Accueil Solutions Fait saillant quotidien L'histoire intéressante de la propriété intellectuelle de SIC MOSFET : le demi-sac Bingfeeling, Romm Shuanglou, le terrain des résidents et celui qui est couché

L'histoire intéressante de la propriété intellectuelle de SIC MOSFET : le demi-sac Bingfeeling, Romm Shuanglou, le terrain des résidents et celui qui est couché

2022-03-17 184

Notes d'étude d'un amateur de puces en carbure de silicium. Recueil de littérature, actualités de l'industrie, gains occasionnels, style sans contrainte. Le compte officiel WeChat appartient aux notes d'étude personnelles, uniquement pour les loisirs personnels et n'implique aucun but commercial. Veuillez me pardonner s'il y a des citations irrégulières dans le texte. Les passe-temps de certaines personnes sont de cultiver des fleurs et de l'herbe, de chanter et de pêcher, tandis que d'autres aiment écrire un blog Twiter sur Tik Tok. Ces dernières années, j'aime lire occasionnellement des livres et du papier pinceau le week-end pour voir le développement de matériaux et de technologies d'appareils de pointe.

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J'ai parlé quelques mots des rumeurs sur le procès en propriété intellectuelle à double rainure de Romm et j'ai découvert qu'il y avait pas mal d'amis intéressés. De nombreux échanges et questions ne peuvent trouver de réponse une par une. Alors continuez à discuter.

En fait, il n’y a pas grand-chose à dire sur ces brevets sur les structures de tranchées. Comme nous le savons tous, il n’y a aucun moyen. Il s’agit du début précoce du ver, qui s’apparente à la saisie de l’enregistrement d’un nom de domaine au cours des années précédentes.Nous sommes tous en retard de quelques années.

Ces structures de tranchées sont toutes des structures de base. Parfois, cela ressemble à une sorte de beauté particulière. Si vous regardez bien, c’est particulièrement symétrique.Imaginez faire une permutation et une combinaison de ces structures et les recombiner dans un espace tridimensionnel… n'est-ce pas intéressant !

C'est pourquoi on dit toujours que les trois structures, « demi-paquet Infineon, double tranchée Roma, mise à la terre Sumitomo double enterrée » sont les structures de base.N'est-ce pas intéressant ? ...Malheureusement, selon le droit international des brevets, la permutation et la combinaison ne fonctionnent pas !Sinon, Rohm peut facilement intégrer une diode Schottky à côté de la double tranchée, donc on n'a pas besoin d'aller au tribunal si durement !

Ce procès semble sans fin. Cela prouve également pleinement à quel point les brevets IP vraiment utiles sur la structure de tranchée en carbure de silicium sont rares !En particulier, on trouve aujourd'hui de plus en plus de composants en carbure de silicium. De nombreux IGBT et CoolMOS en silicium d'origine sont transformés en diodes en carbure de silicium et en MOSFET planaires, et la production de ces produits ne prend que quelques minutes.Dans ce cas, l’IP de la structure de tranchée en carbure de silicium est précieuse !

Une fois, j'ai voulu créer une entreprise. Surtout après avoir dirigé une école dans la rue Schottky, je pense que puisque je peux presque terminer tout le travail, de la conception de l'agencement à l'intégration et au développement des processus, je peux trouver de l'argent pour essayer !Après avoir lu un peu l'historique du développement et le titulaire du brevet de chaque structure, nous avons constaté qu'il existe de nombreuses similitudes entre le développement de la structure du SiC spécial et le développement de la structure et de la technologie de la septième génération d'IGBT en silicium !

Étonnamment, la source de nombreuses propriétés intellectuelles de structure et de processus se trouve en réalité chez GE !Je pensais autrefois qu'il n'y avait pas de problème de brevet dans le MOS planaire, mais maintenant je n'en suis plus sûr. Je ne sais pas quand il sera temps de lire tous ces brevets de GE et des groupes japonais !

De plus, le Japon est une bataille de groupe, complémentaire au schéma des brevets. Très utile!Par exemple, je pensais que par rapport au demi-emballage Infineon et à la double tranchée Rohm, l'ajout de matériaux et de poudre à l'IP à double enterrement mis à la terre de Sumitomo serait une bonne avancée pour l'IP avec structure en tranchée. Il y a encore beaucoup à faire. Et à l'avenir, il ne sera pas aussi visible et facile d'être poursuivi en justice que le demi-sac et la double rainure d'Infenion.Cependant, au cours des deux dernières années, alors que Rohm était engagé dans un procès, il s'est avéré que les sociétés japonaises Denso Fuji RomToyota réclamaient des brevets, brodaient sauvagement sur les structures originales, vérifiaient les défauts et rattrapaient les fuites. C'est comme essayer de construire quelques immeubles de plus en plus hauts dans le fossé. Par exemple, il existe dix-sept ou huit variantes et combinaisons de la structure à double enfouissement avec mise à la terre.

En septembre de cette année, j'ai appris que Sanan souhaitait également développer un MOSFET à tranchées en carbure de silicium, mais le brevet sur la structure à tranchées était inévitable. Finalement, j'ai tout simplement choisi d'en fabriquer un en premier. J'ai donc recruté un médecin directement de l'Institut de microélectronique de Pékin et j'ai commencé à imiter la structure des tranchées.

Ce n'est pas très loin. Je voulais juste parler de GE. C'est le véritable magnat de la propriété intellectuelle du carbure de silicium. Cependant, les dispositifs en carbure de silicium représentent une petite activité pour GE, et GE ne s'y intéresse guère. Même GE, le profiteur du matériel médical, est trop paresseux pour trouver une raison. Il est difficile de dire quelle est la situation actuelle de GE.

GE s'est séparé au cours des deux dernières semaines. Peut-être qu'après la distribution, GE POWER pourra démarrer lentement une petite entreprise, ou des appareils en carbure de silicium.Après tout, nous devons maintenant aller dîner aux Pays-Bas.

GE devrait s'intéresser aux appareils haute puissance. Après la séparation, il peut être nécessaire de céder et de réintroduire en bourse. Le SiC est un outil précieux ! Cela peut être constaté en regardant récemment la promotion enthousiaste du développement de la Chine par GE POWER.

Si GE POWER commence vraiment à être indépendant et cherche à être répertorié séparément, alors les puces de puissance et les appareils SiC Power devraient être un bon port pour un nouveau départ.

Le moment est idéal pour GE POWER.Il se trouve que le carbure de silicium est extrêmement chaud et que tous les acteurs sont particulièrement riches.Peut-être que GE POWER pourra commencer à récolter des poireaux comme Qualcomm et devenir un fournisseur IP de POWER.

Pour une entreprise centenaire,L'histoire de la séparation vient de commencer, et l'avenir sera brillant, qui sait !

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