Home Oplossingen Dagelijks hoogtepunt SIC MOSFET's interessante IP-verhaalset - Bingfeeling half-bag, Romm Shuanglou, bewonersterrein en ge die ligt

SIC MOSFET's interessante IP-verhaalset - Bingfeeling half-bag, Romm Shuanglou, bewonersterrein en ge die ligt

2022-03-17 182

Studieaantekeningen van een amateur van siliciumcarbidechips. Literatuurverzameling, nieuws uit de sector, incidentele winsten, ongedwongen stijl. Het officiële WeChat-account behoort tot persoonlijke studieaantekeningen, is alleen bedoeld voor persoonlijke hobby's en heeft geen enkel commercieel doel. Vergeef mij als er onregelmatige citaten in de tekst voorkomen. De hobby's van sommige mensen zijn het kweken van bloemen en gras, zingen en vissen, terwijl anderen graag een Twitter-blog schrijven in Tik Tok. De afgelopen jaren lees ik graag af en toe boeken en strijk ik in het weekend papier om de ontwikkeling van de allernieuwste materialen en apparaattechnologieën te zien.

Inscriptie: Doe iets interessants en wees een interessante ziel.

Ik sprak een paar woorden over de roddels over Romm's double groove IP-rechtszaak, en ontdekte dat er nogal wat geïnteresseerde vrienden zijn. Veel uitwisselingen en vragen kunnen niet één voor één worden beantwoord. Blijf dan chatten.

Eigenlijk valt er niet veel te praten over deze patenten op de loopgraafstructuur. Zoals we allemaal weten, bestaat er geen mogelijkheid. Dit is het vroege begin van de worm, vergelijkbaar met het in beslag nemen van domeinnaamregistraties in voorgaande jaren.We zijn allemaal een paar jaar te laat.

Deze sleufconstructies zijn allemaal basisconstructies. Soms lijkt het op een soort bijzondere schoonheid. Als je goed kijkt, is het vooral symmetrisch.Stel je voor dat je een permutatie en combinatie van deze structuren maakt en ze opnieuw combineert in een driedimensionale ruimte … is dat niet interessant!

Dat is de reden waarom er altijd wordt gezegd dat de drie structuren, "Infineon half pakket, Roma dubbele greppel, Sumitomo aarding dubbel begraven" de basisstructuren zijn.Is het niet interessant? ...Helaas werken permutatie en combinatie volgens de internationale octrooiwetgeving niet!Anders kan Rohm eenvoudig een Schottky-diode naast de dubbele sleuf integreren, zodat we niet zo hard naar de rechter hoeven!

Deze rechtszaak lijkt eindeloos. Dit bewijst ook volledig van de zijkant hoe zeldzaam het echt bruikbare patent-IP van de sleufstructuur van siliciumcarbide is!Vooral de siliciumcarbide-apparaten worden steeds populairder. Veel van de originele silicium-IGBT's en CoolMOS-apparaten worden omgezet in siliciumcarbide-diodes en planaire MOSFET's, en de producten worden in principe binnen enkele minuten geproduceerd.In dit geval is het IP-adres van de siliciumcarbide-sleufstructuur kostbaar!

Ooit wilde ik een bedrijf starten. Vooral nadat ik een school heb gerund in Schottky Street, denk ik dat ik, aangezien ik bijna al het werk, van lay-outontwerp tot procesintegratie en ontwikkeling, zelf kan afmaken, wat geld kan vinden om te proberen!Nadat we de ontwikkelingsgeschiedenis en de patenthouder van elke structuur een beetje hadden gelezen, ontdekten we dat er veel overeenkomsten zijn tussen de structuurontwikkeling van speciaal SiC en de structuur- en technologieontwikkeling van de zevende generatie silicium IGBT!

Verrassend genoeg ligt de bron van veel structuur- en proces-IP feitelijk bij GE!Ik dacht ooit dat er geen patentprobleem was in planaire MOS, maar nu weet ik het niet zeker. Ik weet niet wanneer het tijd is om al die patenten van GE en Japanse groepen te lezen!

Bovendien is Japan een groepsstrijd, wat complementair is aan de patentindeling. Erg nuttig!Ik dacht bijvoorbeeld altijd dat het toevoegen van wat materialen en poeder aan Sumitomo's geaarde, dubbel begraven IP, vergeleken met het halfpakket van Infineon en de dubbele Rohm-geul, een goede doorbraak zou zijn voor IP met geulstructuur. Er is nog veel te doen. En in de toekomst zal het niet zo opvallend en gemakkelijk zijn om voor de rechter te worden gebracht als de Infenion halve zak en dubbele groef.Maar in de afgelopen twee jaar, terwijl Rohm verwikkeld was in een rechtszaak, werd ontdekt dat de Japanse Denso Fuji RomToyota-bedrijven om patenten brulden, wild voortborduurden op de originele structuren, controleerden op gebreken en lekken inhaalden. Het is alsof je probeert nog een paar hoge gebouwen in de greppel te bouwen. Er zijn bijvoorbeeld zeventien of acht varianten en combinaties van de aardende dubbele ingraafconstructie.

In september van dit jaar hoorde ik dat Sanan ook siliciumcarbide-trens-MOSFET's wilde ontwikkelen, maar het patent op de sleufstructuur kon ik niet ontlopen. Uiteindelijk heb ik er gewoon voor gekozen om er eerst een te maken. Dus rekruteerde ik rechtstreeks een arts van het Beijing Institute of Microelectronics en begon de loopgravenstructuur te imiteren.

Het is niet te ver. Ik wilde het alleen over GE hebben. Dit is de echte siliciumcarbide IP-magnaat. Siliciumcarbide-apparaten zijn echter een kleine onderneming voor GE, en GE heeft weinig interesse. Zelfs GE, de winstgevende medische apparatuur, is te lui om een reden te bedenken. Het is moeilijk te zeggen hoe de situatie van GE nu is.

GE is de afgelopen twee weken uit elkaar gegaan. Misschien kan GE POWER na de distributie langzaam een klein bedrijf starten, of siliciumcarbide-apparaten.Nu moeten we immers Nederlands gaan eten.

GE zou geïnteresseerd moeten zijn in apparaten met een hoog vermogen. Na de scheiding kan het nodig zijn om te desinvesteren en opnieuw op de notering te zetten. SiC is een waardevol hulpmiddel! Dit blijkt uit de enthousiaste promotie door GE POWER van de Chinese ontwikkeling onlangs.

Als GE POWER echt onafhankelijk begint te worden en afzonderlijk op de lijst wil staan, dan zouden powerchips en SiC Power-apparaten een goede poort moeten zijn voor een nieuwe start.

De timing is precies goed voor GE POWER.Toevallig is siliciumcarbide extreem heet en zijn alle spelers bijzonder rijk.Misschien kan GE POWER net als Qualcomm prei gaan oogsten en een IP-leverancier van POWER worden.

Voor een eeuwenoude ondernemingHet verhaal van scheiding is nog maar net begonnen en de toekomst zal schitterend zijn, wie weet!

Disclaimer: dit artikel is overgenomen uit "Leernotities over siliciumcarbidechips". Dit artikel vertegenwoordigt alleen de persoonlijke mening van de auteur en vertegenwoordigt niet de mening van Sacco Micro en de industrie. Het herdrukken en delen is alleen bedoeld om de bescherming van intellectuele eigendomsrechten te ondersteunen. Vermeld bij herdruk de originele bron en auteur. Als er sprake is van inbreuk, neem dan contact met ons op om deze te verwijderen.

Bedrijf Tel: +86-0755-83044319
Fax/fax:+86-0755-83975897
E-mail: 1615456225@qq.com
Vraag: 332496225 Manager Qiu
Adres: Kamer 809, Blok C, Zhantao Technology Building, No.1079 Minzhi Avenue, Longhua New District, Shenzhen

Help bij het delen van stroomvervanging, slimme BMS-oplossing met lithiumbatterij op basis van GD32E230

Onderzoeksvoortgang van belangrijke elektronische verpakkingsmaterialen en structureel ontwerp