Home Nasze rozwiązania Codzienne wyróżnienie Ciekawa historia IP SIC MOSFET — Bingfeeling half-bag, Romm Shuanglou, tereny mieszkańców i ge, który leży

Ciekawa historia IP SIC MOSFET — Bingfeeling half-bag, Romm Shuanglou, tereny mieszkańców i ge, który leży

2022-03-17 182

Notatki z badań amatora chipów z węglika krzemu. Zestawienie literatury, nowinki branżowe, okazjonalne zyski, nieskrępowany styl. Oficjalne konto WeChat należy do osobistych notatek do nauki, wyłącznie do celów osobistych i nie ma żadnego celu komercyjnego. Proszę o wybaczenie, jeżeli w tekście znajdują się nieregularne cytaty. Hobby niektórych ludzi to zbieranie kwiatów i trawy, śpiewanie i łowienie ryb, podczas gdy inni lubią pisać bloga na Twitterze w Tik Tok. W ostatnich latach lubię od czasu do czasu czytać książki i w weekendy szczotkować papier, aby obserwować rozwój najnowocześniejszych materiałów i technologii urządzeń.

Napis: Zrób coś ciekawego i bądź interesującą duszą.

Powiedziałem kilka słów na temat plotek na temat podwójnego pozwu Romma dotyczącego własności intelektualnej i odkryłem, że jest sporo zainteresowanych znajomych. Na wiele wymian i pytań nie można odpowiedzieć pojedynczo. Następnie rozmawiaj dalej.

Właściwie nie ma wiele do powiedzenia na temat patentów na konstrukcję rowu. Jak wszyscy wiemy, nie ma mowy. Jest to wczesny start robaka, który przypomina przejmowanie rejestracji nazw domen we wcześniejszych latach.Wszyscy jesteśmy spóźnieni o kilka lat.

Wszystkie te konstrukcje wykopowe są konstrukcjami podstawowymi. Czasami wygląda jak rodzaj szczególnego piękna. Jeśli przyjrzysz się uważnie, jest to szczególnie symetryczne.Wyobraź sobie permutację i kombinację tych struktur i ponowne połączenie ich w trójwymiarowej przestrzeni… czy to nie interesujące!

Dlatego zawsze mówi się, że trzy konstrukcje: „połowa pakietu Infineon, podwójny rów Roma, podwójnie zakopane uziemienie Sumitomo” to podstawowe konstrukcje.Czy to nie interesujące? ...Niestety, zgodnie z międzynarodowym prawem patentowym, permutacja i kombinacja nie działają!W przeciwnym razie Rohm może z łatwością umieścić diodę Schottky'ego obok podwójnego rowka, dzięki czemu nie będziemy musieli tak intensywnie walczyć o to w sądzie!

Ten proces wydaje się nie mieć końca. To również w pełni dowodzi z boku, jak rzadkie jest naprawdę przydatne patentowe IP struktury wykopu z węglika krzemu!W szczególności, obecnie pojawia się coraz więcej urządzeń z węglika krzemu. Wiele oryginalnych krzemowych tranzystorów IGBT i CoolMOS jest przetwarzanych na diody z węglika krzemu i planarne tranzystory MOSFET, a ich produkcja zajmuje zaledwie kilka minut.W tym przypadku IP struktury rowkowej z węglika krzemu jest cenne!

Kiedyś chciałem założyć firmę. Zwłaszcza po prowadzeniu szkoły na ulicy Schottky'ego myślę, że skoro prawie jestem w stanie samodzielnie ukończyć całą pracę, od projektu układu po integrację i rozwój procesów, mogę znaleźć trochę pieniędzy, aby spróbować!Po zapoznaniu się z historią rozwoju każdej ze struktur oraz jej patentami odkryliśmy wiele podobieństw pomiędzy rozwojem struktury specjalnego SiC a rozwojem struktury i technologii siódmej generacji krzemowych IGBT!

Co zaskakujące, źródłem wielu własności intelektualnej dotyczących struktur i procesów jest tak naprawdę GE!Kiedyś myślałem, że w planarnym MOS-ie nie ma problemu patentowego, ale teraz nie jestem pewien. Nie wiem, kiedy już czas przeczytać te wszystkie patenty GE i japońskich grup!

Co więcej, Japonia to bitwa grupowa, która jest uzupełnieniem układu patentowego. Bardzo przydatne!Na przykład myślałem, że w porównaniu z półpakietem Infineon i podwójnym wykopem Rohma, faktyczne dodanie niektórych materiałów i proszku do uziemionej, podwójnie zakopanej płyty IP Sumitomo byłoby dobrym przełomem dla IP o strukturze rowu. Jest jeszcze wiele do zrobienia. A w przyszłości nie będzie tak rzucającego się w oczy i łatwego do pozwania jak Infenion half bag i double rowek.Jednak w ciągu ostatnich dwóch lat, gdy Rohm toczył proces sądowy, okazało się, że japońskie firmy Denso Fuji RomToyota aż huczą o patenty, dziko haftując na oryginalnych konstrukcjach, sprawdzając pod kątem defektów i nadrabiając zaległości. To jakby próbować zbudować w rowie jeszcze kilka wysokich budynków. Na przykład istnieje siedemnaście lub osiem wariantów i kombinacji uziemiającej konstrukcji z podwójnym zakopaniem.

We wrześniu tego roku usłyszałem, że Sanan również chce rozpocząć prace nad tranzystorem MOSFET z węglika krzemu o strukturze rowkowej, ale patent na strukturę rowkową był nieunikniony. Ostatecznie postanowiłem po prostu najpierw go stworzyć. Zrekrutowałem więc lekarza bezpośrednio z Pekińskiego Instytutu Mikroelektroniki i zacząłem naśladować konstrukcję rowu.

To nie jest za daleko. Chciałem tylko porozmawiać o GE. To prawdziwy magnat IP węglika krzemu. Jednakże urządzenia z węglika krzemu to dla GE mały biznes i GE nie jest nim zainteresowany. Nawet GE, spekulant na sprzęcie medycznym, jest zbyt leniwy, by podać powód. Trudno powiedzieć, jaka jest obecnie sytuacja GE.

W ciągu ostatnich dwóch tygodni GE się rozpada. Może po dystrybucji GE POWER będzie mogła powoli uruchomić małą firmę lub urządzenia z węglika krzemu.Przecież teraz musimy iść na kolację po holendersku.

GE powinno zainteresować się urządzeniami dużej mocy. Po separacji może zaistnieć konieczność zbycia i ponownego notowania. SiC to cenne narzędzie! Można to zauważyć, patrząc na entuzjastyczną promocję rozwoju Chin przez GE POWER w ostatnim czasie.

Jeśli GE POWER naprawdę zacznie być niezależna i będzie chciała zostać umieszczona na osobnej liście, wówczas chipy zasilające i urządzenia SiC Power powinny być dobrym portem na nowy początek.

Moment jest w sam raz dla GE POWER.Tak się składa, że węglik krzemu jest niezwykle gorący i wszyscy gracze są szczególnie bogaci.Może GE POWER zacznie zbierać pory jak Qualcomm i zostanie dostawcą IP POWER.

Dla stuletniego przedsiębiorstwa,Historia separacji dopiero się zaczęła, a przyszłość będzie wspaniała, kto wie!

Zastrzeżenie: Ten artykuł pochodzi z „Notatek edukacyjnych dotyczących chipów z węglika krzemu”. Ten artykuł przedstawia wyłącznie osobiste poglądy autora i nie reprezentuje poglądów Sacco Micro ani branży. Służy wyłącznie do ponownego drukowania i udostępniania w celu wspierania ochrony praw własności intelektualnej. Przy przedruku proszę podać oryginalne źródło i autora. Jeśli doszło do naruszenia, skontaktuj się z nami, aby je usunąć.

Tel firmy: +86-0755-83044319
Faks/faks:+86-0755-83975897
E-mail: 1615456225@qq.com
QQ: 332496225 Menedżer Qiu
Adres: pokój 809, blok C, budynek Zhantao Technology, nr 1079 Minzhi Avenue, Longhua New District, Shenzhen

Poprzednie

Pomóż w wymianie zasilania, inteligentnym rozwiązaniu BMS z baterią litową opartym na GD32E230

Następna

Postęp badań nad kluczowymi materiałami i projektami konstrukcyjnymi opakowań energoelektronicznych