造である。ある種の特別な美しさのように見えることもあります。よく見ると特に左右対称です。これらの構造を順列および組み合わせて、3 次元空間で再結合することを想像してみてください…興味深いと思いませんか!

だからこそ、「インフィニオンハーフパッケージ、ローマ二重トレンチ、住友アース二重埋設」の3つの構造が基本構造であると常に言われているのです。面白くないですか？ ...残念ながら、国際特許法によれば、並べ替えや組み合わせは機能しません。そうでなければ、ロームはダブルトレンチの隣にショットキーダイオードを簡単に組み込むことができるので、私たちはそれほど苦労して法廷に行く必要はありません。

この訴訟は終わりが見えないようだ。これは、炭化ケイ素トレンチ構造の本当に有用な特許IPがいかに希少であるかを側面から十分に証明しています。特に、シリコンカーバイドデバイスはますます増加しています。元々シリコンIGBTやCoolMOSだったものの多くが、シリコンカーバイドダイオードやプレーナーMOSFETに転換され、製品は基本的に数分で生産されるようになりました。この場合、炭化ケイ素トレンチ構造のIPは貴重です！

私はかつて起業したいと思っていました。特にショットキーストリートでスクールを運営してからは、レイアウト設計からプロセス統合、開発までほぼ一人で完結できるので、お金も出てきて挑戦できると思います！それぞれの構造の開発経緯や特許権者を少し調べてみたところ、特殊SiCの構造開発と、第7世代シリコンIGBTの構造・技術開発には多くの類似点があることがわかりました。

驚くべきことに、多くの構造およびプロセス IP のソースは実際には GE にあります。プレーナ型MOSには特許の問題はないと思っていたこともあったが、今は確信が持てない。 GE と日本グループの特許をすべて読む時期がいつになるかわかりません。

さらに、日本はグループ戦であり、特許レイアウトを補完するものである。非常に便利！例えば、インフィニオンのハーフパッケージやロームのダブルトレンチと比較して、住友の接地二重埋め込みIPに実際に材料や粉末を加えることは、トレンチ構造のIPのブレークスルーになるのではないかと考えていました。やるべきことはまだたくさんあります。そして将来的には、インフェニオンのハーフバッグやダブルグルーブほど目立たず、訴えられにくいでしょう。しかし、ロームが訴訟を起こしていた過去2年間、日本のデンソー・富士ロムトヨタ企業が特許を求めて騒ぎ立て、元の構造に乱暴に刺繍を入れ、欠陥がないかチェックし、情報漏洩を追及していたことが判明した。それは溝の中にさらにいくつかの高い建物を建てようとするようなものです。例えば、接地二重埋設構造のバリエーションや組み合わせは17～8通りあります。

今年9月、SananもSiCトレンチMOSFETの開発に着手したいと聞いていたものの、トレンチ構造の特許が避けられなかったため、結局、まずは自分で作ってみることにしました。そこで私は北京マイクロエレクトロニクス研究所から直接医師を採用し、トレンチ構造を模倣し始めました。

そんなに遠くはありません。 GEについて話したかっただけです。これが本物の炭化ケイ素 IP の大御所です。しかし、GEにとって炭化ケイ素デバイスは小規模なビジネスであり、GEはほとんど関心を持っていない。暴利を貪る医療機器のGEですら、理由をつけるには怠け者だ。 GEが今どのような状況にあるのかを知るのは難しい。

GEは過去2週間で分割が進んでいる。おそらく配布後、GE POWER はゆっくりと小規模ビジネスを開始したり、炭化ケイ素デバイスを開始したりできるでしょう。結局のところ、今度は夕食にオランダ料理に行かなければなりません。

GE は高出力デバイスに興味を持っているはずです。分離後は売却して再上場する必要があるかもしれません。 SiC は貴重なツールです。それは最近のGEパワーの中国発展の熱心な推進を見れば分かる。

GE POWER が実際に独立し始め、独立して上場を目指すのであれば、パワーチップと SiC パワーデバイスが再出発の良いポートとなるはずです。

GEパワーにとってはまさにタイミングだ。偶然にも、炭化ケイ素は非常に高温であり、すべてのプレイヤーが特に裕福です。おそらく GE POWER は Qualcomm のようにネギの収穫を開始し、POWER の IP プロバイダーになることができるでしょう。

百年続く企業にとって、別れの物語はまだ始まったばかりですが、未来は素晴らしいものとなるでしょう。

免責事項：この記事は「炭化ケイ素チップ学習ノート」から転載したものです。この記事は著者の個人的な見解のみを表すものであり、Sacco Micro および業界の見解を表すものではありません。知的財産権の保護をサポートするため、転載および共有のみを目的としています。転載する場合は、出典と作者を明記してください。侵害がある場合は、削除するためにご連絡ください。

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パワーエレクトロニクス実装の主要材料と構造設計の研究の進捗状況

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