מחקר הערות של חובב שבבי סיליקון קרביד. איסוף ספרות, חדשות בתעשייה, רווחים מדי פעם, סגנון לא מוגבל. החשבון הרשמי של WeChat שייך להערות לימוד אישיות, רק לתחביבים אישיים, ואינו כרוך בשום מטרה מסחרית. אנא סלח לי אם יש ציטוטים לא סדירים בטקסט. התחביבים של אנשים מסוימים הם גידול פרחים ודשא, שירה ודיג, בעוד שאחרים אוהבים לכתוב בלוג טוויטר בטיק טוק. בשנים האחרונות, אני אוהב לקרוא מדי פעם ספרים ולהבריש נייר בסופי שבוע כדי לראות את הפיתוח של חומרים וטכנולוגיות מכשירים חדישים.
כתובת: עשה משהו מעניין ותהיה נשמה מעניינת.
דיברתי כמה מילים על הרכילות של תביעת ה-IP הכפול של רום, וגיליתי שיש לא מעט חברים מתעניינים. חילופי דברים ושאלות רבות לא ניתנות לתשובה אחת אחת. אז תמשיך לשוחח.
למעשה, אין הרבה מה לדבר על הפטנטים של מבנה התעלה האלה. כפי שכולנו יודעים, אין סיכוי. זוהי ההתחלה המוקדמת של התולעת, שדומה לתפיסת רישום שם דומיין בשנים קודמות.כולנו איחרנו בכמה שנים.
מבני התעלה הללו הם כולם מבנים בסיסיים. לפעמים זה נראה כמו סוג של יופי מיוחד. אם מסתכלים היטב, הוא סימטרי במיוחד.דמיינו לעצמכם תמורה ושילוב של המבנים הללו ושילובם מחדש בחלל תלת מימדי... נכון!
זו הסיבה שתמיד אומרים ששלושת המבנים, "חצי חבילת אינפיניון, תעלה כפולה של רומא, הארקת סומיטומו כפולה קבורה" הם המבנים הבסיסיים.זה לא מעניין? ...למרבה הצער, על פי חוק הפטנטים הבינלאומי, תמורה ושילוב לא עובדים!אחרת, רוהם יכול בקלות לשלב דיודת שוטקי ליד התעלה הכפולה, כך שלא נצטרך ללכת לבית משפט כל כך קשה!
נראה שהתביעה הזו אינסופית. זה גם מוכיח לחלוטין מהצד כמה נדיר הפטנט השימושי באמת של מבנה תעלות סיליקון קרביד!במיוחד, יש כיום יותר ויותר התקני סיליקון קרביד. רבים מה-IGBT וה-CoolMOS המקוריים מסיליקון הופכים לדיודות סיליקון קרביד ול-MOSFET מישוריים, והמוצרים מיוצרים למעשה תוך דקות.במקרה זה, ה-IP של מבנה תעלות סיליקון קרביד הוא יקר!
פעם רציתי להקים עסק. במיוחד אחרי שניהל בית ספר ברחוב שוטקי, אני חושב שמכיוון שאני יכול כמעט לסיים את כל העבודה מעיצוב פריסה ועד לשילוב תהליכים ופיתוח בעצמי, אני יכול למצוא קצת כסף לנסות!לאחר קריאת היסטוריית הפיתוח ובעל הפטנט של כל מבנה מעט, גילינו שיש קווי דמיון רבים בין פיתוח המבנה של SiC מיוחד לבין פיתוח המבנה והטכנולוגיה של הדור השביעי של IGBT סיליקון!
למרבה ההפתעה, המקור של רבים ממבנה ותהליכי IP הוא למעשה ב-GE!פעם חשבתי שאין בעיית פטנט ב-MOS מישורית, אבל עכשיו אני לא בטוח. אני לא יודע מתי הגיע הזמן לקרוא את כל הפטנטים האלה של קבוצות GE ויפניות!
יתרה מכך, יפן היא קרב קבוצתי, המשלים את פריסת הפטנטים. שימושי מאוד!לדוגמה, נהגתי לחשוב שבהשוואה לחצי חבילה של Infineon ותעלה כפולה של Rohm, למעשה הוספת כמה חומרים ואבקה ל-IP הקבור כפול של Sumitomo תהיה פריצת דרך טובה עבור IP עם מבנה תעלה. יש עוד הרבה מה לעשות. ובעתיד, זה לא יהיה בולט וקל לתבוע כמו Infenion חצי תיק וחריץ כפול.עם זאת, בשנתיים האחרונות, בזמן שרוהם היה מעורב בתביעה, נמצא שחברות Denso Fuji RomToyota היפניות שואגות על פטנטים, רוקמות בפראות על המבנים המקוריים, בודקות פגמים ומדביקות דליפות. זה כמו לנסות לבנות עוד כמה בניינים גבוהים בתעלה. לדוגמה, יש שבע עשרה או שמונה גרסאות ושילובים של מבנה הקבורה הכפולה.
בספטמבר השנה, שמעתי שסנאן גם רצה להתחיל לפתח טרנזיסטור MOSFET מסיליקון קרביד, אבל לא ניתן היה להתחמק מהפטנט על מבנה טרנזיסטור. לבסוף, פשוט בחרתי לייצר אחד קודם. אז גייסתי רופא ישירות ממכון בייג'ינג למיקרואלקטרוניקה, והתחלתי לחקות את מבנה התעלה.
זה לא רחוק מדי. רק רציתי לדבר על GE. זהו איל ה-IP האמיתי של סיליקון קרביד. עם זאת, התקני סיליקון קרביד הם עסק קטן עבור GE, ול-GE יש עניין מועט. אפילו GE, הציוד הרפואי המרוויח, עצלן מכדי לקחת סיבה. קשה לדעת מה המצב של GE כעת.
GE נפרדת בשבועיים האחרונים. אולי לאחר ההפצה, GE POWER יכולה להקים עסק קטן לאט, או התקני סיליקון קרביד.אחרי הכל, עכשיו אנחנו צריכים ללכת הולנדית לארוחת ערב.
GE אמורה להתעניין במכשירים בעלי הספק גבוה. לאחר ההפרדה, ייתכן שיהיה צורך לבטל ולהירשם מחדש. SiC הוא כלי בעל ערך! ניתן לראות זאת על ידי התבוננות בקידום הנלהב של GE POWER לפיתוח סין לאחרונה.
אם GE POWER באמת מתחיל להיות עצמאי ומבקש להירשם בנפרד, אז שבבי כוח והתקני SiC Power צריכים להיות יציאה טובה להתחלה חדשה.
התזמון מתאים בדיוק עבור GE POWER.כפי שזה קורה, סיליקון קרביד חם מאוד, וכל השחקנים עשירים במיוחד.אולי GE POWER יכולה להתחיל לקצור כרישה כמו קוואלקום ולהפוך לספקית IP של POWER.
למפעל בן מאה שנה,סיפור הפרידה רק התחיל, והעתיד יהיה מזהיר, מי יודע!
כתב ויתור: מאמר זה משוכפל מתוך "הערות למידה של שבב סיליקון קרביד". מאמר זה מייצג רק את דעותיו האישיות של המחבר, ואינו מייצג את דעותיהם של Sacco Micro והתעשייה. זה מיועד רק להדפסה מחדש ולשיתוף כדי לתמוך בהגנה על זכויות קניין רוחני. נא לציין את המקור והמחבר המקורי בעת ההדפיסה המחודשת. אם יש הפרה כלשהי, אנא צור איתנו קשר כדי למחוק אותה.
טל' חברה: +86-0755-83044319
פקס/פקס:+86-0755-83975897
דוא"ל: 1615456225@qq.com
QQ: 332496225 מנהל Qiu
כתובת: חדר 809, בלוק C, בניין Zhantao Technology, מס' 1079 Minzhi Avenue, Longhua New District, שנזן